调平机构、反应腔室及半导体加工设备制造技术

本发明专利技术提供一种调平机构、反应腔室及半导体加工设备，该调平机构包括沿待调平件的周向间隔分布的至少三个高度调节组件，每个高度调节组件包括：支撑件，设置在待调平件的底部，用于支撑待调平件；配合件，位于支撑件的下方，并且配合件具有相对于水平面倾斜的第一斜面；楔形件，位于配合件的下方，且具有相对于水平面倾斜的第二斜面，且第二斜面与第一斜面相配合；驱动结构，用于驱动楔形件沿第一水平方向或者方向与之相反的第二水平方向移动，以使第二斜面沿第一斜面相对移动，从而带动支撑件上升或下降。本发明专利技术提供的调平机构，用于简化调平过程，节省人力，并降低设备成本。

【技术实现步骤摘要】
调平机构、反应腔室及半导体加工设备
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种调平机构、反应腔室及半导体加工设备。
技术介绍
增强型等离子体气相沉积设备(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，以下简称PECVD)是一种普遍应用于LED、MEMS、Power及IC等相关领域的薄膜沉积设备。目前，较普遍使用的PECVD反应腔室的结构为：在反应腔室内设有用于输送反应气体的多个喷淋头和用于承载并加热晶圆的整体式加热器，该加热器与喷淋头的水平度在工艺过程中起到至关重要的作用。目前加热器的调平方法没有较为便捷的方式，通过需要拆卸反应腔室的腔室壁，直至露出加热器的底部区域才能够进行手动调平操作。图1为现有的一种PECVD反应腔室的局部剖视图。请参阅图1，在反应腔室内设置有加热器101，且在加热器101的底部设置有三个支撑台105，并且在反应腔室的底板102上设置有能够滚动的三个绝缘球体103，用于一一对应地支撑各个支撑台105。另外，三个支撑台105中有至少一个为导向台106，用于引导加热器101进行有方向性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种调平机构，其特征在于，包括沿待调平件的周向间隔分布的至少三个高度调节组件，每个所述高度调节组件包括：/n支撑件，设置在所述待调平件的底部，用于支撑所述待调平件；/n配合件，位于所述支撑件的下方，并且所述配合件具有相对于水平面倾斜的第一斜面；/n楔形件，位于所述配合件的下方，且具有相对于水平面倾斜的第二斜面，且所述第二斜面与所述第一斜面相配合；/n驱动结构，用于驱动所述楔形件沿第一水平方向或者方向与之相反的第二水平方向移动，以使所述第二斜面沿所述第一斜面相对移动，从而带动所述支撑件上升或下降。/n

【技术特征摘要】
1.一种调平机构，其特征在于，包括沿待调平件的周向间隔分布的至少三个高度调节组件，每个所述高度调节组件包括：
支撑件，设置在所述待调平件的底部，用于支撑所述待调平件；
配合件，位于所述支撑件的下方，并且所述配合件具有相对于水平面倾斜的第一斜面；
楔形件，位于所述配合件的下方，且具有相对于水平面倾斜的第二斜面，且所述第二斜面与所述第一斜面相配合；
驱动结构，用于驱动所述楔形件沿第一水平方向或者方向与之相反的第二水平方向移动，以使所述第二斜面沿所述第一斜面相对移动，从而带动所述支撑件上升或下降。


2.根据权利要求1所述的调平机构，其特征在于，所述驱动结构包括：
推动件，设置在所述楔形件在水平方向上的厚度最大端的一侧；并且，所述推动件具有相对于水平面倾斜的第三斜面及沿竖直方向设置的螺纹孔；在所述楔形件的厚度最大端处设置有相对于水平面倾斜的第四斜面，所述第四斜面与所述第三斜面相配合；
调节螺钉，设置在所述螺纹孔中，且与之螺纹配合，用以通过旋松或旋紧所述调节螺钉，来使所述推动件上升或下降，从而使所述第三斜面沿所述第四斜面相对移动，从而使所述楔形件沿所述第一水平方向或者第二水平方向移动；
弹性件，设置在所述楔形件的厚度最小端的一侧，用于向所述楔形件施加能够使所述第四斜面与所述第三斜面保持接触的弹力；
每个所述高度调节组件还包括连接件，所述连接件与所述配合件将所述楔形件夹在二者之间，所述调节螺钉可旋转的设置在所述连接件上。


3.根据权利要求2所述的调平机构，其特征在于，所述第四斜面为两个，且沿所述楔形件的水平轴线对称设置；
所述推动件为两个，且上下设置，两个所述推动件的所述第三斜面分别与两个所述第四斜面相配合；位于所述楔形件上方的所述推动件具有沿竖直方向设置的通孔，位于所述楔形件下方的所述推动件具有所述螺纹孔；
所述调节螺钉由上而下依次穿设于所述通孔和所述螺纹孔，且与所述螺纹孔螺纹配合...

【专利技术属性】
技术研发人员：王福来，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11