【技术实现步骤摘要】
内衬、反应腔室和半导体加工设备
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种内衬、反应腔室和半导体加工设备。
技术介绍
在半导体制造设备中，内衬对等离子体的分布限制和屏蔽作用对工艺参数至关重要，并且内衬的接地性能直接影响射频回路的稳定性，而射频回路的稳定性对等离子体的稳定性起到了决定性的作用。现有的半导体设备在进行工艺时，通常存在多条射频回路，其中，下电极射频回路主要有一条回路：由射频电源产生的射频电流通过匹配器进入下电极，再通过等离子体进入内衬，然后经过接地的内衬流回匹配器，再回到射频电源。在现有技术中，内衬通过与反应腔室的腔室壁电导通来实现接地。具体的接地结构为：内衬的上端设置有环形凸台，该环形凸台的下表面与腔室侧壁的顶面相贴合，从而实现内衬与反应腔室的电导通。但是，由于内衬的上端接地良好，而下端没有接地，导致内衬在其轴向上存在电势差，从而造成射频回路不稳定，同时还会削弱内衬屏蔽等离子体的效果，容易产生溅射。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，...
【技术保护点】
1.一种内衬，包括内衬本体,其特征在于，所述内衬本体包括沿其轴向设置的上本体和下本体，并且所述上本体的下端面和下本体的上端面之间具有缝隙，所述上本体的上端设置有上接地结构，所述上接地结构与反应腔室的腔室壁电导通，所述下本体的下端设置有下接地结构，所述下接地结构与基座电导通。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种内衬，包括内衬本体,其特征在于，所述内衬本体包括沿其轴向设置的上本体和下本体，并且所述上本体的下端面和下本体的上端面之间具有缝隙，所述上本体的上端设置有上接地结构，所述上接地结构与反应腔室的腔室壁电导通，所述下本体的下端设置有下接地结构，所述下接地结构与基座电导通。
2.根据权利要求1所述的内衬，其特征在于，所述下接地结构包括与所述下本体连接的接地件，所述接地件包括与所述基座的外表面相贴合的贴合面。
3.根据权利要求2所述的内衬，其特征在于，所述基座的外表面与所述接地件的贴合面相贴合的区域上，和/或所述接地件的所述贴合面上，设置有导电层。
4.根据权利要求2所述的内衬，其特征在于，所述接地件为沿所述下本体的周向环绕设置的闭合环体；或者，所述接地件包括沿所述下本体的周向环绕且间隔设置的多个子接地件。
5.根据权利要求4所述的内衬，其特征在于，所述闭合环体为所述下本体的下部的内侧端向下延伸后向外侧翻折形成的环状翻边结构。
6.根据权利要求4所述的内衬，其特征在于，所述多个子接地件为所述下本体的下部的内侧端上的多个不相邻的区域向下延伸后向外侧翻折形成的多个独立的翻边结构。
技术研发人员：王志伟，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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