一种晶圆的干燥方法技术

技术编号:26533101 阅读:50 留言:0更新日期:2020-12-01 14:18
本发明专利技术提供一种晶圆的干燥方法,其在喷头移动的整个预设路径中选择至少一段路程开启喷头以向旋转中的晶圆表面喷出干燥气体,同时根据喷头和晶圆的中心之间的水平间距的变化调节喷头移动的速度。这样,可以根据晶圆表面各个位置上的线速度和离心力差异,灵活调节喷头开启的路程和喷头的移动速度,从而可以使晶圆表面上各个位置的干燥速度趋于一致,进而可以提高干燥均匀性,避免在晶圆表面出现环状的颗粒团聚现象。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆的干燥方法
本专利技术涉及半导体制造领域,具体地,涉及一种晶圆的干燥方法。
技术介绍
半导体晶圆的清洗工艺中,干燥晶圆表面是非常重要的一环。因为在清洗工艺结束后,晶圆表面会剩余少量的液体(通常是水),如果干燥不充分,就会在晶圆表面形成“水痕”等缺陷,所以干燥效果的好坏直接影响着晶圆表面的产品良率表现。目前的干燥工艺主要是在晶圆高速旋转过程中,利用喷头在晶圆上方匀速往复摆动多次并喷射干燥气体,以此来达到干燥的目的。参见图1所示的现有技术喷头的移动轨迹,具体流程如下:1.喷头自晶圆8左侧的边缘5向中心6匀速移动,2.氮气臂自晶圆8的中心6向右侧的边缘7匀速移动,3.氮气臂自晶圆8右侧的边缘7向中心6匀速移动,4.氮气臂自晶圆8的中心6向左侧的边缘5匀速移动。即,现有技术中,喷头自晶圆8的一侧5向另一侧7匀速移动,并在晶圆8的两侧边缘5和7之间往复移动。由于晶圆8也是匀速旋转,其中心6处的线速度为0,除中心6外的其他位置处的线速度随着各个位置与中心6之间的径向距离的增加而增加。此时,在晶圆8的表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆的干燥方法,其特征在于,包括:/n按预设路径移动喷头,且选择性地在所述预设路径中的至少一段路程中开启所述喷头以向旋转中的所述晶圆表面喷出干燥气体;/n同时根据所述喷头和所述晶圆的中心之间的水平间距的变化调节所述喷头移动的速度,以使所述晶圆表面干燥的速度趋于一致。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的干燥方法,其特征在于,包括:
按预设路径移动喷头,且选择性地在所述预设路径中的至少一段路程中开启所述喷头以向旋转中的所述晶圆表面喷出干燥气体;
同时根据所述喷头和所述晶圆的中心之间的水平间距的变化调节所述喷头移动的速度,以使所述晶圆表面干燥的速度趋于一致。


2.根据权利要求1所述的干燥方法,其特征在于,所述根据所述喷头和所述晶圆的中心之间的水平间距的变化调节所述喷头移动的速度包括:
所述喷头和所述晶圆的中心之间的水平间距越大,所述喷头移动的速度越快。


3.根据权利要求1或2所述的干燥方法,其特征在于,所述预设路径包括:
第一段路程,自所述晶圆的中心沿所述晶圆的第一径向移动所述喷头,直至所述喷头移动到所述水平间距为第一预设距离处的第一终点;
第二段路程,自所述第一终点沿第二径向移动所述喷头,直至所述喷头返回所述晶圆的中心,其中,所述第二径向与所述第一径向位于同一条直径上,且方向相反;
第三段路程,自所述晶圆的中心开始沿所述晶圆的第二径向移动所述喷头,直至所述喷头移动到所述水平间距为第二预设距离处的第二终点;
第四段路程,自所述第二终点沿所述第二径向继续移动所述喷头,直至所述喷头到达所述晶圆的边缘处。


4.根据权利要求3所述的干燥方法,其特征在于,在所述第二段路程中,关闭所述喷头;在所述第一段路程、所述第三段路程和所述第四段路程中,均开启所述喷头。


5.根据权利要求4所述的干燥方法,其特征在于,所述第一预设距离小于所述第二预设距离。

【专利技术属性】
技术研发人员:刘效岩
申请(专利权)人:北京北方华创微电子装备有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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