本发明公开一种静电卡盘装置及半导体工艺设备，所述静电卡盘装置包括基部、覆盖体和至少一个绝缘单体，所述基部具有承载面，所述覆盖体具有相背设置的第一表面和第二表面，所述覆盖体通过所述第一表面覆设于所述承载面，所述覆盖体开设有至少一个贯通所述...

本发明公开一种晶圆位置校正装置及半导体工艺设备，所公开的晶圆位置校正装置适用于对承载架上的晶圆进行位置校正。晶圆位置校正装置包括第一校正元件、第二校正元件、传动机构和驱动机构，第一校正元件邻近晶圆的第一侧设置，第二校正元件邻近晶圆的第二...

本发明公开一种半导体工艺设备及传输晶片的方法，所述半导体工艺设备包括反应腔室和装卸载腔室，所述反应腔室中设置有托盘和支撑件，所述支撑件设置于所述反应腔室的底壁上，所述托盘包括第一子盘和第二子盘，所述第二子盘设置于所述支撑件上，所述第一子...

本发明实施例提供的半导体设备中的电源输出控制方法和系统、处理器和计算机，该方法包括接收计算机发送的与当前的工艺步骤对应的第一信息，并判断第一信息和预先存储的与当前的工艺步骤对应的第二信息是否满足预设的计时触发条件；第一信息包括电源的第一...

本发明公开一种组合微透镜阵列结构及其加工方法，加工方法包括：在透镜基材的表面覆盖第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行曝光和显影，形成图形化的第一掩膜层；刻蚀透镜基材和第一掩膜层，形成第一中间件；去除残余的第一掩膜层；在第一中间件具有第一微透...

本发明提供一种半导体外延设备中的基座组件，包括固定基座和支承件，支承件可转动地设置在固定基座上形成的旋转槽中，固定基座中形成有侧吹通路和底吹通路，侧吹通路在旋转槽的侧壁上形成有侧吹孔，底吹通路在旋转槽的底壁上形成有底吹孔；底吹通路用于向...

本发明提供一种承载装置及半导体加工设备，其中，承载装置包括位置调整机构、驱动机构、用于承载待加工件的托盘和用于承载托盘的卡盘，位置调整机构用于使托盘与卡盘相分离或者相接触；驱动机构用于在托盘与卡盘相分离时与托盘相配合，以驱动托盘旋转。本...

本申请实施例提供了一种半导体设备及其工艺腔室。该工艺腔室包括：包括：工艺管、电磁加热组件及保温结构；电磁加热组件包括电磁线圈及感应加热器，电磁线圈环绕设置于工艺管的外周，并且电磁线圈的内壁与工艺管的外壁之间具有第一预设间距，电磁线圈的匝...

本发明提供一种排气装置及工艺腔室，包括连接管路和冷却组件，其中，连接管路分别与工艺腔室的排气管路和尾气处理装置连接，用于将自排气管路排出的尾气传输至尾气处理装置中；冷却组件设置在连接管路上，用于对连接管路以及流经连接管路中的尾气进行冷却...

一种应用于等离子体系统的下电极装置。所述等离子体系统具有下部电极、环绕所述下部电极设置的环形电极以及耦接至所述下部电极的射频源。所述下电极装置包括电场供应电路，所述电场供应电路的一端耦接至所述环形电极，所述电场供应电路的另一端选择性地耦...

本发明公开一种半导体工艺设备及其进气结构，进气结构包括喷嘴和匀流板，喷嘴设有位于喷嘴的轴线上的第一进气区和位于第一进气区一侧的第二进气区；匀流板设有与第一进气区对应设置的安装孔、环绕安装孔设置的第一匀流通道、环绕第一匀流通道设置的第二匀...

本发明提供一种等离子体放电状态监控方法及等离子体放电系统，该方法包括：在电感耦合线圈上加载射频功率之后，获取所述电感耦合线圈的电压信号与电流信号；计算所述电压信号与所述电流信号的相位差；由所述相位差确定当前等离子体所处的放电状态。通过本...

本发明提供一种冷却装置及立式炉系统，该冷却装置包括：辅助支架、排风盒组件以及热交换组件；所述辅助支架用于支撑所述排风盒组件、所述热交换组件；所述排风盒组件的进气端与所述炉体出气口连接，所述排风盒组件的出气端与所述热交换组件的进气端连接。...

本发明提供一种工艺腔室，包括腔室本体、基座、进气组件和射频线圈组件，其中，射频线圈组件设置在腔室本体顶部的中部区域；基座设置在腔室本体内，用于承载晶片；进气组件可移动的设置在腔室本体的边缘区域，并穿过腔室本体的侧壁，用于向腔室本体内喷射...

本发明提供一种半导体工艺组件及半导体加工设备，该半导体工艺组件包括压环，所述压环用于在基座位于工艺位置时压住晶片上表面的边缘区域；还包括：进气结构，其沿所述压环的周向设置在所述压环的下方，在所述基座位于所述工艺位置时，所述进气结构与所述...

本发明提供一种信息记录方法及系统，该信息记录方法包括以下步骤：S1：获取错误代码，并将所述错误代码存放入第一寄存器；S2：将所述第一寄存器中的错误代码按照读取的先后顺序排列，并存入FIFO存储器；S3：判断第二寄存器是否有数据；若否，执...

本发明提供一种半导体设备、半导体工艺电源控制系统及方法，该半导体工艺电源控制方法包括：接收电源启动信号，控制电源进入可用状态并输出功率；同时启动计时器，开始计时；判断计时时长是否达到定时时间段；若所述计时时长达到了所述定时时间段，则控制...

本发明提供了一种半导体工艺设备中的控制装置，涉及半导体加工技术领域，该控制装置包括：控制模块、传输模块、切换模块和多个输入模块，切换模块与多个输入模块连接；切换模块用于响应于用户的操作，将多个输入模块中的一个输入模块与传输模块导通，并将...

本发明提供一种下炉膛组件、生长炉及其安装方法。该下炉膛组件，用于在一端固定内外嵌套安装的内石英管与外石英管，所述下炉膛组件包括主体及底托，所述主体包括用于固定所述外石英管一端的第一定位部；所述底托包括用于轴向定位所述内石英管一端的第二定...

本发明提供一种半导体清洗设备中的喷淋装置，包括旋转轴、基座组件和喷淋管组件，旋转轴设置在基座组件中，且能够绕自身轴线旋转，旋转轴中开设有导流管路；基座组件固定设置在半导体清洗设备工艺腔室的顶部，用于容置旋转轴，还用于将清洗剂导入导流管路...