一种半导体外延设备及其基座组件制造技术

本发明专利技术提供一种半导体外延设备中的基座组件，包括固定基座和支承件，支承件可转动地设置在固定基座上形成的旋转槽中，固定基座中形成有侧吹通路和底吹通路，侧吹通路在旋转槽的侧壁上形成有侧吹孔，底吹通路在旋转槽的底壁上形成有底吹孔；底吹通路用于向支承件的底部喷射气体，以在旋转槽中抬起支承件；支承件侧壁上设置有多个驱动部，侧吹通路用于向支承件的侧壁及驱动部喷射气体，以驱动支承件转动。在本发明专利技术中，侧吹孔和底吹孔分别由侧吹通路和底吹通路单独供气，支承件的高度与转速可独立调节，提高了控制支承件转速的精确性以及基座组件整体结构的稳定性，改善了半导体工艺的工艺效果。本发明专利技术还提供一种半导体外延设备。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体外延设备及其基座组件
本专利技术涉及半导体制造设备领域，具体地，涉及一种用于驱动晶圆托盘旋转的基座组件和一种包括该基座组件的半导体外延设备。
技术介绍
在半导体工艺中，常需要在衬底上进行半导体材料(如Si、Ge、SiGe、GaAs、AlN、GaN、SiC等)的外延生长，在外延生长的过程中需要持续对生长系统提供热量。硅的外延温度通常为1000～1200℃，而部分半导体材料的外延温度比单晶硅更高，例如碳化硅外延的温度通常为1500～1800℃，且碳化硅外延的生长时间比硅的外延生长更长。通用的碳化硅外延加热方式为线圈感应加热方式，通过外部线圈产生可变磁场，感应生长系统中的加热元件(如衬托器或固定基座)加热元件产生感应电流，并产生热量，从而加热生长系统。为提高加热的均匀性，碳化硅外延生长工艺常需要驱动用于承载衬底的托盘进行旋转运动，旋转速度在1～100rpm不等。然而，受限于碳化硅外延较高的生长温度，碳化硅外延的托盘旋转难以通过外部驱动和内部驱动装置结合的方式(如旋转电机带动托盘底部的石英旋转轴)实现。因此通常情况下，在碳化硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体外延设备中的基座组件，包括固定基座和支承件，所述固定基座上形成有旋转槽，所述支承件可转动地设置在所述旋转槽中，所述支承件用于承载晶圆或晶圆托盘，其特征在于，所述固定基座中形成有侧吹通路和底吹通路，所述侧吹通路在所述旋转槽的侧壁上形成有至少一个侧吹孔，所述底吹通路在所述旋转槽的底壁上形成有至少一个底吹孔；/n所述底吹通路用于通过所述底吹孔向所述支承件的底部喷射气体，以在所述旋转槽中抬起所述支承件；/n所述支承件侧壁上设置有多个驱动部，所述侧吹通路用于通过所述侧吹孔向所述支承件的侧壁及所述驱动部喷射气体，以驱动所述支承件在所述旋转槽中转动。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体外延设备中的基座组件，包括固定基座和支承件，所述固定基座上形成有旋转槽，所述支承件可转动地设置在所述旋转槽中，所述支承件用于承载晶圆或晶圆托盘，其特征在于，所述固定基座中形成有侧吹通路和底吹通路，所述侧吹通路在所述旋转槽的侧壁上形成有至少一个侧吹孔，所述底吹通路在所述旋转槽的底壁上形成有至少一个底吹孔；
所述底吹通路用于通过所述底吹孔向所述支承件的底部喷射气体，以在所述旋转槽中抬起所述支承件；
所述支承件侧壁上设置有多个驱动部，所述侧吹通路用于通过所述侧吹孔向所述支承件的侧壁及所述驱动部喷射气体，以驱动所述支承件在所述旋转槽中转动。


2.根据权利要求1所述的基座组件，其特征在于，所述多个驱动部包括开设在所述支承件侧壁上的多个凹槽。


3.根据权利要求1所述的基座组件，其特征在于，
所述支承件的底部具有锥形凸起，所述旋转槽的底部形成有锥形凹槽，所述支承件底部的锥形凸起匹配设置在所述旋转槽底部的锥形凹槽中；或者
所述旋转槽的底部具有锥形凸起，所述支承件的底部形成有锥形凹槽，所述旋转槽底部的锥形凸起匹配设置在所述支承件底部的锥形凹槽中。


4.根据权利要求3所述的基座组件，其特征在于，所述锥形凸起的中心形成有定位台...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐柯柯，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11