工艺腔室制造技术

本发明专利技术提供一种工艺腔室，包括腔室本体、基座、进气组件和射频线圈组件，其中，射频线圈组件设置在腔室本体顶部的中部区域；基座设置在腔室本体内，用于承载晶片；进气组件可移动的设置在腔室本体的边缘区域，并穿过腔室本体的侧壁，用于向腔室本体内喷射工艺气体。本发明专利技术提供的工艺腔室能够提高晶片的刻蚀均匀性，提高刻蚀工艺的稳定性，从而提高晶片的良率。

【技术实现步骤摘要】
工艺腔室
本专利技术涉及半导体制造领域，具体地，涉及工艺腔室。
技术介绍
目前，随着集成电路的发展，对于半导体晶圆的加工均匀性要求越来越高，在干法刻蚀工艺中，即为等离子体刻蚀工艺，加工均匀性是用于评价不同刻蚀位置处的刻蚀速率差异的重要指标，较好的均匀性可以使晶圆的良率得到提高，并且，随着刻蚀的晶圆的面积增大，均匀性的控制就显得更加重要。如图1所示，现有的等离子体半导体刻蚀装置包括反应腔室11、腔室盖12、进气口13、卡盘14和线圈，其中，腔室盖12设置在反应腔室11的上方，进气口13设置在腔室盖12中心位置，卡盘14设置在反应腔室11中，用于承载晶圆，线圈设置在腔室盖12上方，用于使工艺气体形成等离子体，在工艺过程中，工艺气体的流动方向如图1中箭头所示，工艺气体自位于腔室盖12中心区域的进气口13进入反应腔室11，由反应腔室11的中心区域向四周扩散，并通过线圈产生磁场使工艺气体产生等离子体，从而对卡盘14上的晶圆进行刻蚀。但是，在现有技术中，由于工艺气体是由反应腔室11的中心区域向四周扩散，这就导致反应腔室11内中心区域处的工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种工艺腔室，其特征在于，包括腔室本体、基座、进气组件和射频线圈组件，其中，所述射频线圈组件设置在所述腔室本体顶部的中部区域；/n所述基座设置在所述腔室本体内，用于承载晶片；/n所述进气组件可移动的设置在所述腔室本体的边缘区域，并穿过所述腔室本体的侧壁，用于向所述腔室本体内喷射工艺气体。/n

【技术特征摘要】
1.一种工艺腔室，其特征在于，包括腔室本体、基座、进气组件和射频线圈组件，其中，所述射频线圈组件设置在所述腔室本体顶部的中部区域；
所述基座设置在所述腔室本体内，用于承载晶片；
所述进气组件可移动的设置在所述腔室本体的边缘区域，并穿过所述腔室本体的侧壁，用于向所述腔室本体内喷射工艺气体。


2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，还包括驱动组件，所述驱动组件用于驱动所述进气组件沿所述晶片所在的承载区域的径向作往复运动，以使所述进气组件的喷射区域至少覆盖整个所述承载区域。


3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述进气组件包括：
喷头结构，位于所述腔室本体中，用于向所述承载区域喷射所述工艺气体；
进气管路，可伸缩的设置在所述腔室本体的侧壁中，且分别与所述喷头结构和所述驱动组件连接，用于向所述喷头结构中输送所述工艺气体；
其中，所述喷头结构的运动范围满足：使所述喷头结构的喷射区域至少覆盖整个所述承载区域。


4.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述喷头结构包括喷气主路和喷气支路，其中，
所述喷气主路的进气端与所述进气管路的出气端连接，且所述喷气主路与所述进气管路之间呈第一夹角；
所述喷气支路的进气端与所述喷气主路的出气端连接，所述喷气支路的出气端用于向所述承载区域喷射所述工艺气体，且所述喷气支路与所述喷气主路的延长线方向之间呈第二夹角。


5.根据权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，所述进气管路水平设置；所述第一夹角的取值范围为大于或等于50°，且小于或等于60°。


6.根据权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，所述进气管路水平设置；所述第二夹角的取值范围为大于或等于0°，且小于或等于60°。


7.根据权利要求6所述的工艺腔室，其特征在于，所述第二夹角的取值范围为大于或等于25°，且小于或等于60°。


8.根据权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，所述喷气支路为一个或多个，且多个所述喷气支路的进气端均与所述喷气主路的出气端连接，所述喷气支路的出气端均用于向所述承载区域喷射所述工艺气体；并且...

【专利技术属性】
技术研发人员：光娟亮，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11