用于真空处理设备的内衬装置和真空处理设备制造方法及图纸

一种用于真空处理设备的内衬装置和真空处理设备，其中，用于真空处理设备的内衬装置包括：环形内衬，所述环形内衬包括相互连接的侧壁保护环和承载环，所述承载环的外径大于侧壁保护环的外径，所述环形内衬围成一个处理空间；位于所述承载环内的气体通道，所述气体通道与所述处理空间连通。所述用于真空处理设备的内衬装置的性能较好。

【技术实现步骤摘要】
用于真空处理设备的内衬装置和真空处理设备
本专利技术涉及半导体领域，尤其设计一种用于真空处理设备的内衬装置和真空处理设备。
技术介绍
半导体器件的生产过程中需要在各种各样的半导体生产设备中完成，其中，半导体生产设备包括真空处理设备，所述真空处理设备是指在真空或者减压状态下处理半导体基片的处理设备。常见的所述真空处理设备包括干法刻蚀设备或沉积成膜设备。所述真空处理设备包括真空腔和位于真空腔顶部表面和部分侧壁的内衬装置，所述内衬装置用于对真空腔的内侧壁进行保护，防止真空腔的内侧壁被腐蚀。所述真空处理设备使用一段时间后，所述内衬装置不再满足工艺要求，需更换所述内衬装置。然而，现有内衬装置的性能较差。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种用于真空处理设备的内衬装置和真空处理设备，以提高用于真空处理设备的内衬装置的性能。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种用于真空处理设备的内衬装置，包括：环形内衬，所述环形内衬包括相互连接的侧壁保护环及承载环，所述承载环的外径大于侧壁保护环的外径，所述环形内衬围成一个处理空间；位于所述承载环内的气体通道，所述气体通道与所述处理空间连通。可选的，所述气体通道包括：位于承载环内的进气口；位于所述承载环内的第一气体扩散槽，所述第一气体扩散槽与进气口连通；位于所述承载环内的出气口，所述出气口与第一气体扩散槽和处理空间连通。可选的，当所述第一气体扩散槽的个数为1个时，所述第一气体扩散槽包围所述处理空间。可选的，当所述第一气体扩散槽的个数大于1个时，每一个第一气体扩散槽中心到处理空间中心的距离相等，多个第一气体扩散槽之间相互分立，多个所述第一气体扩散槽环绕所述处理空间，且每一个第一气体扩散槽与至少一个第一进气口和至少一个第一出气口连通。可选的，所述气体通道还包括：位于所述承载环内的第二气体扩散槽，所述第二气体扩散槽包围第一气体扩散槽；连通第一气体扩散槽与第二气体扩散槽的连接槽。可选的，当所述第二气体扩散槽的个数大于1个，所述大于1个的第二气体扩散槽中心到处理空间中心的距离相等，多个第二气体扩散槽相互分立；所述第二气体扩散槽与进气口连通。可选的，所述气体通道还包括：包围第二气体扩散槽的第三气体扩散槽，所述第三气体扩散槽与第二气体扩散槽连通。可选的，所述第一气体扩散槽与第二气体扩散槽沿第一方向排布；所述第三气体扩散槽的个数大于1个，所述大于1个的第三气体扩散槽沿第一方向依次排布，所述大于1个的第三气体扩散槽中到处理空间中心距离最远的第三气体扩散槽连接进气口。可选的，还包括：位于所述环形内衬与处理空间接触面上的涂层；所述涂层的材料包括：氧化钇、三氧化铝、聚四氟乙烯或者聚酰亚胺。可选的，还包括：位于所述承载环内的加热槽，所述加热槽环绕所述处理空间，所述加热槽用于放置加热器，所述加热器用于对环形内衬进行加热。可选的，所述承载环顶部表面暴露出第一气体扩散槽和加热槽；所述承载环的外侧壁暴露出第一进气口。可选的，所述承载环顶部表面暴露出第一气体扩散槽；所述承载环的外侧壁暴露出第一进气口和加热槽。可选的，还包括：与侧壁保护环底部连接的等离子体约束装置，所述等离子体约束装置的内径小于侧壁保护环的内径，所述等离子体约束装置具有若干贯穿等离子体约束装置的扩散口，所述扩散口与处理空间连通。可选的，所述等离子体约束装置顶部与侧壁保护环底部一体成型。相应的，本专利技术还提供一种真空处理设备，包括：由反应腔侧壁围成的真空反应腔，所述真空反应腔侧壁包括承载面；环形内衬，所述环形内衬包括侧壁保护环及将所述侧壁保护环固定在所述承载面的承载环，所述承载环的外径大于侧壁保护环的外径，所述环形内衬围成一个处理空间；位于所述承载环内的气体通道，所述气体通道与所述处理空间连通；进气单元，用于通过气体通道向所述处理空间内提供反应气体；抽真空装置，用于维持所述真空反应腔内的真空环境。可选的，所述气体通道包括：位于承载环内的进气口；位于所述承载环内的第一气体扩散槽，所述第一气体扩散槽与进气口连通；位于所述承载环内的出气口，所述第一出气口与第一气体扩散槽和处理空间连通。可选的，当所述第一气体扩散槽的个数为1个时，所述第一气体扩散槽包围所述处理空间。可选的，当所述第一气体扩散槽的个数大于1个时，每一个第一气体扩散槽中心到处理空间中心的距离相等，多个第一气体扩散槽之间相互分立，多个所述第一气体扩散槽环绕所述处理空间，且每一个第一气体扩散槽与至少一个第一进气口和至少一个第一出气口连通。可选的，所述气体通道还包括：位于所述承载环内的第二气体扩散槽，所述第二气体扩散槽包围第一气体扩散槽；连通第一气体扩散槽与第二气体扩散槽的连接槽。可选的，当所述第二气体扩散槽的个数大于1个，所述大于1个的第二气体扩散槽中心到处理空间中心的距离相等，多个第二气体扩散槽相互分立；所述第二气体扩散槽与进气口连通。可选的，所述气体通道还包括：包围第二气体扩散槽的第三气体扩散槽，所述第三气体扩散槽与第二气体扩散槽连通。可选的，所述第一气体扩散槽与第二气体扩散槽沿第一方向排布；所述第三气体扩散槽的个数大于1个，所述大于1个的第三气体扩散槽沿第一方向依次排布，所述大于1个的第三气体扩散槽中心到处理空间中心距离最远的第三气体扩散槽连接进气口。可选的，所述承载环包括相对的第一面和第二面，所述第一面与承载面相对，所述第二面暴露出所述第一气体扩散槽；分别位于所述第一气体扩散槽内外的密封部件；位于所述真空反应腔上的顶盖，所述密封部件位于所述顶盖与承载环之间；位于所述顶盖上的电感耦合线圈；连接电感耦合线圈的射频电源。可选的，还包括：位于承载环内的加热槽，所述加热槽环绕所述处理空间，且所述第二面暴露出所述加热槽；位于所述加热槽内的加热器，所述加热器用于对环形内衬进行加热。可选的，还包括：与侧壁保护环底部连接的等离子体约束装置，所述等离子体约束装置的内径小于侧壁保护环的内径，所述等离子体约束装置具有若干贯穿等离子体约束装置的扩散口，所述扩散口与处理空间连通。可选的，所述等离子体约束装置顶部与侧壁保护环底部一体成型。可选的，还包括：位于所述环形内衬与处理空间接触面上的涂层；所述涂层的材料包括：氧化钇、三氧化铝、聚四氟乙烯或者聚酰亚胺。与现有技术相比，本专利技术技术方案具有以下有益效果：本专利技术技术方案提供的内衬装置中，所述承载环内具有气体通道，使得无需额外设置气体供应部件，且无需在气体供应部件与承载环之间设置密封部件以实现密封，因此，有利于提高真空处理设备的密封性能，防止漏气。并且，用于真空处理设备的内衬装置在高温或低压环境下工作时，也不会因密封部件材料的膨胀而通过密封部件发生漏气。综上，用于真空处理设备的内衬装置的漏率较低。由于无需设置气体供应部件，则无需在气体供应部件与承载环相对的表面形成涂层以防止腐蚀，因此，不必担心涂层发生开裂带来的漏率大、耐腐蚀性差的问题。综上，用于真空处理设备的内衬装置的漏率本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于真空处理设备的内衬装置，其特征在于，包括：/n环形内衬，所述环形内衬包括相互连接的侧壁保护环及承载环，所述承载环的外径大于侧壁保护环的外径，所述环形内衬围成一个处理空间；/n位于所述承载环内的气体通道，所述气体通道与所述处理空间连通。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于真空处理设备的内衬装置，其特征在于，包括：
环形内衬，所述环形内衬包括相互连接的侧壁保护环及承载环，所述承载环的外径大于侧壁保护环的外径，所述环形内衬围成一个处理空间；
位于所述承载环内的气体通道，所述气体通道与所述处理空间连通。


2.如权利要求1所述用于真空处理设备的内衬装置，其特征在于，所述气体通道包括：位于承载环内的进气口；位于所述承载环内的第一气体扩散槽，所述第一气体扩散槽与进气口连通；位于所述承载环内的出气口，所述出气口与第一气体扩散槽和处理空间连通。


3.如权利要求2所述用于真空处理设备的内衬装置，其特征在于，当所述第一气体扩散槽的个数为1个时，所述第一气体扩散槽包围所述处理空间。


4.如权利要求2所述用于真空处理设备的内衬装置，其特征在于，当所述第一气体扩散槽的个数大于1个时，每一个第一气体扩散槽中心到处理空间中心的距离相等，多个第一气体扩散槽之间相互分立，多个所述第一气体扩散槽环绕所述处理空间，且每一个第一气体扩散槽与至少一个进气口和至少一个出气口连通。


5.如权利要求3或4所述用于真空处理设备的内衬装置，其特征在于，所述气体通道还包括：位于所述承载环内的第二气体扩散槽，所述第二气体扩散槽包围第一气体扩散槽；连通第一气体扩散槽与第二气体扩散槽的连接槽。


6.如权利要求5所述用于真空处理设备的内衬装置，其特征在于，当所述第二气体扩散槽的个数大于1个，每一个所述第二气体扩散槽中心到处理空间中心的距离相等，多个第二气体扩散槽相互分立；所述第二气体扩散槽与进气口连通。


7.如权利要求6所述用于真空处理设备的内衬装置，其特征在于，所述气体通道还包括：包围第二气体扩散槽的第三气体扩散槽，所述第三气体扩散槽与第二气体扩散槽连通。


8.如权利要求7所述用于真空处理设备的内衬装置，其特征在于，所述第一气体扩散槽与第二气体扩散槽沿第一方向排布；所述第三气体扩散槽的个数大于1个，所述大于1个的第三气体扩散槽沿第一方向依次排布，所述大于1个的第三气体扩散槽中到处理空间中心距离最远的第三气体扩散槽连接进气口。


9.如权利要求1所述用于真空处理设备的内衬装置，其特征在于，还包括：位于所述环形内衬与处理空间接触面上的涂层；所述涂层的材料包括：氧化钇、三氧化铝、聚四氟乙烯或者聚酰亚胺。


10.如权利要求2所述用于真空处理设备的内衬装置，其特征在于，还包括：位于所述承载环内的加热槽，所述加热槽环绕所述处理空间，所述加热槽用于放置加热器，所述加热器用于对环形内衬进行加热。


11.如权利要求10所述用于真空处理设备的内衬装置，其特征在于，所述承载环顶部表面暴露出第一气体扩散槽和加热槽；所述承载环的外侧壁暴露出进气口。


12.如权利要求10所述用于真空处理设备的内衬装置，其特征在于，所述承载环顶部表面暴露出第一气体扩散槽；所述承载环的外侧壁暴露出第一进气口和加热槽。


13.如权利要求1所述用于真空处理设备的内衬装置，其特征在于，还包括：与侧壁保护环底部连接的等离子体约束装置，所述等离子体约束装置的内径小于侧壁保护环的内径，所述等离子体约束装置具有若干贯穿等离子体约束装置的扩散口，所述扩散口与处理空间连通。


14.如权利要求13所述用于真空处理设备的内衬装置，其特征在于，所述等离子体约束装置顶部与侧壁保护环底部一体成型。


15.一种真空处理设备，其特征在于，包括：
由反应腔...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪图强，左涛涛，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31