用于等离子体腔室内部的部件及其制作方法技术

本申请提供一种用于等离子体腔室内部的部件及其制作方法，其中，等离子体腔室内部的部件上设置有涂层形，所述涂层包括稀土元素的氟氧化物，化学式为Re

【技术实现步骤摘要】
用于等离子体腔室内部的部件及其制作方法
本专利技术涉及等离子体处理
，尤其涉及一种用于等离子体腔室内部的部件及其制作方法。
技术介绍
等离子体蚀刻工艺在半导体器件制作
发挥了较大的作用，对于经常处于腐蚀环境下的等离子体腔室内部的部件，需要具有相当高的耐腐蚀性。为了更好保护等离子体腔室内部的部件，避免等离子体腔室内部的部件在长期使用过程中被等离子体腐蚀，有研究者提出利用氟化钇或氧化钇的涂层对等离子体腔室内部的部件进行保护的方案，能够产生良好的耐等离子体腐蚀的效果。但是随着半导体高端制程(10x以下)的不断发展，等离子体刻蚀工艺对刻蚀腔体环境的稳定性提出了苛刻要求。因此与等离子体接触的所有部件都需要：1、表面高致密性，能同时耐CF4和/或O2等离子体腐蚀，并且材料结构尽量不发生改变，保持腔体刻蚀环境的稳定性。2、缩短刻蚀机台初始化时间，延长部件服役寿命，降低部件更换频率，缩短腔体保养后恢复时间。针对上述需求，氧化钇与氟化钇的保护作用有限，无法满足实际需求，那么如何提供一种能够延长部件服役寿命，且表面高致密性，同时耐CF4本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体腔室内部的部件，其特征在于，包括：/n等离子体腔室内的部件本体；/n位于所述部件本体上的涂层；/n其中，所述涂层包括稀土元素的氟氧化物，化学式为Re

【技术特征摘要】
1.一种等离子体腔室内部的部件，其特征在于，包括：
等离子体腔室内的部件本体；
位于所述部件本体上的涂层；
其中，所述涂层包括稀土元素的氟氧化物，化学式为RexOyFz(x≠0，y≠0，z≠0)，其中，Re为稀土元素，且所述RexOyFz为结晶相。


2.根据权利要求1所述的等离子体腔室内部的部件，其特征在于，所述涂层还包括所述稀土元素的氧化物和/或所述稀土元素的氟化物。


3.根据权利要求2所述的等离子体腔室内部的部件，其特征在于，所述稀土元素为钇元素，所述稀土元素的氧化物为Y2O3，所述稀土元素的氟化物为YF3。


4.根据权利要求3所述的等离子体腔室内部的部件，其特征在于，所述结晶相为四方相、立方相或菱形结构。


5.根据权利要求3所述的等离子体腔室内部的部件，其特征在于，所述涂层的厚度范围为0.001μm-100μm，包括端点值。


6.根据权利要求1所述的等离子体腔室内部的部件，其特征在于，所述稀土元素为Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种。


7.根据权利要求1所述的等离子体腔室内部的部件，其特征在于，所述部件本体包括：盖板、衬垫、喷嘴、气体分配板、喷淋头、静电吸盘组件、衬底固持框、处理套组、陶瓷衬垫中的至少一种。


8.一种等离子体腔室内部的部件的制作方法，其特征在于，用于形成权利要求1-7任意一项所述的部件，所述制作方法包括：
采用等离子体增强物理气相沉积工艺在等离子体腔室内部的部件本体上形成所述涂层。


9.根据权利要求8所述的等离子体腔室内部的部件的制作方法，其特征在于，所述采用等离子体增强物理气相沉积工艺在等离子体腔室内部的部件本体上形成所述涂层，具体包括：
在真空反应腔内放置固体源材料；
将一等离子体腔室内部的部件本体放置在所述固体源材料的上方；
...

【专利技术属性】
技术研发人员：段蛟，陈星建，倪图强，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31