一种抽气环组件及气相沉积设备制造技术

本发明专利技术公开了一种抽气环组件及气相沉积设备。所述气相沉积设备包括反应腔和位于所述反应腔内用于承载晶圆的托盘组件；所述抽气环组件包括：上抽气环，在所述反应腔内环绕托盘组件设置；下抽气环，在所述反应腔内设置于所述上抽气环的下方，包括2个或3个沿托盘组件周向分布的圆弧状的下抽气单元；以及，与所述下抽气单元的数量一致的排气管，一一对应地设置在各所述下抽气单元的下方；所述上抽气环、下抽气环和排气管组合成连通所述反应腔内外的封闭气道。本发明专利技术能够在不影响腔内器件布局的情况下增加排气管的管径，并且减少排气管的数量，满足工艺需要，降低加工难度和加工成本，以及增加抽气环支撑的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装备，具体涉及一种抽气环组件及气相沉积设备。

技术介绍

1、通过不同气体源在晶圆上形成薄膜是半导体工艺的重要步骤，包括化学气相沉积(cvd)、物理气相沉积(pvd)等。气相沉积设备进行沉积反应时，反应气体经过进气装置进入反应腔内，然后通过抽气环组件将反应后的多余气体抽离反应腔。抽气环组件的抽气均匀性是影响反应成膜厚度均匀性的其中一个关键因素，能够均匀抽气的抽气环组件有利于在托盘组件承载的晶圆外周形成稳定的流场，进而提高薄膜沉积的均匀度，确保沉积薄膜的质量。

2、现有技术的抽气环组件如附图1所示，其包括中空的抽气环01，连接在抽气环01底部的4根或以上数量的排气管02和多根抽气环支撑03。这种抽气环组件的技术问题是：1、排气管02连接于抽气环01的底面，其管径不能超过抽气环01底面的内外径之差，而受反应腔内的器件布局限制，抽气环01不能够设计有径向宽度更宽的底面，所以排气管02的管径及抽气速率受限；2、由于技术问题1的限制，故现有技术的抽气环组件需设置4根以上的排气管02才能满足抽气速率的需求，而各排气管02的底端需与腔外排气本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抽气环组件，用于气相沉积设备，所述气相沉积设备包括反应腔和位于所述反应腔内用于承载晶圆的托盘组件，其特征在于，所述抽气环组件包括：

2.如权利要求1所述的抽气环组件，其特征在于，

3.如权利要求1所述的抽气环组件，其特征在于，

4.如权利要求1所述的抽气环组件，其特征在于，

5.如权利要求4所述的抽气环组件，其特征在于，

6.如权利要求5所述的抽气环组件，其特征在于，

7.如权利要求6所述的抽气环组件，其特征在于，

8.如权利要求6所述的抽气环组件，其特征在于，

9.如权利要求7所述的...

【技术特征摘要】

1.一种抽气环组件，用于气相沉积设备，所述气相沉积设备包括反应腔和位于所述反应腔内用于承载晶圆的托盘组件，其特征在于，所述抽气环组件包括：

2.如权利要求1所述的抽气环组件，其特征在于，

3.如权利要求1所述的抽气环组件，其特征在于，

4.如权利要求1所述的抽气环组件，其特征在于，

5.如权利要求4所述的抽气环组件，其特征在于，

6.如权利要求5所述的抽气环组件，其特征在于，

7.如权利要求6所述的抽气环组件，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：代宇通，丁伟，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：