一种成膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种成膜装置，包含反应腔以及设置于反应腔内部的基座、支撑柱和工艺套件；其中，所述反应腔用于为晶圆处理提供密闭场所；所述支撑柱设置于所述基座下方，用于支撑基座；所述工艺套件环绕所述基座设置，用于配合所述基座或所述反应腔的侧腔壁，形成吹扫气体的通道；所述基座的上表面具有凸台，通过所述凸台承载晶圆，所述基座的边缘区开设贯穿基座上表面和下表面的通道，将吹扫气体引入到晶圆的边缘位置，对晶圆的边缘和背面进行吹扫，防止晶圆处理过程中的反应气体在晶圆的边缘和背面沉积。本发明专利技术提供的成膜装置避免了在基座内开设水平通孔，所述成膜装置制备更加简单、容易实现，且制作费用大大降低，具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体设备领域，具体涉及一种成膜装置。

技术介绍

1、半导体生产制备过程中，通常使用反应气体对晶圆进行处理产生构成集成电路的材料层，常见的如化学气相沉积、物理气相沉积、外延生长等，其处理腔室中设置的用来承载晶圆的基座通常具有加热功能，在将反应气体引入反应腔室中处理晶圆的同时，还通过基座对晶圆进行加热，以在晶圆表面生成薄膜、形成材料层。

2、晶圆处理过程中，反应气体容易沉积在晶圆的边缘和背面，晶圆边缘的薄膜会比较厚，且随着反应的进行，晶圆边缘的薄膜越来越厚，进而可能出现龟裂脱落现象以及颗粒问题，从而导致晶圆的损坏、不达标，影响器件性能。为了保护晶圆边缘不被反应气体接触，通常在晶圆的边缘位置通入吹扫气体，避免处理腔室的反应气体扩散至晶圆边缘附近。

3、现有设计在基座内开设水平通孔，吹扫气体从基座底部进入水平通孔，通过水平通孔将吹扫气体引入到晶圆的边缘位置；但是，对于氮化铝(aln)或氧化铝(alox)等陶瓷材质制备的基座来说，在其内部开设水平通孔非常困难，目前仅有极少的公司具备制作能力，且制作费用很高。此外，除了一套常规的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种成膜装置，包含反应腔，所述反应腔内设有基座、用于支撑所述基座下表面的支撑柱和环绕所述基座的工艺套件，所述基座的上表面用于承载晶圆，其特征在于，

2.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

3.如权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，

4.如权利要求3所述的成膜装置，其特征在于，

5.如权利要求4所述的成膜装置，其特征在于，

6.如权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，

7.如权利要求6所述的成膜装置，其特征在于，

8.如权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，

9.如权利要求8所述...

【技术特征摘要】

1.一种成膜装置，包含反应腔，所述反应腔内设有基座、用于支撑所述基座下表面的支撑柱和环绕所述基座的工艺套件，所述基座的上表面用于承载晶圆，其特征在于，

2.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

3.如权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，

4.如权利要求3所述的成膜装置，其特征在于，

5.如权利要求4所述的成膜装置，其特征在于，

6.如权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，

7.如权利要求6所述的成膜装置，其特征在于，

8.如权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，

9.如权利要求8所述的成膜装置，其特征在于，

10.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：许灿，陶珩，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：