本发明提供一种清洗槽组件，所述清洗槽组件包括清洗槽和循环管路，循环管路的第一端用于接收清洗槽排出的液体，第二端用于将循环管路中的液体排入清洗槽中，循环管路包括连接管路、过滤支路和清洗支路，过滤支路中设置有过滤装置；过滤支路和清洗支路并联...

本发明实施例提供一种直流偏压检测方法、装置和治具以及下电极系统。该方法包括：调节在与被测部件电连接的匹配器的输出端与被测部件之间形成的射频通路的阻抗，以使第一峰值电压与第二峰值电压的变化趋势一致；第一峰值电压为与被测部件电连接的匹配器输...

本申请公开一种用于反应腔中加热管的散热装置及反应腔室，所公开的散热装置(100)中，散热本体(110)用于与加热管(200)的基座(210)可拆卸连接，且导热相连，散热本体(110)内设有流体通道，流体流入部(120)和流体流出部(13...

本发明公开一种晶圆转载装置及半导体工艺设备，晶圆转载装置包括支架、驱动机构和托盘承载部；驱动机构的驱动端与托盘承载部连接；托盘承载部具有第一预设位置和第二预设位置；在托盘承载部处于第一预设位置的情况下，托盘承载部的承载面低于晶圆承载盒的...

本发明公开一种升降针机构及半导体工艺设备，该升降针机构适用于顶升位于静电卡盘上的待加工件。所述升降针机构包括连接本体、顶针、驱动组件和传动组件，所述连接本体的一端用于连接所述静电卡盘，所述连接本体的另一端与所述驱动组件的固定端连接；所述...

本发明公开一种下电极组件及半导体工艺设备，下电极组件包括基座、射频接口盘、晶圆顶起机构、驱动源和密封组件；静电卡盘、射频接口盘和基座依次叠置，射频接口盘与基座绝缘且密封连接；静电卡盘与射频接口盘之间形成第一容纳空间，射频接口盘与基座之间...

本发明提供一种半导体设备的门结构，门框组件包括转动连接件、通过转动连接件与半导体设备主体可转动连接的第一支架、与第一支架相对设置并通过第一驱动机构与半导体设备主体连接的第二支架、设置在第一支架和第二支架之间并与二者连接的导轨、可驱动第二...

本发明实施例提供一种功率馈入机构、旋转基座装置和半导体加工设备，该功率馈入机构包括导电固定件、固定连接件和旋转连接件，其中，导电固定件与功率源电连接；旋转连接件呈环状，且与旋转部件的旋转轴线同轴设置，并且旋转连接件与旋转部件同步旋转，且...

本发明提供一种用于半导体设备的介质窗组件，介质窗上形成有喷嘴通孔，喷嘴定位机构用于将喷嘴固定在喷嘴通孔中，喷嘴通孔包括安装孔和形成在安装孔底面的喷头孔，喷嘴包括主体部和喷头部，主体部设置在安装孔中，喷头部穿过喷头孔，环形密封件设置在安装...

本申请实施例提供了一种静电卡盘及半导体工艺设备。该静电卡盘用于设置在半导体工艺设备的工艺腔室内，静电卡盘包括用于承载并吸附待加工工件的绝缘层和设置于绝缘层内的电极组件，电极组件用于与一直流电源和射频电源电连接，通过控制直流电源将待加工工...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备包括：工艺腔室、负载腔室及传输腔室；工艺腔室内设置有基座及聚焦环，聚焦环设置于基座上，基座用于承载待加工件；负载腔室内设置有支撑组件，支撑组件用于承载待加工件及聚焦环；传输腔室与工艺...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备包括：工艺腔室、负载腔室及传输腔室；工艺腔室内设置有用于承载晶圆的基座,基座上设置有聚焦环；负载腔室内设置有多个子腔室，每个子腔室内均设置有支撑组件，支撑组件用于承载晶圆及聚焦环，至...

本发明提供一种半导体设备中的卡盘组件及半导体工艺设备，其中，卡盘组件包括卡盘和遮挡部件，卡盘包括用于承载待加工件的承载面，遮挡部件包括与承载面相对的遮挡面，遮挡部件的遮挡面上设置有导流结构，卡盘内设置有进气部件，其中，进气部件用于在遮挡...

本发明提供一种净化腔室及半导体工艺设备，其中，净化腔室用于半导体设备中与半导体设备中的工艺腔室连接，净化腔室包括腔室本体、第一腔室盖和第二腔室盖，腔室本体至少开设有第一腔室口和第二腔室口，第一腔室口用于与工艺腔室传输待加工工件，第二腔室...

本申请提供一种半导体工艺设备中的加热基座及半导体工艺设备，该加热基座用于支撑被加工工件，包括基座主体，还包括设置在基座主体上的边缘支撑件和弹性支撑件，其中：边缘支撑件呈环状，设置在所述基座主体的边缘处，边缘支撑件的内径小于被加工工件的直...

本发明提供一种抽气装置、半导体工艺设备及抽气装置的控制方法，该抽气装置应用于半导体工艺设备，且包括用于对半导体工艺设备的工艺腔室进行抽气的分子泵，还包括分子泵保护装置，分子泵保护装置包括吹扫管路组件和加热组件，加热组件设置在分子泵的外周...

本发明实施例提供的氮化硅膜刻蚀方法，包括：S1、将预设数量的氮化硅膜片浸泡在新刻蚀溶液中，使预设数量的氮化硅膜片上氮化硅膜的累积溶解厚度达到预设溶解厚度，所获得的可工艺溶液对氧化膜的刻蚀速率小于或等于预设上限值；S2、将衬底浸泡在可工艺...

本发明提供一种半导体热处理设备中的调平装置及半导体热处理设备，调平装置包括弹性部件、第一连接件和第二连接件，第一连接件与密封门和支撑部中的一个连接，且其中设置有第一容纳槽；第二连接件与密封门和支撑部中的另一个连接，且其中设置有与第一容纳...

本发明提供一种半导体工艺设备，包括激发线圈、工艺腔室和射频源组件，射频源组件与激发线圈电连接，用于向激发线圈提供射频功率，激发线圈环绕工艺腔室设置，该半导体工艺设备还包括调节组件，该调节组件的第一端与激发线圈连接射频源组件的一端电连接，...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及推片装置。该推片装置设置于半导体工艺设备中预设的片盒传输工位上，其包括：驱动结构和与驱动结构相连的旋转结构；旋转结构包括有推板，驱动结构固定设置于片盒传输工位上，用于驱动旋转结构旋转，以使推板运动至...