本申请提供一种刻蚀控制方法，该刻蚀控制方法，包括：主刻蚀步骤，向半导体工艺设备的工艺腔室内通入刻蚀气体，向工艺腔室内的下电极施加功率，将刻蚀气体激发为等离子体，以对待刻蚀件进行刻蚀，直至达到预定刻蚀深度；过渡刻蚀步骤，在持续通入刻蚀气体...

本发明提供一种半导体刻蚀方法，包括：刻蚀步骤，对半导体刻蚀设备工艺腔室中的待加工件进行刻蚀；清洁步骤，清除工艺腔室中的刻蚀产物。交替执行刻蚀步骤和清洁步骤。其中，清洁步骤包括：清除工艺腔室内部件表面剩余的保护层；清除工艺腔室中的刻蚀产物...

本发明提供一种半导体工艺设备，包括上电极组件、工艺腔室以及功率调整组件，工艺腔室中设置有用于承载待加工件的卡盘，其中，上电极组件用于在工艺腔室中激发等离子体；功率调整组件用于检测卡盘上表面的偏置电压，并在偏置电压与目标偏置电压的差值大于...

本申请实施例公开了一种半导体工艺设备及静电卡盘表面电荷量的检测方法，所述半导体工艺设备包括上电极组件、工艺腔室、直流电源、电压检测器和直流滤波器；工艺腔室接地；工艺腔室内设置有静电卡盘；直流滤波器包括电容和电感，电容一端接地，另一端通过...

本发明提供一种半导体设备的配电柜，包括柜体、隔热件、第一冷却组件和第二冷却组件，其中，隔热件设置在柜体内，用于将柜体的内部空腔分割为第一空间和第二空间，且对第一空间与第二空间之间的热传导进行阻隔；第一冷却组件和第二冷却组件分别用于对第一...

本发明提供了一种工艺腔室及半导体工艺设备。该工艺腔室应用于半导体工艺设备，包括：腔室本体、基座及卡盘组件；腔室本体内形成有反应腔，基座位于反应腔内，卡盘组件与基座连接，以用于承载待加工工件；基座包括基座本体和多个悬臂，悬臂分别连接反应腔...

本发明提供一种用于立式炉的炉门组件，包括炉门本体和封装板，炉门本体具有用于密封立式炉工艺腔室开口的密封面和与密封面相对的散热面，散热面上形成有冷却液槽，封装板覆盖冷却液槽形成用于冷却液流通的通道，散热面上还形成有散热区域，散热区域位于冷...

本申请公开一种半导体工艺腔室，所公开的半导体工艺腔室包括腔室本体、上电极、下电极、屏蔽罩和阻抗调节机构，其中：屏蔽罩设置于腔室本体上，且两者形成容纳腔，上电极、下电极和阻抗调节机构均设置于容纳腔中，上电极与下电极相对设置，上电极位于下电...

本发明实施例提供一种半导体加工设备中的遮蔽盘承载装置及半导体加工设备，该装置包括：托盘，用于承载遮蔽盘，托盘中设置有气体通道，气体通道包括多个出气口，多个出气口分布在托盘的承载面上的不同位置，在承载遮蔽盘时，遮蔽盘覆盖多个出气口中的一个...

本发明提供一种半导体反应腔室，涉及半导体技术领域。该半导体反应腔室包括腔体以及设置于腔体内的承载装置和密封组件，其中，承载装置包括承载基台和环绕承载基台的承载面设置的限位件，限位件与承载基台围成用于容置待加工工件的容置空间；承载基台内设...

本发明提供一种工件取放组件，包括控制装置、驱动装置和抓取结构，该控制装置能够控制驱动装置驱动抓取结构沿竖直方向和水平方向运动，该驱动装置能够根据驱动装置在竖直方向的载荷和在水平方向的载荷向控制装置发送竖直载荷反馈信息和水平载荷反馈信息，...

本发明提供了一种静电卡盘系统和半导体加工设备。其中，静电卡盘系统包括：基座、控制模块、绝缘层、多个选通模块以及至少一个补偿电容；绝缘层设置在基座上，绝缘层中设置有射频馈入层和位于射频馈入层远离基座一侧的射频调节层，射频馈入层与射频调节层...

本申请实施例公开了一种真空机械手，涉及半导体工艺设备领域。该真空机械手用于半导体工艺设备转运待加工工件使用，包括吸附构件和第一检测构件，所述吸附构件为透明材质；所述吸附构件的一侧为用于承载所述待加工工件的承载面，所述承载面上具有基准区域...

本申请公开一种传片监测系统，传送通道与反应腔室的反应腔连通，用于供机械手承载待加工工件移入或移出反应腔室；机械手具有用于承载待加工工件的承载面，图像获取装置设于传送通道朝向承载面的一侧上，且图像获取装置用于获取机械手承载的待加工工件的当...

本申请实施例提供了检测晶圆放置状态的方法、半导体工艺设备，该方法包括：在将晶圆放置在托盘的凹槽中前，利用设置在工艺腔室观测窗处的图像传感器采集多个该凹槽的第一图像；基于第一图像，获取三个凹槽边缘像素点的坐标，并基于三个凹槽边缘像素点的坐...

本申请实施例提供了半导体工艺设备、检测工艺腔室中是否存在晶圆的方法，半导体工艺设备包括工艺腔室和传输腔室，工艺腔室和传输腔室之间设置有门阀，传输腔室中设置有传输装置，其特征在于，传输装置上设置有传感器，用于在门阀打开时，在传输装置的带动...

本发明提供一种加热装置及加热方法、半导体工艺设备，其中，加热装置用于对半导体工艺腔室进行加热，半导体工艺腔室包括多个加热区，加热装置包括：控制模块、输气模块、多个加热件、以及多个温度检测模块；每个温度检测模块均用于检测与其所对应的加热区...

本申请实施例提供了一种立式热处理设备。该立式热处理设备用于对待加工工件进行热处理工艺，包括：机箱、工艺腔室、加热腔室及检测组件，检测组件包括发射传感器，发射传感器设置于加热腔室的顶部，机箱内部的底面上相对发射传感器设置有第一反射部；工艺...

本申请实施例提供了晶圆放置状态检测方法、半导体工艺设备，该方法包括：基于预设目标温度，加热半导体工艺设备工艺腔室中的基座，以加热承载在基座的片槽中的晶圆；旋转基座，并通过工艺腔室的观测窗检测晶圆的表面温度；当检测到晶圆的表面温度低于预设...

本申请实施例提供了一种刻蚀方法、半导体刻蚀设备，该方法包括：在常规刻蚀出现中断时，基于常规刻蚀的总循环执行次数、常规刻蚀中断时的循环执行次数、中断出现的时间、常规刻蚀各工艺参数的初始值和最终值，计算用于补完常规刻蚀中断时的循环的各工艺参...