本实用新型提供一种用于半导体设备的进气装置及半导体设备，其中，进气装置包括至少一条用于向半导体设备的工艺腔室内输送稀释气体和反应气体的工艺气体管路，该进气装置还包括吹扫气体管路，吹扫气体管路与工艺腔室连通，用于向工艺腔室内输送吹扫气体。...

本实用新型提供一种用于外延工艺的反应腔室及外延设备，其中，用于外延工艺的反应腔室包括腔体及设置在腔体相对两侧的进气模块和排气模块，进气模块包括进气通道，排气模块包括排气通道，排气通道的进气口与进气通道的出气口相对设置，排气通道的出气口的...

本申请实施例提供了一种晶片传输装置。晶片传输装置包括传输本体、定位组件和驱动组件；传输本体的第一表面用于放置托盘，传输本体的第二表面用于连接定位组件，其中，第一表面和第二表面为传输本体相对的两个表面；定位组件包括多个定位点，驱动组件和定...

本实用新型提供一种半导体清洗设备的传输装置，该传输装置包括半导体清洗设备的传输装置，用于在清洗槽与容器货架之间传输可盛放待清洗件的容器，包括主体框架、机械臂、驱动源和动力传输机构，其特征在于，机械臂的两个端部分别与主体框架的左右两侧连接...

本发明实施例提供一种排气装置及化学气相沉积设备，排气装置应用于化学气相沉积设备，包括排气座体和排气管道，其中，排气座体包括套置的内层通道壁和外层通道壁，内层通道壁围出第一排气通道，内层通道壁与外层通道壁间隔形成第一保温腔；排气管道包括内...

本发明提供一种磁控溅射设备，包括工艺腔室、偏压电源组件和激励电源组件，工艺腔室中设置有基座组件和偏压导入组件，工艺腔室的顶部设置有靶材，其中，基座组件位于工艺腔室的底部，用于支撑晶片承载件，驱动晶片承载件移动，以及加热晶片承载件；偏压导...

本发明实施例提供一种金属氮化物薄膜沉积方法，应用于半导体设备的工艺腔室，包括以下步骤：S1、对衬底进行加热，以去除衬底上的杂质；S2、向工艺腔室中通入氮气，并开启偏压电源，激发氮气形成等离子体，以通过使等离子体轰击衬底的表面来去除残留的...

本发明一个或多个实施例公开了一种基于IAP平台的气路图实现方法及装置，用以解决现有的气路图实现方式难以对气路图进行及时变更的问题。包括：接收针对气路图的绘制请求，绘制请求中携带气路图对应的可编辑文件的文件标识信息；基于文件标识信息，读取...

本发明提供一种等离子体生成装置和半导体工艺设备。该装置包括：反应腔室，其具有进气口和出气口；反应腔室包括等离子体生成结构，等离子体生成结构包括：第一电极部和第二电极部，第一电极部中设置有第一输气通道，第二电极部中设置有第二输气通道，第一...

本发明公开了应用于真空腔室中的电连接件、静电卡盘和半导体设备，其中，真空腔室中设有相对的第一接线柱和第二接线柱，电连接件设置于第一接线柱和第二接线柱之间，该电连接件包括：第一导电部，与第一接线柱相对设置，能够接触或远离第一接线柱；第二导...

本发明公开了一种承载装置及工艺腔室，其中承载装置用于半导体工艺腔室，以承载待加工工件，该承载装置包括：承载主体，承载主体的上表面设有至少一个用于放置待加工工件的片槽，片槽的底壁的纵向切面为弧形，片槽的直径大于待加工工件的直径；至少三个挡...

本发明公开了一种机械手传片工位校准工具及校准方法，该工具包括：工具主体设有与晶片的边缘相匹配的弧形部；弧形部的两端设有第一测距传感器和第二测距传感器，第一测距传感器和第二测距传感器能够与基座上任意两个支撑针位于同一直线，第一测距传感器和...

本发明提供一种半导体清洗工艺的控制方法，应用于半导体清洗设备，该半导体清洗设备用于通过清洗液清洗硅片，该控制方法包括：获取硅片清洗数量；当硅片清洗数量达到清洗液中至少一种成分对应的清洗数量节点时，增加清洗液中对应成分的含量。在本发明提供...

本申请公开一种半导体工艺腔室，包括腔室主体和盖板，所述腔室主体具有内腔和设置于所述腔室主体的支撑面上的开口，所述开口与所述内腔连通，所述支撑面上设有装配孔，且所述装配孔的轴线垂直所述支撑面；所述盖板盖设于所述支撑面上，所述盖板朝向所述腔...

本发明提供一种半导体设备及其承载装置，承载装置的每个承载组件包括固定于工艺腔室的腔体的内腔的底壁上的承载主体和设置在承载主体的侧壁上的承载凸部，多个承载凸部承载待加工工件；测温组件设置于至少一个承载组件上；测温组件的转动件转动设置于承载...

本申请公开一种测温窗结构，用于半导体腔室，半导体腔室包括腔体，腔体上开设有开口，测温窗结构包括连接结构和测温窗，连接结构包括筒状支撑件，筒状支撑件的第一端用于与半导体腔室相连，筒状支撑件的第二端向着远离半导体腔室的方向延伸，测温窗密封设...

本申请实施例提供了一种半导体清洗设备。该半导体清洗设备包括：清洗槽和注液组件，其中，清洗槽用于容纳清洗液以对待清洗件进行清洗；注液组件包括设置于清洗槽底部的至少一个注液管，注液管与清洗液的供给源连接，注液管上均设置有沿注液管周向间隔设置...

本申请公开了一种射频传感器、匹配器、匹配参数确定方法和半导体设备，射频传感器用于采集射频系统的电流和电压信号，射频传感器包括电流信号采集模块和电压信号采集模块，其中，电流信号采集模块包括中心导体和至少两个耦合线圈，至少两个耦合线圈串联，...

本申请实施例提供了一种半导体热处理设备。该半导体热处理设备包括：炉体、发热件及引线装置，其中，所述发热件设置于所述炉体内，并且沿所述炉体的周向环绕设置于所述炉体的周壁内侧；所述引线装置设置于所述炉体上，包括固定组件、第一引线组件及第二引...

本发明公开了半导体工艺中腔室压力的控制方法，其中腔室通过控制阀与抽真空设备连接，方法包括：步骤1：读取工艺菜单中当前工艺步骤中控制阀的工作模式，并控制控制阀进入所读取的工作模式；步骤2：若所读取的工作模式为压力模式，判断下一工艺步骤中控...