【技术实现步骤摘要】
测温窗结构及半导体工艺设备
本申请涉及半导体
,尤其涉及一种测温窗结构及半导体工艺设备。
技术介绍
半导体工艺设备是对半导体结构件进行加工的常用设备,半导体工艺设备的种类很多,例如硅外延机台、SIC长晶炉等。半导体工艺设备的温度场对气相沉积、晶体的生产有着非常重要的作用,需要严格控制。为了较好地控制半导体工艺设备的温度场,相关技术中的半导体工艺设备通常配置有温度检测设备。考虑到半导体工艺设备的内部温度较高、密封要求严格等限制,内置式的温度检测设备较难适应半导体工艺设备。基于此,相关技术采用红外测温仪通过采集透过半导体工艺设备的测温窗的红外线,来检测半导体工艺设备内的待加工工件的温度,进而来达到较好地控制温度场的目的。由于红外测温仪的测温的精确度受制于测温窗的清洁程度,但是在半导体加工的过程中,半导体工艺设备的内腔中会有一些物质在高温环境中升华后凝结在测温窗处,进而容易导致测温窗的清洁程度较差,最终由于影响红外光的透过从而影响测温的准确性。
技术实现思路
本申请公开一种测温窗结构及半导体工艺设 ...
【技术保护点】
1.一种测温窗结构,用于半导体腔室(100),所述半导体腔室(100)包括腔体,所述腔体上开设有开口(120),其特征在于:/n所述测温窗结构包括连接结构和测温窗(300),所述连接结构包括筒状支撑件(200),所述筒状支撑件(200)的第一端用于与所述半导体腔室(100)相连,所述筒状支撑件(200)的第二端向着远离所述半导体腔室(100)的方向延伸,所述测温窗(300)密封设置在所述筒状支撑件(200)的第二端的端口上;/n所述筒状支撑件(200)内具有沿轴向贯通设置的筒腔(212),所述筒腔(212)分别与所述测温窗(300)和所述开口(120)密封对接,所述测温窗( ...
【技术特征摘要】
1.一种测温窗结构,用于半导体腔室(100),所述半导体腔室(100)包括腔体,所述腔体上开设有开口(120),其特征在于:
所述测温窗结构包括连接结构和测温窗(300),所述连接结构包括筒状支撑件(200),所述筒状支撑件(200)的第一端用于与所述半导体腔室(100)相连,所述筒状支撑件(200)的第二端向着远离所述半导体腔室(100)的方向延伸,所述测温窗(300)密封设置在所述筒状支撑件(200)的第二端的端口上;
所述筒状支撑件(200)内具有沿轴向贯通设置的筒腔(212),所述筒腔(212)分别与所述测温窗(300)和所述开口(120)密封对接,所述测温窗(300)用于和设置于所述半导体腔室(100)外部的红外测温仪(1200)配合,以测量所述半导体腔室(100)内部的待加工工件(1300)的温度。
2.根据权利要求1所述的测温窗结构,其特征在于,所述测温窗结构还包括套件(400),所述套件(400)环设在所述筒状支撑件(200)上,且所述套件(400)与所述筒状支撑件(200)之间形成冷却介质腔(500),所述套件(400)开设有冷却介质进口(400a)和冷却介质出口(400b),所述冷却介质进口(400a)和所述冷却介质出口(400b)均与所述冷却介质腔(500)连通。
3.根据权利要求2所述的测温窗结构,其特征在于,所述冷却介质腔(500)为围绕所述筒状支撑件(200)的环形结构腔。
4.根据权利要求2所述的测温窗结构,其特征在于,所述套件(400)包括沿其周向分布的第一部件(410)和第二部件(420),所述第一部件(410)与所述第二部件(420)相连,所述第二部件(420)与所述筒状支撑件(200)之间形成所述冷却介质腔(500),所述第一部件(410)内设有沿所述套件(400)轴向方向延伸的冷却介质通道(412),所述冷却介质进口(400a)位于所述第一部件(410)的外壁上,且所述冷却介质进口(400a)与所述冷却介质通道(412)连通,所述第一部件(410)朝向所述冷却介质腔(500)的一侧设有与所述冷却介质通道(412)连通的出口(4121),所述出口(4121)连通所述冷却介质腔(500)和所述冷却介质通道(412)。
5....
【专利技术属性】
技术研发人员:曲洋,
申请(专利权)人:北京北方华创微电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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