本发明实施例提供一种陶瓷件的孔清洁装置，其包括底座、固定组件、移动组件和清洁组件，其中，固定组件设置在底座上，用于固定陶瓷件；移动组件与清洁组件连接，且与底座可移动地连接，以能够带动清洁组件移入或移出固定在固定组件上的陶瓷件的待清洁孔；...

本发明公开一种半导体清洗设备及晶片清洗方法，半导体清洗设备包括清洗槽及设置于所述清洗槽中的换能器振板，所述换能器振板包括振板本体、多个振子组，每个所述振子组均包括至少一个振子，多个所述振子组均设置在所述振板本体上，且被设置为环绕所述清洗...

本申请公开一种图形化复合衬底的形成方法，包括：提供表面形成有第一材料层的基底，第一材料层表面形成有图形化的掩膜；对掩膜进行第一刻蚀，使得掩膜的侧壁与参考平面之间具有第一倾斜角，第一倾斜角大于目标倾斜角，且两者之差小于第一阈值；对第一材料...

本申请实施例提供了一种半导体清洗设备及其排气机构。该排气机构包括：排气套筒的周壁上设置有沿轴向排布的多个排气口，并且多个排气口分别与不同的排气管路连通；选择套筒嵌套于排气套筒内，选择套筒的周壁上设置有沿轴向排布的多个导通口，多个导通口与...

本发明公开一种半导体刻蚀设备和刻蚀方法，半导体刻蚀设备包括工艺腔室，所述工艺腔室的顶壁和/或侧壁上设置有激励线圈，所述工艺腔室内设置有磁控溅射组件，所述磁控溅射组件安装于所述工艺腔室的侧壁上，位于所述工艺腔室中用于承载晶片的承载件上方，...

本发明公开一种下电极组件及半导体设备，所述下电极组件包括绝缘卡盘、第一导电取样件、第二导电取样件和检测模块，其中，绝缘卡盘用于承载待加工工件；所述第一导电取样件设置于所述绝缘卡盘的上表面的中心；所述第二导电取样件设置于所述绝缘卡盘的上表...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其开盖机构。该开盖机构包括：枢转结构通过第一调节结构与升降装置连接，升降装置用于带动枢转结构升降；枢转结构通过第二调节结构与盖体的侧面连接，枢转结构用于使盖体相对升降装置旋转；第一调节结构用于调节盖...

本发明实施例提供一种半导体工艺设备中工艺腔室的进气组件、进气装置及半导体加工设备，该进气组件用于将工艺气体输送至与工艺腔室连通的进气管中，进气组件中沿进气方向依次设置有多个混气腔，任意相邻的两个混气腔互相连通，进气组件包括进气接头，该进...

本发明公开一种腔室及半导体制造设备，所公开的腔室包括腔室本体(100)；所述腔室本体(100)包括顶板(110)、底板(120)和两个侧板(130)，所述顶板(110)、所述底板(120)和两个所述侧板(130)围成反应空间(140)，...

本发明提供一种暖机控制方法、暖机控制系统和半导体处理设备，该暖机控制方法用于半导体处理设备中，该半导体处理设备包括用于进行半导体工艺的工艺腔室，暖机控制方法包括：获取工艺腔室的当前空闲时长；根据预先配置的暖机配方中的暖机时长与空闲时长的...

本发明实施例提供一种陶瓷烧结方法及采用该陶瓷烧结方法制成的陶瓷件，该陶瓷烧结方法包括：将陶瓷生胚放置于承烧板上；对所述陶瓷生胚进行升温阶段烧结，且升温阶段包括多个升温时段，至少一个升温时段包括升温子时段和第一调温子时段；第一调温子时段的...

本发明实施例提供一种陶瓷件及其制作方法，该陶瓷件制作方法包括以下步骤：S1、在陶瓷粉粒中加入胶黏剂，形成陶瓷生胚；S2、对陶瓷生胚进行加工，以获得所需形状和尺寸；S3、对陶瓷生胚的整个待处理表面进行刷扫处理，以去除待处理表面上存在的缺陷...

本发明实施例提供一种陶瓷件清洗方法，包括：化学清洗步骤，将陶瓷件浸泡在碱性溶液或酸性溶液中，并进行超声波清洗；中和步骤，将陶瓷件浸泡在酸性溶液或碱性溶液中；物理研磨步骤，对陶瓷件中的孔进行物理研磨；孔冲洗步骤，向孔内喷淋指定压力的水柱，...

本发明实施例提供了陶瓷件喷砂方法、陶瓷件及其制作方法，该陶瓷件喷砂方法包括循环执行以下步骤：S1、通过喷嘴向陶瓷件的待处理表面喷射喷砂材料，同时控制喷嘴与陶瓷件作相对运动，直至喷砂材料覆盖整个待处理表面；步骤S1的循环次数以及各次步骤S...

本发明提供一种偏移状态检测方法及偏移状态检测装置，其中，偏移状态检测方法用于检测晶片相对于工艺腔室内的承载部件的偏移状态，包括：在当前工艺结束后，基于传输部件将晶片从工艺腔室中传出；在传输部件将晶片传输至后续工艺腔室的过程中，基于后续工...

本发明公开一种半导体刻蚀设备和碳化硅晶片的刻蚀方法，半导体刻蚀设备包括工艺腔室，所述工艺腔室内设置有磁控溅射组件，所述磁控溅射组件安装于所述工艺腔室的侧壁上，位于所述工艺腔室中用于承载晶片的承载件上方，所述磁控溅射组件包括基座组件和遮挡...

本发明公开一种碳化硅晶片的刻蚀方法，其包括：传入步，将表面具有图形化掩膜的碳化硅晶片传入工艺腔室；刻蚀步，向所述工艺腔室中通入工艺气体，将所述工艺气体激发为等离子体，刻蚀所述碳化硅晶片，其中，所述工艺气体包括刻蚀气体和稀释气体，所述刻蚀...

本发明公开一种半导体设备，其包括工艺腔室、上电极组件、下电极和驱动件，所述下电极设置于所述工艺腔室内，所述上电极组件包括安装座、进气件和弹性连接件，所述安装座设有安装口，所述安装座设置于所述工艺腔室上；所述进气件设有进气孔，所述进气件活...

本发明提供一种控制电路、控制方法和半导体加工设备，该控制电路中，第二开关模块用于在第一电路和端第二电路均接通时，接通被控部件的供电电源端与启动控制端之间的第三电路；在第一电路和第二电路均断开时，断开第三电路；状态保持模块用于在第一电路断...

本发明一个或多个实施例公开了一种可变电容器及半导体工艺设备，用以解决现有的可变电容器难以快速、连续地调节电容值以及半导体工艺设备中的阻抗匹配效果差的问题。包括相互连接的电容体和电容控制模块；电容体包括相对设置的偏置电极片、相对设置的射频...