【技术实现步骤摘要】
腔室及半导体制造设备
本专利技术涉及半导体芯片制造
，尤其涉及一种腔室及半导体制造设备。
技术介绍
外延晶片是半导体晶片的表面上气相生长外延层而成的晶片。相关技术中，半导体制造设备的腔室通常为圆柱形结构，腔室内可以通过入CH4和SiH4等工艺气体，CH4和SiH4等工艺气体在腔室内发生反应，进而在晶片上生长碳化硅外延膜。工艺气体在腔室内反应时，碳化硅以及工艺气体的其他副产物，会附着在腔室的内壁上，因此操作人员需要定期对这些附着物进行清理。然而，由于腔室内部的空间较小，进而使得操作人员在清除腔室的附着物时操作不便，同时腔室通常为圆柱形结构，因此腔室的内壁为曲面，曲面上的附物清除难度较大，因此造成操作人员在清除腔室表面的附着物时难度较大。
技术实现思路
本专利技术公开一种腔室及半导体制造设备，以解决腔室表面的附着物清除难度较大的问题。为了解决上述问题，本专利技术采用下述技术方案：一种腔室，用于半导体制造设备，包括腔室本体；所述腔室本体包括顶板、底板和两个侧板，所述...
【技术保护点】
1.一种腔室，用于半导体制造设备，其特征在于，包括腔室本体(100)；所述腔室本体(100)包括顶板(110)、底板(120)和两个侧板(130)，所述顶板(110)、所述底板(120)和两个所述侧板(130)围成反应空间(140)，所述顶板(110)和所述底板(120)相对设置，两个所述侧板(130)相对设置，两个所述侧板(130)分别可拆卸地设置于所述顶板(110)和所述底板(120)之间。/n
【技术特征摘要】
1.一种腔室，用于半导体制造设备，其特征在于，包括腔室本体(100)；所述腔室本体(100)包括顶板(110)、底板(120)和两个侧板(130)，所述顶板(110)、所述底板(120)和两个所述侧板(130)围成反应空间(140)，所述顶板(110)和所述底板(120)相对设置，两个所述侧板(130)相对设置，两个所述侧板(130)分别可拆卸地设置于所述顶板(110)和所述底板(120)之间。
2.根据权利要求1所述的腔室，其特征在于，所述顶板(110)和/或所述底板(120)设置有第一定位凹槽(121)，所述侧板(130)的端部位于所述第一定位凹槽(121)内，并与所述第一定位凹槽(121)定位配合。
3.根据权利要求1所述的腔室，其特征在于，所述顶板(110)包括第一板体(112)和第二板体(113)，所述第一板体(112)和所述第二板体(113)相叠置，所述第一板体(112)与所述底板(120)相对设置，所述第一板体(112)、所述底板(120)和所述的两个侧板(130)围成反应空间(140)。
4.根据权利要求3所述的腔室，其特征在于，所述第一板体(112)朝向所述第二板体(113)的一侧开设有第二定位凹槽(1121)，所述第二板体(113)朝向所述第一板体(112)的一侧设置有定位凸起(1131)，所述定位凸起(1131)与所述第二定位凹槽(1121)定位配合。
5.根据权利要求3所述的腔室，其特征在于，还包括：加热器，所述第二板体(113)背离所述第一板体(112)的一面具有多个第一加热区域，多个所述第一加热区域间隔设置，所述底板背离所述第一板体(112)的一面具有多个第二加热区域，多个所述第二加热区域间隔设置，所述加热器包括多个第一加热器(210)和多个第二加热器(220)，多个所述第一加热器(210)一一对应设置于多个所述第一加热区域，多个所述第二加热器(220)一一对应设置于多个所述第二加热区域。
6.根据权利要求3所述的腔室，其特征在于，所述腔室还包括套设于所述腔室本体外侧的保温部(300)，所述保温部(300)包括第一侧壁(310)、第二侧壁(320)、第一端壁(330)和第二端壁(340)；
所述第一侧壁(310)和所述第二侧壁(320)相配合套设于所述腔室本体(100)的外侧面；
所述第一端壁(330)和所述第二端壁(340)相对设置于所述腔室本体(100)的进气端和排气端，且所述第一端壁(330)开设有进气口(301)，所述第二端壁(340)开设有出气口(302)。
7.根据权利要求6所述的腔室，其特征在于，所述第一侧壁(310)包括与所述第一板体(112)平行设置的第一基板(311)和与所述侧板(130)平行设置的第二基板(312)；所述第二侧壁(320)包括与所述底板(120)...
【专利技术属性】
技术研发人员：李晓军，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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