一种外延生长设备的反应室结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种外延生长设备的反应室结构，包括：石英管、感应加热装置、反应腔室组件、分气组件、抽气组件，所述石英管为两端设有开口的圆形筒体结构，所述石英管的上部中间位置垂直设有第一圆筒，所述感应加热装置活动设置在所述石英管的外部，两个所述反应腔室组件活动设置所述石英管的内部，所述分气组件活动设置在所述石英管内并与所述第一圆筒活动连接，两个所述抽气组件分别设置在所述石英管的两端。本实用新型专利技术通过增加分机组件，改进了反应腔体结构，完成了两台设备的产能，极大的降低了成本，节省了大部分洁净室空间，控制保护气体与反应气体的流量，减少反应气体从反应室内流出的速率，提高了气体利用率。

【技术实现步骤摘要】
一种外延生长设备的反应室结构
本技术涉及化学气相沉积
，特别涉及一种外延生长设备的反应室结构。
技术介绍
目前随着技术的发展，化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，简称为CVD)技术已经得到越来越多的应用。碳化硅(SiC)材料是继第一代半导体材料硅(Si)和第二代半导体(砷化镓GaAs)后的第三代宽禁带半导体材料。碳化硅晶体结构具有同质多型的特点，其基本结构是Si-C的四面体结构，属于密堆积结构。其性能具有更高的禁带宽度、高临界击穿电场、高导热率、高载流子饱和漂移速度等优越的性能，在半导体照明、电力电子器件、激光器、探测器等领域应用中蕴含着巨大的前景。目前，在碳化硅材料的制作工艺上，存在非常多的难点，生长高质量的外延片更是对设备及工艺要求的一种挑战，设备的温场均匀性，反应室内的压力控制，及气体的流量等主要参数，对碳化硅的生长质量起决定性作用。由于这几种参数的控制较为困难，碳化硅外延片的成品良率并不理想。在当前的技术水平下无法进一步的提高良率，并切每次工艺时间较长，因此，需要在当前工艺条件的前提下进一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种外延生长设备的反应室结构，其特征在于，包括：/n石英管，所述石英管为两端设有开口的圆形筒体结构，所述石英管的上部中间位置垂直设有第一圆筒，所述第一圆筒与所述石英管贯穿连接；/n感应加热装置，所述感应加热装置活动设置在所述石英管的外部；/n反应腔室组件，所述反应腔室组件为两个，两个所述反应腔室组件活动设置所述石英管的内部，两个所述反应腔室组件对称设置在所述第一圆筒的两侧；/n分气组件，所述分气组件活动设置在所述石英管内并与所述第一圆筒活动连接；/n抽气组件，所述抽气组件为两个，两个所述抽气组件分别设置在所述石英管的两端，两个所述抽气组件分别与所述反应腔室组件活动连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种外延生长设备的反应室结构，其特征在于，包括：
石英管，所述石英管为两端设有开口的圆形筒体结构，所述石英管的上部中间位置垂直设有第一圆筒，所述第一圆筒与所述石英管贯穿连接；
感应加热装置，所述感应加热装置活动设置在所述石英管的外部；
反应腔室组件，所述反应腔室组件为两个，两个所述反应腔室组件活动设置所述石英管的内部，两个所述反应腔室组件对称设置在所述第一圆筒的两侧；
分气组件，所述分气组件活动设置在所述石英管内并与所述第一圆筒活动连接；
抽气组件，所述抽气组件为两个，两个所述抽气组件分别设置在所述石英管的两端，两个所述抽气组件分别与所述反应腔室组件活动连接。


2.根据权利要求1所述的一种外延生长设备的反应室结构，其特征在于，所述抽气组件包括端板及与所述端板连接的气管，所述端板半嵌入设置在所述石英管的端部，所述端板与所述石英管相匹配，所述端板上设有传片通道孔、第一进气孔、第二进气孔，所述第一进气孔、第二进气孔分别位于在所述传片通道孔的上部和下部，所述第一进气孔、第二进气孔分别与所述气管贯穿连接。


3.根据权利要求2所述的一种外延生长设备的反应室结构，其特征在于，所述传片通道孔为矩形孔，所述传片通道孔水平贯穿所述端板设置。


4.根据权利要求3所述的一种外延生长设备的反应室结构，其特征在于，所述分气组件为截面是工字形的结构体，所述分气组件包括第一分气板、连接板、第二分气板，所述连接板垂直设置在所述第一分气板、第二分气板的中部。


5.根据权利要求4所述的一种外延生长设备的反应室结构，其特征在于，所述第一分气板为圆形阶梯状，所述第一分气板与所述第一圆筒相匹配，所述第一分气板的中部设有多个第一气孔，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘子优，肖蕴章，陈炳安，钟国仿，张灿，张新河，
申请(专利权)人：深圳市纳设智能装备有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44