【技术实现步骤摘要】
气相沉积腔室
本申请涉及半导体器件制造领域，特别涉及一种气相沉积腔室。
技术介绍
气相沉积是将工艺气体输送到反应腔，通过工艺气体发生物理或化学变化而在衬底(例如，硅片)上沉积原子，进而在衬底上外延生长出单晶层。在硅外延生长期间，对反应腔的洁净度要求极高，因此将每片硅片送入腔室前，都要对反应腔进行清洁(例如，进行蚀刻)，以使得反应腔处于良好的洁净状态。因此，反应腔的清洁的便捷性就变得尤为重要。在现有技术中(如图2所示)，硅片承载在反应基座1001上，反应基座1001将反应腔1000分隔成上下两个空间1002、1003，其中硅片处于反应基座的上方空间1002内。上下两个空间1002、1003通过反应基座1000与反应腔的侧壁之间的间隙1004相互连通。在进行气相沉积，工艺气体主要进入上方空间1002，但仍有小部分会经上述间隙进入下方空间1003，这对下方空间造成污染。在进行蚀刻清洁时，蚀刻气体仍沿工艺气体的进气路径供气，使得蚀刻气体难以进入下方空间，这使得只有彻底拆开反应腔才能对下方空间进行清洁，这极大地影响了机...
【技术保护点】
1.一种气相沉积腔室，其特征在于，包括上外壁、反应基座、支撑环、下外壁、第一导流环，其中：/n所述支撑环设置在所述上外壁和下外壁之间且与所述上外壁和下外壁连接，所述第一导流环和所述反应基座依次设置在所述支撑环的内侧，且所述第一导流环承载在所述下外壁上，所述下外壁、所述第一导流环和所述反应基座形成第一子腔，在所述上外壁和所述反应基座之间形成第二子腔；/n所述第一导流环上构造有径向贯穿的进气通孔和偏离所述进气通孔的径向非贯穿的进气切槽，所述进气通孔与所述第一子腔连通以向所述第一子腔的内部引入清洗气体，所述进气切槽与所述第二子腔连通以向所述第二子腔的内部引入工艺气体。/n
【技术特征摘要】
1.一种气相沉积腔室，其特征在于，包括上外壁、反应基座、支撑环、下外壁、第一导流环，其中：
所述支撑环设置在所述上外壁和下外壁之间且与所述上外壁和下外壁连接，所述第一导流环和所述反应基座依次设置在所述支撑环的内侧，且所述第一导流环承载在所述下外壁上，所述下外壁、所述第一导流环和所述反应基座形成第一子腔，在所述上外壁和所述反应基座之间形成第二子腔；
所述第一导流环上构造有径向贯穿的进气通孔和偏离所述进气通孔的径向非贯穿的进气切槽，所述进气通孔与所述第一子腔连通以向所述第一子腔的内部引入清洗气体，所述进气切槽与所述第二子腔连通以向所述第二子腔的内部引入工艺气体。
2.根据权利要求1所述的气相沉积腔室，其特征在于，在所述第二子腔内设置有第二导流环，所述第二导流环的径向尺寸大于或等于所述第一导流环的径向尺寸并且间隔到设置在所述第一导流环的上方，在所述进气切槽和第二导流环之间的间隙形成所述第二子腔的进气通道。
3.根据权利要求2所述的气相沉积腔室，其特征在于，所述第一导流环构造有进气区，所述进气通孔和进气切槽构造在所述进气区中，所述进气切槽和所述进气通孔的数量均为多个，并且相间分布。
4.根据权利要求3所述的气相沉积腔室，其特征在于，所述进气区包括分开的第一进气区和第二进气区，所述第一进气区与第二进气区处于所述第一导流环的直径的同侧，
所述进气切槽构造在所述第一进气区中，所述进气通孔构造在所述第二进气区中。
...
【专利技术属性】
技术研发人员：周志文，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。