【技术实现步骤摘要】
碳化硅外延生长反应室的顶盖结构
本专利技术涉及外延生长设备
，特别涉及碳化硅外延生长反应室的顶盖结构。
技术介绍
由于碳化硅本身具有大禁带宽度、优良的稳定性、高热导率、高临界击穿场强、高饱和电子漂移速度等优良特性，所以碳化硅成为制作高温、大功率、高频和强辐射电力电子器件的理想半导体材料。与传统的硅器件相比，碳化硅器件能够在10倍于硅器件的电场强度下正常工作。而用于制作碳化硅器件的碳化硅材料通常是生长在碳化硅衬底上的碳化硅外延片。目前碳化硅外延生长已经实现了商业化，用于外延生长碳化硅的设备中，反应室顶盖为设备中重要的一个部件，在外延生长反应室设计中起到了很大的作用，它能调节反应室内部温度场分布，改善外延生长条件，是外延生长反应室重要的组成部分。传统外延反应室顶盖为平面状，无法起到支撑作用。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种碳化硅外延生长反应室的顶盖结构。实现上述目的而采取的技术方案如下：一种碳化硅外延生长反应室的顶盖结构，包括顶盖本体和内顶盖，所述内顶盖包括外圈和内圈，所述外圈固定在所述顶盖本体上表面，所述内圈悬空设于所述顶盖本体上方，所述外圈和内圈之间通过支撑部连接。优选地，所述内圈为圆柱状，圆柱状所述内圈中心为第一贯穿孔。优选地，所述支撑部包括多个支撑杆，多个所述支撑杆一端与所述内圈的外侧固定，另一端与所述外圈的内侧固定。优选地，多个所述支撑杆之间形成有第二贯穿孔。优选地，所述支撑杆设有五个，五个...
【技术保护点】
1.一种碳化硅外延生长反应室的顶盖结构，包括顶盖本体和内顶盖，其特征在于，所述内顶盖包括外圈和内圈，所述外圈固定在所述顶盖本体上表面，所述内圈悬空设于所述顶盖本体上方，所述外圈和内圈之间通过支撑部连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅外延生长反应室的顶盖结构，包括顶盖本体和内顶盖，其特征在于，所述内顶盖包括外圈和内圈，所述外圈固定在所述顶盖本体上表面，所述内圈悬空设于所述顶盖本体上方，所述外圈和内圈之间通过支撑部连接。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅外延生长反应室的顶盖结构，其特征在于，所述内圈为圆柱状，圆柱状所述内圈中心为第一贯穿孔。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅外延生长反...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯淦，赵建辉，
申请(专利权)人：瀚天天成电子科技厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35
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