反应腔室制造技术

本发明专利技术公开一种反应腔室，包括：腔体，腔体与上盖通过绝缘部相连，且腔体与上盖形成内腔，上盖开设有与内腔连通的通孔；进气机构包括第一绝缘块、第二绝缘块、进气管和法兰盘，进气管的一端与法兰盘相连，第一绝缘块的至少部分处于通孔，且第一绝缘块背离内腔的一侧开设有容纳空间，第二绝缘块设置于容纳空间，法兰盘设置于容纳空间的开口，第二绝缘块开设有第二进气孔，进气管与第二进气孔连通，第一绝缘块开设有第一进气孔，第一进气孔的一端与第二进气孔连通，第一进气孔的另一端与内腔连通，在通孔的轴线方向上，第一进气孔的投影处于第二进气孔的投影之外。本方案解决现有的反应腔室内部容易发生意外打火的问题。

reaction chamber

【技术实现步骤摘要】
反应腔室
本专利技术涉及半导体设备
，尤其涉及一种反应腔室。
技术介绍
半导体设备
中，MOVCD(Metal-organicChemicalVaporDeposition，金属有机化合物化学气相淀积)是在气相外延生长的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。它以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种III-V族、II-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常情况下，腔室中具有两块相距一定距离且相互平行的平板电极，其中一块平板电极接射频，另一块平板电极接地。在生成所需要的材料后，工艺气体经过匀流室匀流后进入两块平板电极之间，工艺气体在射频电场的作用下激发成为等离子体，等离子体和衬底表面通过MOCVD生成的材料发生反应，从而降低衬底表面膜层的电阻率。在具体的应用过程中，由于不同材料所需要的膜层电阻率不同，进而要求需要调整不同的射频功率来进行反应。但是，在提高射频功率后，经常因为射频电极与金属进气口之间发生意外放电，从而容易发生打火现象，进而影响衬底表面材料的电阻率的均匀性。
技术实现思路
本专利技术公开一种反应腔室，以解决现有的反应腔室内部容易发生意外打火的问题。为了解决上述问题，本专利技术采用下述技术方案：一种反应腔室，包括：腔体，所述腔体接地；上盖，所述上盖设置有电极，所述腔体与所述上盖通过绝缘部相连，且所述腔体与所述上盖形成内腔，所述上盖开设有与所述内腔连通的通孔；进气机构，所述进气机构包括第一绝缘块、第二绝缘块、进气管和法兰盘，所述进气管的一端与所述法兰盘相连，所述第一绝缘块的至少部分处于所述通孔，且所述第一绝缘块背离所述内腔的一侧开设有容纳空间，所述第二绝缘块设置于所述容纳空间，所述法兰盘设置于所述容纳空间的开口，所述第二绝缘块开设有第二进气孔，所述进气管与所述第二进气孔连通，所述第一绝缘块开设有第一进气孔，所述第一进气孔的一端与所述第二进气孔连通，所述第一进气孔的另一端与所述内腔连通，在所述通孔的轴线方向上，所述第一进气孔的投影处于所述第二进气孔的投影之外。本专利技术采用的技术方案能够达到以下有益效果：本专利技术实施例公开的反应腔室中，由于在通孔的轴线方向上，第一进气孔的投影处于第二进气孔的投影之外，以使法兰盘与上盖之间通过两个相错开的气孔相连通，此种情况下，当上盖通过电极通电时，由于接地的法兰盘与上盖以及上盖中的带电部件之间通过两个相错开的气孔连通，以使接地的法兰盘与上盖以及上盖中的带电部件之间较难形成射频电场，从而较难产生意外放电现象，进而能够防止产生打火现象，最终能够保证所生成材料的均匀性和稳定性。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1为本专利技术实施例公开的反应腔室的剖视图；图2为本专利技术实施例公开的反应腔室中的进气机构的局部剖视图；图3为本专利技术实施例公开的反应腔室中的进气机构在另一视角下的结构示意图；图4为本专利技术实施例公开的反应腔室中的第一绝缘块的局部剖视图；图5为本专利技术实施例公开的反应腔室中的第一绝缘块在另一视角下的结构示意图；图6为本专利技术实施例公开的反应腔室中的第二绝缘块的局部剖视图；图7为本专利技术实施例公开的反应腔室中的第二绝缘块在另一视角下的结构示意图；附图标记说明：100-腔体、110-内腔、120-加热器；200-上盖、210-通孔、220-匀流板、230-喷洒器；300-电极；400-绝缘部；510-第一绝缘块、511-容纳空间、512-第一进气孔、513-绝缘主体、514-限位部、520-第二绝缘块、521-第二进气孔、522-第一凹槽、530-进气管、540-法兰盘、541-第二凹槽、550-定位块。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术具体实施例及相应的附图对本专利技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。以下结合附图，详细说明本专利技术各个实施例公开的技术方案。如图1～图7所示，本专利技术实施例公开一种反应腔室，所公开的反应腔室可以为MOCVD(Metal-organicChemicalVaporDeposition，金属有机化合物化学气相淀积)工艺腔室，所公开的反应腔室包括腔体100、上盖200和进气机构。腔体100具有第一空腔，请参考图1，第一空腔中设置有加热器120，在进行化学气相沉淀的过程中，III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在加热器120上进行气相外延，生长各种III-V族、II-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料，同时，为了降低材料的电阻率，腔体100需要做接地处理，以使加热器120接地。上盖200具有第二空腔，请再次参考图1，第二空腔中设置有匀流板220和喷洒器(showerhead)230，匀流板220与喷洒器230相对设置，腔体100与上盖200通过绝缘部400相连，在腔体100与上盖200相连的情况下，腔体100与上盖200形成内腔110，即第一空腔与第二空腔构成内腔110，同时，在此情况下，喷洒器230与加热器120相对设置，在进行工艺时，反应气体首先流入到第二空腔中，经匀流板220将反应气体进行匀流，以使从匀流板220中流出的反应气体较均匀，进一步地，反应气体流入到喷洒器230上，通过喷洒器230将反应气体喷洒到加热器120上进行气相外延反应，进而生成所需要的材料。上盖200设置有电极300，从而使得喷洒器230带电，带电的喷洒器230与接地的加热器120之间形成射频电场，以降低所生成材料的电阻率。相应地，上盖200开设有与内腔110连通的通孔210，进气机构的至少部分设置于通孔210，具体的，进气机构包括第一绝缘块510、第二绝缘块520、进气管530和法兰盘540，进气管530的一端与法兰盘540相连，法兰盘540能够便于进气管530与进气机构的其他构件相连通，进气管530的另一端可以连通装有反应气体的容器。本专利技术实施例中，第一绝缘块510的至少部分处于通孔210，且第一绝缘块510背离内腔110的一侧开设有容纳空间511，第二绝缘块520设置于容纳空间511，法兰盘540设置于容纳空间511的开口，即法兰盘540封堵于容纳空间511的开口，第二绝缘块520开设有第二进气孔521，进气管530与第二进气孔521连通，可选地，进气管530与第二进气孔521之间可以具有安装空间，进气管530与第二进气孔521可以通过安本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反应腔室，其特征在于，包括：/n腔体(100)，所述腔体(100)接地；/n上盖(200)，所述上盖(200)设置有电极(300)，所述腔体(100)与所述上盖(200)通过绝缘部(400)相连，且所述腔体(100)与所述上盖(200)形成内腔(110)，所述上盖(200)开设有与所述内腔(110)连通的通孔(210)；/n进气机构，所述进气机构包括第一绝缘块(510)、第二绝缘块(520)、进气管(530)和法兰盘(540)，所述进气管(530)的一端与所述法兰盘(540)相连，所述第一绝缘块(510)的至少部分处于所述通孔(210)，且所述第一绝缘块(510)背离所述内腔(110)的一侧开设有容纳空间(511)，所述第二绝缘块(520)设置于所述容纳空间(511)，所述法兰盘(540)设置于所述容纳空间(511)的开口，所述第二绝缘块(520)开设有第二进气孔(521)，所述进气管(530)与所述第二进气孔(521)连通，所述第一绝缘块(510)开设有第一进气孔(512)，所述第一进气孔(512)的一端与所述第二进气孔(521)连通，所述第一进气孔(512)的另一端与所述内腔(110)连通，在所述通孔(210)的轴线方向上，所述第一进气孔(512)的投影处于所述第二进气孔(521)的投影之外。/n...

【技术特征摘要】
1.一种反应腔室，其特征在于，包括：
腔体(100)，所述腔体(100)接地；
上盖(200)，所述上盖(200)设置有电极(300)，所述腔体(100)与所述上盖(200)通过绝缘部(400)相连，且所述腔体(100)与所述上盖(200)形成内腔(110)，所述上盖(200)开设有与所述内腔(110)连通的通孔(210)；
进气机构，所述进气机构包括第一绝缘块(510)、第二绝缘块(520)、进气管(530)和法兰盘(540)，所述进气管(530)的一端与所述法兰盘(540)相连，所述第一绝缘块(510)的至少部分处于所述通孔(210)，且所述第一绝缘块(510)背离所述内腔(110)的一侧开设有容纳空间(511)，所述第二绝缘块(520)设置于所述容纳空间(511)，所述法兰盘(540)设置于所述容纳空间(511)的开口，所述第二绝缘块(520)开设有第二进气孔(521)，所述进气管(530)与所述第二进气孔(521)连通，所述第一绝缘块(510)开设有第一进气孔(512)，所述第一进气孔(512)的一端与所述第二进气孔(521)连通，所述第一进气孔(512)的另一端与所述内腔(110)连通，在所述通孔(210)的轴线方向上，所述第一进气孔(512)的投影处于所述第二进气孔(521)的投影之外。


2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述第二绝缘块(520)的外侧表面开设有进气槽，所述进气槽与所述容纳空间(511)的内壁形成所述第二进气孔(521)。


3.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述第二绝缘块(520)朝向所述内腔(...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐刚，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11