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本申请公开了一种气相沉积腔室，包括：上外壁、反应基座、支撑环、下外壁、第一导流环，支撑环设置在所述上外壁和下外壁之间且与上外壁和下外壁连接，第一导流环和反应基座依次设置在所述支撑环的内侧，且第一导流环承载在下外壁，下外壁、第一导流环和反应基...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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