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本发明公开一种腔室及半导体制造设备，所公开的腔室包括腔室本体(100)；所述腔室本体(100)包括顶板(110)、底板(120)和两个侧板(130)，所述顶板(110)、所述底板(120)和两个所述侧板(130)围成反应空间(140)，所述...
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