本发明实施例提供了一种外延设备监测方法和装置，所述方法包括：确定所述外延设备的当前工作状态；若所述当前工作状态为预设工作状态，则获取在所述当前工作状态下的所述加热元件的实际功率信息；根据所述实际功率信息判断所述反射屏是否损坏。根据本发明...

本发明提供一种半导体工艺设备的上电极电源功率调节方法，包括：获取基准工艺腔室和当前工艺腔室进行半导体工艺步骤时对应的上电极电源的工艺负载；根据当前工艺腔室对应的工艺负载和基准工艺腔室对应的工艺负载，确定当前工艺腔室进行对应半导体工艺步骤...

本发明提供了一种扫频电源及其输出功率的控制方法、半导体工艺设备，扫频电源用于输出频率可调的射频信号，其中，扫频电源的控制方法包括：获取扫频电源的输出频率的设定值以及扫频电源的控制电压的设定值，控制电压用于控制扫频电源的输出功率；确定与控...

本发明提供一种静电卡盘的温度控制方法和温度控制系统，其中，静电卡盘用于承载晶圆，静电卡盘的温度控制方法包括：获取静电卡盘的实际承载温度以及用于对静电卡盘进行加热的加热部件的实际加热温度；根据静电卡盘的预设承载温度和实际承载温度，计算加热...

本申请提供一种半导体设备及外点火装置的温度控制系统和温度控制方法，半导体设备中外点火装置的温度控制系统，包括温度控制器、温控执行器及温度传感器，其中：温度传感器用于检测外点火装置的实际温度，并将实际温度发送至温度控制器；温度控制器用于获...

本申请公开一种半导体设备，包括：腔体，所述腔体的顶部设置有第一测温窗；红外测温传感器，位于所述腔体外，所述红外测温传感器的测温端朝向所述第一测温窗；测温转盘，位于所述腔体内且与所述腔体顶部固定设置，且所述测温转盘具有至少两个第二测温窗；...

本发明实施例提供一种等离子体增强原子层沉积设备及方法，该设备包括：前驱体供应装置，与两个工艺腔室的进气结构连通，用于选择性地向两个工艺腔室中的至少一个工艺腔室提供前驱体或吹扫气体；反应气体供应装置，与两个工艺腔室的进气结构连通，用于选择...

本发明提供一种半导体热处理设备中机械手的归位方法及半导体热处理设备。该方法包括以下步骤：S1，根据机械手的当前位置信息和预先定义的各个工位的危险区域，判断机械手是否位于任一工位的危险区域中；若是，则进行步骤S2；若否，则进行步骤S3；S...

本发明提供一种可燃气体处理装置，用于对工艺腔室排放的工艺废气中的可燃气体进行处理，可燃气体处理装置包括燃烧腔室和吸收存储腔室，其中，燃烧腔室用于连通工艺腔室和吸收存储腔室；燃烧腔室内设有高温燃烧组件，高温燃烧组件用于使排放至燃烧腔室中的...

本发明提供一种半导体工艺设备及其清洗装置。该清洗装置用于对半导体工艺设备的工艺部件进行清洗，包括：工艺槽、滚动机构及伸缩机构；工艺槽用于承载清洗液以清洗工艺部件；滚动机构设置于工艺槽内，滚动机构包括并列设置的两个滚轮结构，两个滚轮结构均...

本发明提供一种半导体工艺的控制方法，应用于半导体工艺设备的进气组件，该控制方法包括：接收进气工艺配方，进气工艺配方包括半导体工艺步骤对应的至少一个进气控制量对应的预设工艺参数变化量，进气控制量包括向工艺腔室提供工艺气体的流量和工艺腔室内...

本申请公开了一种氧化硅纤维的制备方法和氧化硅纤维，该氧化硅纤维的制备方法，包括以下步骤：在硅片的表面生长形成氧化硅层；在所述氧化硅层的表面形成图形化的掩膜层；对形成有所述氧化硅层和所述图形化的掩膜层的硅片进行等离子体刻蚀工艺，得到所述氧...

本申请公开了一种半导体腔室，包括：腔体、进气部和匀流部，进气部通过匀流部与腔体连通，匀流部能够使工艺气体减速通过匀流部，以使工艺气体能够在匀流部内混流，匀流部具有出气端，腔体具有进气端，出气端与进气端连接，匀流部的宽度与腔体的宽度相对应...

本申请公开了一种封闭式片盒，涉及半导体制造领域。该封闭式片盒包括顶板、底板和连接于顶板与底板之间的多个立柱，所述立柱上设有多个槽位；所述封闭式片盒还包括活动门和侧板，所述活动门和所述侧板分别围设在多个所述立柱的外侧，所述活动门、所述侧板...

本发明公开一种水平度测量装置和水平度调节方法，水平度测量装置用于测量位于半导体设备中的被测物体和基准物体之间的水平度，被测物体和基准物体均设置于由透明罩和反应腔体围成的反应腔室内，水平度测量装置包括安装件、连接件和测距传感器，安装件能够...

本发明提供了一种装卸腔室，包括：腔体结构、门板机构以及翻转机构；腔体结构相对两侧分别开设有装卸口及传片口，用于向半导体工艺设备传送晶圆；腔体结构外侧底部设置有安装板；门板本体的一端枢接于安装板上；定位结构设置于门板本体的另一端，用于承载...

本申请实施例公开了一种刻蚀工艺方法及装置，用以解决现有的刻蚀工艺导致顶部扇贝尺寸过大、且各分段刻蚀工艺之间难以平滑过渡的问题。所述方法包括：获取刻蚀工艺对应的第一刻蚀参数信息，以及对刻蚀工艺进行分段执行的分段参数信息；根据第一刻蚀参数信...

本申请公开一种点火装置和半导体设备，所述点火装置，包括：点火腔室；第一进气管，具有第一出气口，与所述点火腔室连通，用于向点火腔室内通入第一气体；第二进气管，具有第二出气口，与所述点火腔室连通，用于向所述点火腔室内通入第二气体，所述第一出...

本发明提供一种晶圆转移装置，包括运动机构、多组固定定位件和多组活动定位件，多组固定定位件和多组活动定位件均与运动机构连接且沿高度方向间隔设置，多组活动定位件的高度与多组固定定位件的高度一一对应；运动机构用于驱动每组活动定位件向远离对应的...

本发明提供一种晶圆转移装置，用于在半导体工艺设备的第一工位与第二工位之间转移晶圆，包括驱动模组、第一载片架和第二载片架，驱动模组用于驱动第一载片架将位于第一工位的工艺前晶圆转移至第二工位，并驱动第二载片架将位于第二工位的工艺后晶圆转移至...