【技术实现步骤摘要】
封闭式片盒
[0001]本申请属于半导体制造
,具体涉及一种封闭式片盒。
技术介绍
[0002]AlN磁控溅射设备是一种广泛应用于LED领域的薄膜制备设备,其使用物理气象沉积法(PVD)在晶圆(衬底)表面沉积一层AlN薄膜。相关技术中的AlN磁控溅射设备主要包括洁净工作台、装载腔、传输腔、工艺腔和冷却腔。工艺托盘传输的具体流程为:操作人员将洁净工作台以SiC(碳化硅)托盘作为载体进行晶圆装载,之后进入装载腔(大气和真空交互),腔室抽至真空状态,托盘进入传输腔(腔室为真空状态),通过机械手将托盘传入工艺腔进行工艺,工艺完成后进入冷却腔进行冷却,之后再传回装载腔,充氮气至大气状态后进行取片操作。由于装载腔与外界交互会引入尘埃,尘埃会影响后续芯片电性能和良率。
[0003]为了将推盘传入传输腔,相关技术中采用片盒搬运片盒,具体为:通过导片机或操作人员将载有晶圆的SiC托盘装入片盒的槽位中,然后将片盒搬运至装载腔进行AlN工艺。
[0004]然而,上述片盒无法将晶圆与大气隔绝,导致晶圆表面在装载和搬运过程中不可避免地被大气环境中的尘埃污染,从而增加AlN工艺过程中颗粒的数量,与此同时,装载腔在装载或卸载片盒时,由于充气会引入尘埃,污染晶圆表面,从而增加晶圆表面颗粒的数量。
技术实现思路
[0005]本申请实施例的目的是提供一种封闭式片盒,能够解决常规片盒无法隔绝晶圆与外界环境,从而导致晶圆表面受到污染而增加AlN工艺过程中晶圆表面颗粒数量的问题。
[0006]为了解决上述技术问题 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种封闭式片盒,其特征在于,包括:顶板(100)、底板(200)和连接于顶板(100)与底板(200)之间的多个立柱(300),所述立柱(300)设有多个槽位(310);所述封闭式片盒还包括活动门(400)和侧板(500),所述活动门(400)和所述侧板(500)分别围设在多个所述立柱(300)的外侧,所述活动门(400)、所述侧板(500)、所述顶板(100)和所述底板(200)共同围成容纳空间,所述活动门(400)的顶部与所述顶板(100)活动连接,所述活动门(400)的底部与所述底板(200)活动连接,所述活动门(400)能够开启或关闭所述容纳空间。2.根据权利要求1所述的封闭式片盒,其特征在于,所述侧板(500)包括分别设置于所述活动门(400)左右两侧的左护板(510)和右护板(520),以及与所述活动门(400)相对设置的后护板(530),所述左护板(510)、所述右护板(520)及所述后护板(530)各自与所述顶板(100)和所述底板(200)中的至少一者连接。3.根据权利要求1所述的封闭式片盒,其特征在于,所述活动门(400)的顶部通过一连杆组件(600)与所述顶板(100)活动连接,所述活动门(400)的底部通过另一所述连杆组件(600)与所述底板(200)活动连接;所述连杆组件(600)包括第一连杆(610)和第二连杆(620),所述第一连杆(610)的第一端与所述活动门(400)转动连接,所述第一连杆(610)的第二端与所述顶板(100)或所述底板(200)转动连接,所述第二连杆(620)的第一端与所述活动门(400)转动连接,所述第二连杆(620)的第二端与所述顶板(100)或所述底板(200)转动连接,所述活动门(400)通过所述连杆组件(600)能够绕所述顶板(100)和所述底板(200)运动,以开启或关闭所述容纳空间。4.根据权利要求3所述的封闭式片盒,其特征在于,所述第一连杆(610)和/或所述第二连杆(620)上设有锁紧件(630),所述顶板(100)和/或所述底板(200)上设有限位部(110),在所述活动门(400)开启时,所述锁紧件(630)与所述限位部(110)相配合对所述活动门(400)进行限位。5.根据权利要求3所述的封闭式片盒,其特征在于,所述活动门(400)包括左右对称设置的左门(410)和右门(420),所述左门(410)通过两组所述连杆组件(600)与所述顶板(100)和所述底板(200)分别活动连接,所述右门(420)通过两组所述连杆组件(600)与所述顶板(100)和所述底板(200)分别活动连接,所述左门(410)和所述右门(420)能够分别绕所述顶板(100)和所述底板(200)相向运动或相背运动。6.根据权利要求5所述的封闭式片盒,其特征在于,所述左门(410)和所述右门(420)中的一者上设有磁性件(411),另一者上设有导磁材质的吸附板(421),在所述活动门(400)关闭时,所述左门(41...
【专利技术属性】
技术研发人员:任西鹏,李冬冬,
申请(专利权)人:北京北方华创微电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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