本发明实施例提供一种陶瓷件清洗方法，包括：第一清洗过程，采用化学溶液溶解陶瓷件上的颗粒；第二清洗过程，采用指定酸性溶液软化腐蚀陶瓷件上的颗粒以及消弭陶瓷件上的损伤层；第三清洗过程，采用超声波清洗的方式清洗陶瓷件，以去除陶瓷件上残留的颗粒...

本申请公开一种半导体腔室，包括腔室主体(100)和磁场调节机构(200)，磁场调节机构(200)包括支架(210)和多个磁性件(220)，其中：支架(210)设于腔室主体(100)之外，多个磁性件(220)活动地设于支架(210)上，多...

本发明提供一种半导体工艺设备的工艺腔室及半导体工艺设备，其中，工艺腔室中设置有用于承载晶圆的承载部件，承载部件上设置有挡环组件，挡环组件与承载部件配合形成能够将气体导流至晶圆的边缘的吹扫气道，挡环组件包括第一环体、第二环体和缓冲部件，第...

本发明提供了一种射频电源及其阻抗匹配方法、半导体工艺设备，涉及半导体加工技术领域。其中，射频电源包括：输出模块，用于生成射频信号；采集模块，用于采集所述射频信号的反射功率和前向功率；控制模块，用于根据所述射频信号的反射功率与前向功率之间...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备的检测装置。该检测装置用于对半导体工艺设备的卡盘的装配状态进行检测，包括：承载机构、第一检测机构及第一指针机构；承载机构能安装于卡盘上，且不跟随卡盘旋转；第一检测机构与承载机构枢转连接，且沿承载机构的...

本发明提供一种测温装置的调节装置，用于半导体工艺设备中，包括第一承载件、第二承载件和调节组件，其中，第一承载件与测温装置连接，用于对测温装置进行承载；第二承载件位于第一承载件下方，并与第一承载件相对设置；调节组件设置在第一承载件与第二承...

一种用于检测晶圆的翘曲度的装置及检测方法，晶圆放置于传输腔室中的承载装置上，检测装置包括横梁、一对测距传感器、驱动装置和处理器；其中，横梁设于传输腔室的上盖，一对测距传感器设于横梁上；驱动装置用于驱动横梁相对于晶圆所在平面沿水平方向运动...

本发明提供一种半导体热处理设备，包括工艺腔室和密封门，密封门用于与工艺腔室贴合，以对工艺腔室进行密封，密封门包括门体、连接部件、支撑组件和调节组件，其中，连接部件与门体相对设置，并分别与支撑组件和调节组件连接；支撑组件贯穿门体，并与门体...

本发明公开一种进气装置及反应腔室，反应腔室包括腔室本体和喷淋头，喷淋头设置于腔室本体的顶部，进气装置用于和喷淋头连通，进气装置包括第一管道和进气组件；第一管道用于与喷淋头相连通，第一管道的侧壁开设有第一通孔，第一管道的进气端用于通入第一...

本申请实施例提供了一种半导体清洗设备及其清洗液分配机构。该清洗液分配机构包括：主管路组件及多个支管路组件，多个支管路组件与多个工艺腔室一一对应设置；主管路组件包括进液管路及出液管路，进液管路与半导体清洗设备的清洗液供给装置连通，进液管路...

本申请公开一种半导体设备及其承载装置，其中，承载装置包括承载部、保护环和多个绝缘支撑件，承载部包括承载本体和围绕承载本体设置的外延部，外延部与承载本体相连，承载本体用于承载半导体待加工件，每个绝缘支撑件具有支撑面，保护环通过与多个支撑面...

本申请公开一种进气机构和半导体工艺设备，所述进气机构包括第一盖体和第二盖体，所述第一盖体与所述第二盖体连接，配合构成一混气腔；所述第一盖体的顶部设有与所述混气腔连通的进气孔，所述第二盖体的底部设有多个与所述混气腔连通的安装槽，所述安装槽...

本发明公开了一种半导体工艺配方中工艺参数值的匹配方法及半导体工艺设备，方法包括：S1、选取特定工艺步骤涉及的第一、第二工艺参数，将第一、第二工艺参数值分别设置为第一、第二初始值；S2、判断基于当前第一、第二工艺参数值是否可以执行特定工艺...

本发明实施例提供了一种晶圆传输系统的控制方法和半导体工艺设备，所述方法包括：在传输晶圆时，确定当前操作的机械手的实际高度信息；根据所述实际高度信息，以及所述当前操作的机械手在所述传输结构中的位置，确定所述承载结构的目标高度信息和目标速度...

本申请公开了一种半导体工艺设备及装载机构，其中，装载机构包括移动平台、驱动部和夹持部，移动平台可移动，驱动部设置在移动平台上，驱动部用于承载热场，并带动热场进行升降，当驱动部驱动热场下降运动时，夹持部将热场夹持，当驱动部驱动热场上升运动...

本发明提供一种反应腔室、半导体加工设备和基座温度控制方法。反应腔室包括腔体、基座和预热环，预热环与腔体的内周壁连接，且环绕在基座周围，还包括测温组件，测温组件包括弧形检测管和设置其中的测温元件，弧形检测管设置在预热环底部的靠近预热环的内...

本发明公开一种半导体热处理设备，该半导体热处理设备包括管体、位于管体内的晶圆承载装置和注气管以及进气管，注气管位于管体的进气端且位于晶圆承载装置的下方，在沿管体的轴线的正投影方向上，注气管的投影位于管体的投影之内，且位于晶圆承载装置的投...

本发明公开了一种半导体设备，包括工艺腔室和设置在工艺腔室内部且均为导体的基座和卡环，基座用于承载待加工件，卡环用于在进行沉积工艺时环绕基座的外周设置且与基座相接，且卡环的内径大于待加工件的直径；半导体设备还包括电位调节系统，电位调节系统...

本发明公开了一种微机电系统器件的制造方法及微机电系统器件，方法包括：在晶圆的上表面形成图案化的光刻胶层，晶圆的材质为石英或玻璃；在图案化的光刻胶层暴露出的晶圆上表面形成种子层；在种子层上形成掩膜层；采用四氟化碳和氩气的混合气体对晶圆的上...

本发明公开一种反应腔室及半导体工艺设备，反应腔室包括腔室本体(100)、晶圆承载台(200)和遮挡件(400)；晶圆承载台(200)位于腔室本体(100)内，晶圆承载台(200)用于承载晶圆(300)；遮挡件(400)位于腔室本体(10...