【技术实现步骤摘要】
进气装置及反应腔室
本专利技术涉及半导体芯片制造
，尤其涉及一种进气装置及反应腔室。
技术介绍
原子层沉积可以将物质以单原子膜形式一层一层镀在晶圆表面。在镀膜过程中，两种或者更多的化学气相反应气体依次在晶圆表面发生化学反应从而产生固态的薄膜。相关技术中，反应腔室包括管道和腔室本体，管道与腔室本体相连通。反应气体通过载气携带可以通过管道通入腔室本体内，进而使得反应气体在腔室本体内发生反应，从而在晶圆的表面产生薄膜。为了提高晶圆表面薄膜的均匀性，管道的出气端设置有直通进气栅，反应气体和载气经过直流通气栅时能够对反应气体和载气进行混流，从而使得反应气体和载气混合更加均匀，以使腔室本体内的压强维持在较高的范围，进而使得反应腔室的工艺性更好。然而，直通进气栅虽然能够对反应气体和载气进行混流，但是其对气体的阻流较大，因此当反应腔室需要进行清洗时，通入的清洗气体被直通进气栅阻流，进而使得反应腔室的清洗效果较差。
技术实现思路
本专利技术公开一种进气装置及反应腔室，以解决反应腔室的清洗效果较...
【技术保护点】
1.一种进气装置，所述进气装置用于与反应腔室连通，所述反应腔室包括腔室本体(100)和喷淋头(500)，所述喷淋头(500)设置于所述腔室本体(100)的顶部，所述进气装置用于和所述喷淋头(500)连通，其特征在于，所述进气装置包括：/n第一管道(200)，所述第一管道(200)用于与所述喷淋头(500)相连通，所述第一管道(200)的侧壁开设有第一通孔(210)，所述第一管道(200)的进气端用于通入第一反应气体或清洗气；/n进气组件(300)，所述进气组件(300)包括组件本体(310)，所述组件本体(310)套设于所述第一管道(200)的外侧，所述组件本体(310)内...
【技术特征摘要】
1.一种进气装置，所述进气装置用于与反应腔室连通，所述反应腔室包括腔室本体(100)和喷淋头(500)，所述喷淋头(500)设置于所述腔室本体(100)的顶部，所述进气装置用于和所述喷淋头(500)连通，其特征在于，所述进气装置包括：
第一管道(200)，所述第一管道(200)用于与所述喷淋头(500)相连通，所述第一管道(200)的侧壁开设有第一通孔(210)，所述第一管道(200)的进气端用于通入第一反应气体或清洗气；
进气组件(300)，所述进气组件(300)包括组件本体(310)，所述组件本体(310)套设于所述第一管道(200)的外侧，所述组件本体(310)内具有环绕所述第一管道(200)的至少两个通道(301)，所述至少两个通道(301)沿所述组件本体(310)的径向间隔分布，所述组件本体(310)的外侧设有第二通孔(3111)，所述第二通孔(3111)与其相邻近的所述通道(301)相连通，所述组件本体(310)内设有第三通孔(3121)，所述第三通孔(3121)用于连通相邻的两个所述通道(301)，所述组件本体(310)内侧设有第四通孔(3112)，所述第四通孔(3112)与其相邻近的所述通道(301)相连通，所述第四通孔(3112)通过所述第一通孔(210)与所述第一管道(200)相连通，所述进气组件(300)用于通过所述第二通孔(3111)向所述第一管道(200)通入第二反应气体和载气。
2.根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述第三通孔(3121)的数量为多个，多个所述第三通孔(3121)沿所述第一管道(200)的轴线方向间隔设置。
3.根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述第二通孔(3111)的入口侧和所述组件本体(310)的底端的距离与所述第二通孔(3111)的出口侧与所述组件本体(310)的底端的距离不同；或，
所述第二通孔(3111)的入口侧与所述组件本体(310)的底端的距离与所述第二通孔(3111)的出口侧与所述组件本体(310)的底端的距离相同。
4.根据权利要求1所述的进气装置，...
【专利技术属性】
技术研发人员：秦海丰，史小平，兰云峰，王勇飞，张文强，王昊，任晓艳，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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