本发明专利技术提供一种偏移状态检测方法及偏移状态检测装置，其中，偏移状态检测方法用于检测晶片相对于工艺腔室内的承载部件的偏移状态，包括：在当前工艺结束后，基于传输部件将晶片从工艺腔室中传出；在传输部件将晶片传输至后续工艺腔室的过程中，基于后续工艺腔室对应的检测组件，获取晶片的实际位置相对于传输部件上预设位置的偏移量；根据预设的偏移量和偏移状态的对应关系，确定晶片相对于承载部件的偏移状态。本发明专利技术提供的偏移状态检测方法及偏移状态检测装置能够对晶片与工艺腔室内的承载部件的容纳结构是否搭接进行检测，降低半导体设备的成本和故障率。体设备的成本和故障率。体设备的成本和故障率。
【技术实现步骤摘要】
偏移状态检测方法及偏移状态检测装置
[0001]本专利技术涉及半导体工艺
，具体地，涉及一种偏移状态检测方法及偏移状态检测装置。
技术介绍
[0002]在硅外延工艺腔室中，承载硅片的基座上通常设置有容纳硅片的片槽，片槽的直径通常比硅片的直径大2mm
‑
3mm，在硅外延工艺中，硅片最佳的工艺位置是硅片的轴线与片槽的轴线重合。而由于例如机械手传输硅片的传输误差或者基座在硅外延工艺腔室中的位置误差等因素，会导致硅片在硅外延工艺中难以位于最佳的工艺，甚至会导致硅片的部分位于片槽之外搭接在片槽上，而硅片搭接在片槽上又会造成硅外延工艺后的外延片不合格。而对于硅片搭接在片槽上的情况，目前尚未存在有效的解决办法。因此，能否检测出硅片在硅外延工艺中搭接在片槽上，防止出现搭接情况的硅片流向下游，成为提升半导体设备性能指标的一项重要技术。
[0003]现有技术中对硅片是否搭接在片槽上的检测，通常是在硅外延工艺腔室中单独设置检测装置，该检测装置通过检测硅片在硅外延工艺腔室中与片槽的相对位置关系，判断硅片是否搭接在片槽上。由于此种检测方式需要在硅外延工艺腔室中单独设置检测装置，因此，需要对硅外延工艺腔室的内部结构进行改造，而这就使得硅外延工艺腔室中例如温度场等工艺环境受到破坏，并且也使得半导体设备的成本增加。
技术实现思路
[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种偏移状态检测方法及偏移状态检测装置，其能够对晶片与工艺腔室内的承载部件的容纳结构是否搭接进行检测，降低半导体设备的成本和故障率。
[0005]为实现本专利技术的目的而提供一种偏移状态检测方法，用于检测晶片相对于工艺腔室内的承载部件的偏移状态，包括：
[0006]在当前工艺结束后，基于传输部件将所述晶片从所述工艺腔室中传出；
[0007]在所述传输部件将所述晶片传输至后续工艺腔室的过程中，基于所述后续工艺腔室对应的检测组件，获取所述晶片的实际位置相对于所述传输部件上预设位置的偏移量；
[0008]根据预设的所述偏移量和所述偏移状态的对应关系，确定所述晶片相对于所述承载部件的偏移状态。
[0009]优选的，所述基于所述后续工艺腔室对应的检测组件，获取所述晶片的实际位置相对于所述传输部件上预设位置的偏移量，包括：
[0010]获取所述晶片的实际位置相对于所述预设位置在第一方向上的第一方向偏移量，并获取所述晶片的实际位置相对于所述预设位置在第二方向上的第二方向偏移量，其中，所述第一方向与所述第二方向交叉；
[0011]根据所述第一方向偏移量和所述第二方向偏移量，计算所述偏移量。
[0012]优选的，所述第一方向与所述第二方向垂直，根据以下公式计算所述偏移量：
[0013][0014]其中，j为所述偏移量，m为所述第一方向偏移量，n为所述第二方向偏移量。
[0015]优选的，所述预设的所述偏移量和所述偏移状态的对应关系包括多个偏移量取值区间及多个偏移状态等级，所述多个偏移量取值区间与所述多个偏移状态等级一一对应，所述根据预设的所述偏移量和所述偏移状态的对应关系，确定所述晶片相对于所述承载部件的偏移状态，包括：
[0016]根据所述偏移量确定其所属的偏移量取值区间；
[0017]将该偏移量取值区间对应的偏移状态等级确定为所述偏移状态。
[0018]优选的，所述偏移状态检测方法还包括：
[0019]在确定的偏移状态等级大于预设的第一偏移状态等级阈值时，发出报警；
[0020]在确定的偏移状态等级大于预设的第二偏移状态等级阈值时，发出报警并停止工艺；
[0021]其中，所述第二偏移状态等级阈值大于所述第一偏移状态等级阈值。
[0022]优选的，通过以下步骤获取所述预设的所述偏移量和所述偏移状态的对应关系：
[0023]依次将所述晶片置于所述承载部件上对应于所述多个偏移状态等级的位置处，通过所述传输部件将所述晶片从所述工艺腔室中传出，依次获取所述多个偏移状态等级对应的偏移量值；
[0024]将所述多个偏移状态等级对应的偏移量值作为端点，确定所述多个偏移量取值区间；
[0025]在所述多个偏移量取值区间与所述多个偏移状态等级之间建立一一对应的关系。
[0026]本专利技术还提供一种偏移状态检测装置，设置于半导体工艺设备中，用于检测晶片相对于工艺腔室内的承载部件的偏移状态，包括：
[0027]传输模块，用于在当前工艺结束后，基于传输部件将所述晶片从所述工艺腔室中传出；
[0028]获取模块，用于在所述传输部件将所述晶片传输至后续工艺腔室的过程中，基于所述后续工艺腔室对应的检测组件，获取所述晶片的实际位置相对于所述传输部件上预设位置的偏移量；
[0029]确定模块，用于根据预设的所述偏移量和所述偏移状态的对应关系，判断所述晶片相对于所述承载部件的偏移状态。
[0030]优选的，所述获取模块包括：
[0031]获取单元，用于获取所述晶片的实际位置相对于所述预设位置在第一方向上的第一方向偏移量，并获取所述晶片的实际位置相对于所述预设位置在第二方向上的第二方向偏移量，其中，所述第一方向与所述第二方向交叉；
[0032]计算单元，用于根据所述第一方向偏移量和所述第二方向偏移量，计算所述偏移量。
[0033]优选的，所述预设的所述偏移量和所述偏移状态的对应关系包括多个偏移量取值区间及多个偏移状态等级；
[0034]所述确定模块包括：
[0035]第一确定单元，用于根据所述偏移量确定其所属的偏移量取值区间；
[0036]第二确定单元，用于将该偏移量取值区间对应的偏移状态等级确定为所述偏移状态。
[0037]优选的，所述偏移状态检测装置还包括：
[0038]报警单元，用于在所述确定模块确定的偏移状态等级大于预设的第一偏移状态等级阈值时，发出报警；在所述确定模块确定的偏移状态等级大于预设的第二偏移状态等级阈值时，发出报警并停止工艺；其中，所述第二偏移状态等级阈值大于所述第一偏移状态等级阈值。
[0039]本专利技术具有以下有益效果：
[0040]本专利技术提供的偏移状态检测方法，在传输部件将晶片从工艺腔室中传出，并将晶片传输至后续工艺腔室的过程中，基于后续工艺腔室对应的检测组件，获取晶片的实际位置相对于传输部件上预设位置的偏移量，根据预设的偏移量和偏移状态的对应关系，确定晶片相对于承载部件的偏移状态，由于确定晶片相对于承载部件的偏移状态所需的偏移量，是基于后续工艺腔室对应的检测组件获取的，因此，无需在工艺腔室内单独设置检测装置，就可以对晶片相对于承载部件的偏移状态进行检测，从而避免工艺腔室中的工艺环境受到影响，降低半导体设备的成本和故障率，且本专利技术提供的偏移状态检测方法，可以根据所需检测的情况的不同，对预设的偏移量和偏移状态的对应关系进行调整，从而能够对晶片与工艺腔室内的承载部件的容纳结构是否搭接进行检测。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种偏移状态检测方法，用于检测晶片相对于工艺腔室内的承载部件的偏移状态，其特征在于，包括：在当前工艺结束后，基于传输部件将所述晶片从所述工艺腔室中传出；在所述传输部件将所述晶片传输至后续工艺腔室的过程中，基于所述后续工艺腔室对应的检测组件，获取所述晶片的实际位置相对于所述传输部件上预设位置的偏移量；根据预设的所述偏移量和所述偏移状态的对应关系，确定所述晶片相对于所述承载部件的偏移状态。2.根据权利要求1所述的偏移状态检测方法，其特征在于，所述基于所述后续工艺腔室对应的检测组件，获取所述晶片的实际位置相对于所述传输部件上预设位置的偏移量，包括：获取所述晶片的实际位置相对于所述预设位置在第一方向上的第一方向偏移量，并获取所述晶片的实际位置相对于所述预设位置在第二方向上的第二方向偏移量，其中，所述第一方向与所述第二方向交叉；根据所述第一方向偏移量和所述第二方向偏移量，计算所述偏移量。3.根据权利要求2所述的偏移状态检测方法，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向垂直，根据以下公式计算所述偏移量：其中，j为所述偏移量，m为所述第一方向偏移量，n为所述第二方向偏移量。4.根据权利要求1
‑
3任意一项所述的偏移状态检测方法，所述预设的所述偏移量和所述偏移状态的对应关系包括多个偏移量取值区间及多个偏移状态等级，所述多个偏移量取值区间与所述多个偏移状态等级一一对应，所述根据预设的所述偏移量和所述偏移状态的对应关系，确定所述晶片相对于所述承载部件的偏移状态，包括：根据所述偏移量确定其所属的偏移量取值区间；将该偏移量取值区间对应的偏移状态等级确定为所述偏移状态。5.根据权利要求4所述的偏移状态检测方法，其特征在于，还包括：在确定的偏移状态等级大于预设的第一偏移状态等级阈值时，发出报警；在确定的偏移状态等级大于预设的第二偏移状态等级阈值时，发出报警并停止工艺；其中，所述第二偏移状态等级阈值大于所述第一偏移状态等级阈值。6.根据权利要求4所述的偏移状态检测方法，其特征在于，通过以下步骤获取所述预设的所述偏移量和所...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙小芹，苏运坤，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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