本申请公开一种半导体机台的移载装置和移载装置组件，所公开的移载装置包括：支架，支架在第一方向上依次设置有多个第一连接结构，第一方向为移载装置的高度方向；承载架，承载架设置于支架上，承载架设置有第二连接结构，第二连接结构与多个第一连接结构...

本实用新型公开一种用于清洗机的喷淋装置，用于喷淋放置在承载装置上的待清洗件，喷淋装置包括安装支架和喷淋管路，喷淋管路安装于安装支架上，喷淋管路上设有至少一个喷淋孔，喷淋管路用于通过喷淋孔对待清洗件与承载装置接触的区域进行清洗。上述技术方...

本发明提供一种数据读写方法及半导体加工设备的控制装置，该数据读写方法包括：S1、将处理器的内存数据区划分为多个分区；S2、建立与多个分区一一对应的多个内存映射区；S3、实时监测各内存映射区的读标识和写标识；S4、在监测到一个或多个内存映...

本发明提供一种半导体清洗设备的排气装置，包括气液分离结构，用于输送废气；气液分离结构包括冷凝管道，冷凝管道的进气口用于与半导体清洗设备的排气口连通，冷凝管道的排气口用于与抽气装置连通；冷却管道的内壁上设有凸起结构，凸起结构用于增大冷凝管...

本发明提供一种半导体工艺设备的副产物处理装置及半导体工艺设备，半导体工艺设备的副产物处理装置包括冷却组件和分离组件，其中，冷却组件与半导体工艺设备的工艺腔室的排出口连通，用于对自排出口排出至其中的副产物进行冷却，得到液态物和气态物；分离...

本申请实施例提供了气体传输管路升温方法、半导体工艺设备，该方法包括：基于每一个气体传输管路的在预设时间段的结束时刻的温度，确定每一个气体传输管路对应的加热元件的用于同步升温的输出功率，其中，在预设时间段，每一个气体传输管路对应的加热元件...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备包括：工艺腔室内包括工艺区及传片区；进气装置设置于工艺腔室的顶部，用于向工艺区内通入工艺气体；承载装置包括有基座及导流结构，基座可升降的设置于传片区内，用于承载待加工件；导流结构设置...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其承载装置。该承载装置设置于半导体工艺设备的工艺腔室内，用于在承载并冷却晶圆，其包括：基座及套设于基座的外周的绝缘环；基座的上表面设置有气流道结构,气流道结构沿基座的径向和环向延伸设置，并且与延伸至...

本发明实施例提供一种薄膜制备方法，包括：自衬底表面将活性粒子掺杂入衬底材料；在掺杂后的衬底表面上沉积形成薄膜。在沉积薄膜的过程中，活性粒子用于作为催化剂促使薄膜材料中的离子与衬底材料中的原子反应形成化学键。本发明实施例提供的薄膜制备方法...

本发明提供一种半导体清洗设备，包括本体和设置在本体中的化学液槽、水槽、化学液排放管、水排放管、清洗液配给组件和液体检测部件，化学液槽和水槽分别用于对晶片进行化学清洗和水洗，清洗液配给组件分别与化学液槽和水槽连通，用于分别向化学液槽和水槽...

本申请实施例提供了一种外延设备。外延设备包括基座环、上顶盖和下顶盖；基座环包括相背的第一面和第二面，上顶盖和下顶盖分别与第一面和第二面密封连接，上顶盖与下顶盖形成封闭空间，封闭空间中设置有基座，基座用于放置基片；基座环上设置有进气口和出...

本申请实施例提供了设备应用监控方法、半导体工艺设备，该方法包括：获取设备应用的监控数据，监控数据包括：监控时间段内的每一个子时间段的输入输出量和硬件资源消耗量；对于每一个子时间段，在子时间段满足预警条件的情况下，生成子时间段对应的预警信...

本申请实施例提供了设备模块性能评估方法、半导体工艺设备，该方法包括：在半导体工艺设备执行的工艺任务完成后，确定工艺任务的工艺任务执行时长，任务执行时长为开始执行工艺任务的时刻与工艺任务执行完成的时刻之间的时长；对于半导体工艺设备的每一个...

本发明公开一种基片的刻蚀方法和薄膜晶体管，基片的刻蚀方法包括：在基片的金属银层上形成具有预定图案的掩膜层；向刻蚀腔内通入刻蚀气体，通过激发所述刻蚀气体为第一等离子体，刻蚀所述掩膜层和所述金属银层，以在所述金属银层上形成刻蚀沟槽，其中，所...

本发明公开了一种反应腔室和半导体工艺设备，包括：腔体，腔体设有进气口，进气口用于通入沉积薄膜的反应气体或用于清洗薄膜的清洗气体；加热基座，加热基座可升降的设置在腔体内；排气通道，排气通道设置于加热基座和腔体的内周壁之间，用于排出反应腔室...

本申请实施例提供了加热部件功率控制方法、半导体工艺设备，该方法包括：在当前工艺过程完成后，确定在当前工艺过程中加热部件在升温阶段的功率波动范围以及在控温阶段的功率波动范围；基于控温阶段的功率波动范围，确定控温阶段的功率波动值，判断功率波...

本申请公开一种半导体工艺设备的尾气处理装置，所公开的尾气处理装置中：加热装置设置于壳体内，且第一容纳空间和第二容纳空间通过加热装置连通，壳体设置有出口部，出口部与第一容纳空间连通，且加热装置的出口朝向第一容纳空间，气压调节装置设置于加热...

本申请实施例提供了工艺腔室中工位位置的校准方法、半导体工艺设备，该方法包括：利用传输装置将校准件放置到预设位置，利用校准装置将校准件旋转至预设朝向，其中，校准件包括多个开孔，多个开孔与工艺腔室中卡盘上的多个顶针一一对应的设置，开孔的侧壁...

本发明公开一种承载盘及控温装置，所述承载盘的中心位置设有安装孔，所述承载盘包括用于与所述半导体设备中反应腔接触密封的密封面，所述承载盘中还设置有环绕所述安装孔设置的气道，所述承载盘背离所述密封面的一面设有进气口和出气口，所述进气口和所述...

本发明提供一种半导体热处理设备的承载装置及半导体热处理设备，其中，承载装置包括测温装置和用于承载待加工件的承载主体，测温装置包括支撑件和多个测温组件，支撑件与承载主体连接，位于承载主体的外侧，并沿承载主体的轴向延伸设置；多个测温组件沿支...