薄膜制备方法技术

本发明专利技术实施例提供一种薄膜制备方法，包括：自衬底表面将活性粒子掺杂入衬底材料；在掺杂后的衬底表面上沉积形成薄膜。在沉积薄膜的过程中，活性粒子用于作为催化剂促使薄膜材料中的离子与衬底材料中的原子反应形成化学键。本发明专利技术实施例提供的薄膜制备方法，可以使薄膜与衬底之间通过化学键和分子间作用力连接，进而提高薄膜与衬底之间的粘附强度。

【技术实现步骤摘要】
薄膜制备方法
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种薄膜制备方法。
技术介绍
在半导体制造领域中，物理气相沉积是普遍应用于薄膜制备的一种工艺。物理气相沉积工艺的基本原理为：采用物理方法将材料源表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有特定功能的薄膜。磁控溅射是多种物理气相沉积工艺中的一种。目前常用的磁控溅射工艺流程为：向工艺腔室中充入氩气，并利用电场使氩电离成离子和电子，使氩离子在电场作用和磁场下加速轰击靶材，从而使靶材被溅射出来而沉积到待加工工件的表面，形成薄膜。但这种磁控溅射形成的薄膜是通过分子间作用力(范德华力)粘附在工件表面上的，因此薄膜与工件之间的粘附力较小，在对工件进行后续的工艺中常存在薄膜易脱落的问题，这会严重影响良品率。
技术实现思路
本专利技术实施例旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种薄膜制备方法，其可以提高薄膜与衬底之间的粘附强度。为实现本专利技术的目的而提供一种薄膜制备方法，包括：自衬底表面将活性粒子掺杂入本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜制备方法，其特征在于，包括：/n自衬底表面将活性粒子掺杂入衬底材料；/n在掺杂后的所述衬底表面上沉积形成薄膜；/n在沉积所述薄膜的过程中，所述活性粒子用于作为催化剂促使所述薄膜材料中的离子与所述衬底材料中的原子反应形成化学键。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜制备方法，其特征在于，包括：
自衬底表面将活性粒子掺杂入衬底材料；
在掺杂后的所述衬底表面上沉积形成薄膜；
在沉积所述薄膜的过程中，所述活性粒子用于作为催化剂促使所述薄膜材料中的离子与所述衬底材料中的原子反应形成化学键。


2.根据权利要求1所述的薄膜制备方法，其特征在于，所述自衬底表面将活性粒子掺杂入衬底材料，具体包括：
将所述衬底放入第一腔室中；
向所述第一腔室中通入掺杂气体；
激发所述掺杂气体形成包含所述活性粒子的等离子体，以将所述活性粒子掺杂入所述衬底材料。


3.根据权利要求2所述的薄膜制备方法，其特征在于，所述第一腔室为预清洗腔室；
所述自衬底表面将活性粒子掺杂入衬底材料，具体包括：
将所述衬底放入所述预清洗腔室中；
向所述预清洗腔室中同时通入刻蚀气体和所述掺杂气体；
开启激励电源和偏压电源，激发所述刻蚀气体和所述掺杂气体分别形成刻蚀用等离子体和包含所述活性粒子的等离子体，以在对所述衬底表面进行刻蚀的同时，将所述活性粒子掺杂入所述衬底材料。


4.根据权利要求3所述的薄膜制备方法，其特征在于，所述掺杂气体包括氢气，或者包括氢气和惰性气体的混合气体。


5.根据权利要求4所述的薄膜制备方法，其特征在于，在所述混合气体中，所述氢气的体积浓度的取值范围为...

【专利技术属性】
技术研发人员：张同文，王宽冒，赵联波，傅新宇，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11