一种GT35球碗零件内表面沉积TiN厚膜的工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种GT35球碗零件内表面沉积TiN厚膜的工艺方法，将零件置于真空炉内加抽真空并加热，之后向真空炉内通入氩气对球碗零件内表面进行氩离子刻蚀，氩离子刻蚀完成后启动靶材对刻蚀后的球碗零件内表面镀打底层，打底层将球碗零件内表面全覆盖后通入饱和量的氮气并开启钛靶沉积氮化钛层，该氮化钛层由多次沉积完成，每次沉积前对上一次沉积的氮化钛层实施氩离子刻蚀处理，每次氮化钛层沉积厚度不超过5μm，每次氩离子刻蚀厚度不超过1μm，直到氮化钛层达到预定厚度即可冷却出炉。

【技术实现步骤摘要】
一种GT35球碗零件内表面沉积TiN厚膜的工艺方法
本专利技术涉及一种物理气相沉积工艺，尤其涉及针对GT35球碗零件内表面制备15μmTiN厚膜的工艺方法。
技术介绍
在PVD行业中TiN膜层由于柱状晶结构的影响，其厚度一般均在5μm一下，而在球碗零件中完成氮化钛膜镀膜后还需要对镀层进行研磨加工消除误差，膜层厚度过小不利于后期加工，且需要对球碗零件加工精度要求高，为了便于对膜层精度的加工需要镀厚膜来配合后期的加工，而要实现15μm以上的厚膜难度极大，而且氮化钛晶粒沉积过程中会沿一定晶面有限声场形成柱状晶，柱状晶的晶粒尺寸越大会造成晶界应力过大，引起膜层开裂，使膜层结合力不好，一次性对零件表面实施15μm以上的厚膜镀膜会造成膜层结合力不好、开裂等现象。
技术实现思路
.为了解决现有技术中的不足，提供一种膜层厚度大，膜层结合力好且不易开裂的沉积TiN厚膜的工艺方法：一种GT35球碗零件内表面沉积TiN厚膜的工艺方法，将零件置于真空炉内加抽真空并加热，之后向真空炉内通入氩气对球碗零件内表面进行氩离子刻蚀，氩离子刻蚀完成后启动靶材对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种GT35球碗零件内表面沉积TiN厚膜的工艺方法，其特征在于，将零件置于真空炉内加抽真空并加热，之后向真空炉内通入氩气对球碗零件内表面进行氩离子刻蚀，氩离子刻蚀完成后启动靶材对刻蚀后的球碗零件内表面镀打底层，打底层将球碗零件内表面全覆盖后通入饱和量的氮气并开启钛靶沉积氮化钛层，该氮化钛层由多次沉积完成，每次沉积前对上一次沉积的氮化钛层实施氩离子刻蚀处理，每次氮化钛层沉积厚度不超过5μm，每次氩离子刻蚀厚度不超过1μm，直到氮化钛层达到预定厚度即可冷却出炉。/n

【技术特征摘要】
1.一种GT35球碗零件内表面沉积TiN厚膜的工艺方法，其特征在于，将零件置于真空炉内加抽真空并加热，之后向真空炉内通入氩气对球碗零件内表面进行氩离子刻蚀，氩离子刻蚀完成后启动靶材对刻蚀后的球碗零件内表面镀打底层，打底层将球碗零件内表面全覆盖后通入饱和量的氮气并开启钛靶沉积氮化钛层，该氮化钛层由多次沉积完成，每次沉积前对上一次沉积的氮化钛层实施氩离子刻蚀处理，每次氮化钛层沉积厚度不超过5μm，每次氩离子刻蚀厚度不超过1μm，直到氮化钛层达到预定厚度即可冷却出炉。


2.根据权利要求1所述的一种GT35球碗零件内表面沉积TiN厚膜的工艺方法，其特征在于：镀打底层时采用钛或铬作为靶材。


3.根据权利要求1或2所述的一种GT35球碗零件内表面沉积TiN厚膜的工...

【专利技术属性】
技术研发人员：毕新儒，赵显伟，李文卓，马培培，
申请(专利权)人：陕西航天时代导航设备有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61