用于真空处理设在基板上的薄膜晶体管沟道的方法、薄膜晶体管和用于真空处理基板的设备技术

提供一种用于真空处理基板(10)的方法。所述方法包括：使用设在处理区域(110)中的注入源(130)用粒子来辐照基板(10)或基板(10)上的第一材料层；和在用粒子辐照基板(10)或第一材料层时，使基板(10)沿着运输路径(20)移动而通过处理区域(110)。

【技术实现步骤摘要】
用于真空处理设在基板上的薄膜晶体管沟道的方法、薄膜晶体管和用于真空处理基板的设备本申请是申请日为2017年02月09日、申请号为201780012379.X、专利技术名称为“用于真空处理设在基板上的薄膜晶体管(TFT)沟道的方法、薄膜晶体管和用于真空处理基板的设备”的专利技术专利申请的分案申请。
本公开内容的实施方式涉及一种用于真空处理基板的方法、一种薄膜晶体管和一种用于真空处理基板的设备。本公开内容的实施方式特别涉及用于在显示装置的制造中使用的物理气相沉积(例如溅射沉积)的方法和设备。
技术介绍
用于在基板上进行层沉积的技术包括例如溅射沉积、热蒸发和化学气相沉积(CVD)。溅射沉积工艺可用于在基板上沉积材料层，诸如导电材料层。设在基板载体上的基板可被运输通过处理系统。为了在基板上执行多个处理措施，可使用处理模块的直列(in-line)布置。直列处理系统包括多个连续处理模块，其中处理措施相继在各个处理模块中进行。多种材料(诸如金属，还包括金属的氧化物、氮化物或碳化物)可用于沉积在基板上。涂覆材料可在若干应用和若干
中使用。例如，用于显示器的基板通常通过物理气相沉积(PVD)工艺(诸如溅射工艺)涂覆例如以在基板上形成薄膜晶体管(TFT)。随着新的显示技术发展并且鉴于朝更大的显示器尺寸的趋势，对显示器中使用的提供改进的性能(例如关于电学特性的性能)的层或层系统存在持续需求。作为示例，具有迁移率更高的沟道且/或具有改进的阈值电压(Vth)的薄膜晶体管可为有益的。鉴于上文，克服本领域的至少一些问题的用于真空处理基板的新的方法、薄膜晶体管和用于真空处理基板的设备是有益的。特定地，允许更高的载流子迁移率和/或改进的阈值电压(Vth)的方法和设备是有益的。
技术实现思路
鉴于上文，提供一种用于真空处理基板的方法、一种薄膜晶体管和一种用于真空处理基板的设备。本公开内容的另外方面、益处和特征从权利要求书、说明书和附图显而易见。根据本公开内容的一方面，提供一种用于真空处理基板的方法。所述方法包括：使用设在处理区域中的注入源用粒子来辐照基板或基板上的第一材料层，和在用粒子辐照基板或第一材料层时，使基板沿着运输路径移动而通过处理区域。根据本公开内容的另一方面，提供一种用于真空处理基板的方法。所述方法包括：相对于设在运输路径上的基板来移动设在处理区域中的注入源，和在移动注入源时，用由注入源提供的粒子来辐照基板或基板上的第一材料层。根据本公开内容的又另一方面，提供一种薄膜晶体管。薄膜晶体管包括使用本文描述的实施方式制造的沟道。根据本公开内容的一方面，提供一种用于真空处理基板的设备。所述设备包括：至少一个处理区域，具有至少一个注入源；至少一个沉积区域，具有一个或多个沉积源；和运输路径，延伸通过至少一个处理区域和至少一个沉积区域。所述设备被配置为用由至少一个注入源提供的粒子来辐照基板或基板上的第一材料层。所述设备进一步被配置为在用粒子辐照基板或第一材料层时，使基板沿着运输路径移动而通过处理区域。根据本公开内容的又另一方面，提供一种用于真空处理基板的设备。所述设备包括：至少一个处理区域，具有至少一个注入源；至少一个沉积区域，具有一个或多个沉积源；和运输路径，延伸通过至少一个处理区域和至少一个沉积区域。所述设备被配置为用由至少一个注入源提供的粒子来辐照基板或基板上的第一材料层。所述设备进一步被配置为在用粒子辐照基板或第一材料层时，相对于运输路径来移动至少一个注入源。实施方式还针对用于进行所公开的方法的设备并且包括用于执行每个所描述的方法方面的设备零件。这些方法方面可通过硬件部件、由适当的软件编程的计算机、这两者的任何组合或以任何其他方式执行。此外，根据本公开内容的实施方式还针对用于操作所描述的设备的方法。用于操作所描述的设备的方法包括用于进行设备的每一功能的方法方面。附图说明为了能详细地理解本公开内容的上述特征，可通过参考实施方式获得上文简要地概述的本公开内容的更特定的描述。附图涉及本公开内容的实施方式，并且描述于下：图1示出了根据本文描述的实施方式的用于真空处理基板的方法的流程图；图2示出了根据本文描述的实施方式的用于真空处理基板的设备的示意图；图3示出了根据本文描述的另外实施方式的用于真空处理基板的设备的示意图；图4示出了根据本文描述的实施方式的用于真空处理基板的设备的截面示意图；图5示出了根据本文描述的实施方式的用于真空处理基板的设备的示意图；图6示出了根据本文描述的另外实施方式的用于真空处理基板的设备的示意图；和图7示出了根据本文描述的实施方式的显示器的具有薄膜晶体管的部分的截面示意图。具体实施方式现在将详细地参考本公开内容的各种实施方式，这些实施方式的一个或多个示例示于图中。在以下对附图的描述中，相同标号表示相同部件。通常，仅描述关于各别实施方式的差异。每个示例以解释本公开内容的方式提供，而不表示对本公开内容的限制。另外，被示出或描述为一个实施方式的部分的特征可用于其他实施方式或结合其他实施方式使用以产生又进一步实施方式。本说明书旨在包括这样的修改和变化。随着新显示技术的发展并且鉴于朝更大的显示器尺寸的趋势，对显示器中使用的提供改进的性能(例如关于电学特性的性能)的层或层系统存在持续需求。作为示例，具有载流子迁移率更高的沟道且/或具有改进的阈值电压(Vth)的薄膜晶体管可为有益的。根据本公开内容，提供用于将粒子注入基板或基板上的第一材料层中以改变基板或第一材料层的一个或多个材料性质的注入源。粒子可以是离子或电中性原子。作为示例，可将粒子注入第一材料层中以提供具有迁移率更高的沟道和/或改变的阈值电压Vth的薄膜晶体管。然而，本公开内容不限于此，并且注入可用来改变其他性质，诸如基板或第一材料层的折射率，例如，以用于折射率匹配。本公开内容的全文中使用的术语“注入”应理解为粒子被冲击到固体(诸如基板和/或第一材料层)中以改变固体的一个或多个材料性质(诸如固体的元素组成)。特别地，粒子被冲击到固体中，从而停止并保留在固体中并停留在那里。图1示出了根据本文描述的实施方式的用于真空处理基板的方法的流程图。根据本公开内容的一方面，所述方法包括：在方框1100中，使用设在处理区域中的注入源用粒子来辐照基板或基板上的第一材料层；和在方框1200中，在用粒子辐照基板或第一材料层时，使基板沿着运输路径移动而通过处理区域。在用粒子辐照基板或第一材料层时，注入源(也可被称为“粒子注入源”)可以移动或静止。通过辐照基板或第一材料层，进行注入工艺。特别地，用粒子辐照基板或基板上的第一材料层以将粒子注入其中，以便分别改变基板或第一材料层的一个或多个材料性质。粒子可以是离子或电中性原子。根据可与本文描述的其他实施方式结合的一些实施方式，一个或多个材料性质选自由以下项组成的组：物理性质、电学性质、化学性质和光学性质。物理性质可例如包括固体(诸如基板或第一材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于真空处理设在基板上的薄膜晶体管(TFT)沟道的方法，包括：/n使用设在处理区域中的注入源用粒子来辐照所述TFT沟道的第一材料层，所述第一材料层选自由以下项组成的组：ZnON、LTPS(p-Si)、IGZO和a-Si；/n在用所述粒子辐照所述第一材料层时，使所述基板和/或所述注入源沿着运输路径移动而通过所述处理区域；和/n在已经用所述粒子辐照所述第一材料层之后，在所述第一材料层之上沉积至少一个第二材料层，/n其中在所述基板沿着所述运输路径移动通过与所述处理区域分隔的沉积区域时，沉积第二材料层。/n

【技术特征摘要】
1.用于真空处理设在基板上的薄膜晶体管(TFT)沟道的方法，包括：
使用设在处理区域中的注入源用粒子来辐照所述TFT沟道的第一材料层，所述第一材料层选自由以下项组成的组：ZnON、LTPS(p-Si)、IGZO和a-Si；
在用所述粒子辐照所述第一材料层时，使所述基板和/或所述注入源沿着运输路径移动而通过所述处理区域；和
在已经用所述粒子辐照所述第一材料层之后，在所述第一材料层之上沉积至少一个第二材料层，
其中在所述基板沿着所述运输路径移动通过与所述处理区域分隔的沉积区域时，沉积第二材料层。


2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一材料层是IGZO。


3.如权利要求1或2中任一项所述的方法，其中所述粒子选自由以下项组成的组：离子、电中性原子、氮、氧、氢、镓、铟和上述项的任何组合。


4.如权利要求1或2中任一项所述的方法，所述粒子具有至少1keV的能量。


5.如权利要求4所述的方法，所述粒子具有从1keV至1000keV范围的能量。


6.如权利要求1或2中任一项所述的方法，在被辐照后，所述第一材料层的厚度在从至的范围内。


7.如权利要求6所述的方法，在被辐照后，所述第一材料层的厚度在从至的范围内。


8.如权利要求1或2中任一项所述的方法，其中所述沟道是双层有源沟道。


9.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括使用权利要求1或2中任一项所述的方法制造的沟道。


10.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括使用权利要求8所述的方法制造的沟道。


11.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其中所述沟道包括：
所述第一材料层，所述第一材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：马库斯·哈尼卡，约瑟夫·C·奥尔森，彼得·F·库伦齐，尹东基，马库斯·本德，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US