用于真空处理设在基板上的薄膜晶体管沟道的方法、薄膜晶体管和用于真空处理基板的设备技术

提供一种用于真空处理基板(10)的方法。所述方法包括：使用设在处理区域(110)中的注入源(130)用粒子来辐照基板(10)或基板(10)上的第一材料层；和在用粒子辐照基板(10)或第一材料层时，使基板(10)沿着运输路径(20)移动而通过处理区域(110)。

【技术实现步骤摘要】
用于真空处理设在基板上的薄膜晶体管沟道的方法、薄膜晶体管和用于真空处理基板的设备本申请是申请日为2017年02月09日、申请号为201780012379.X、专利技术名称为“用于真空处理设在基板上的薄膜晶体管(TFT)沟道的方法、薄膜晶体管和用于真空处理基板的设备”的专利技术专利申请的分案申请。
本公开内容的实施方式涉及一种用于真空处理基板的方法、一种薄膜晶体管和一种用于真空处理基板的设备。本公开内容的实施方式特别涉及用于在显示装置的制造中使用的物理气相沉积(例如溅射沉积)的方法和设备。
技术介绍
用于在基板上进行层沉积的技术包括例如溅射沉积、热蒸发和化学气相沉积(CVD)。溅射沉积工艺可用于在基板上沉积材料层，诸如导电材料层。设在基板载体上的基板可被运输通过处理系统。为了在基板上执行多个处理措施，可使用处理模块的直列(in-line)布置。直列处理系统包括多个连续处理模块，其中处理措施相继在各个处理模块中进行。多种材料(诸如金属，还包括金属的氧化物、氮化物或碳化物)可用于沉积在基板上。涂覆材料可在若干应用和若干
中使用。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于真空处理设在基板上的薄膜晶体管(TFT)沟道的方法，包括：/n使用设在处理区域中的注入源用粒子来辐照所述TFT沟道的第一材料层，所述第一材料层选自由以下项组成的组：ZnON、LTPS(p-Si)、IGZO和a-Si；/n在用所述粒子辐照所述第一材料层时，使所述基板和/或所述注入源沿着运输路径移动而通过所述处理区域；和/n在已经用所述粒子辐照所述第一材料层之后，在所述第一材料层之上沉积至少一个第二材料层，/n其中在所述基板沿着所述运输路径移动通过与所述处理区域分隔的沉积区域时，沉积第二材料层。/n

【技术特征摘要】
1.用于真空处理设在基板上的薄膜晶体管(TFT)沟道的方法，包括：
使用设在处理区域中的注入源用粒子来辐照所述TFT沟道的第一材料层，所述第一材料层选自由以下项组成的组：ZnON、LTPS(p-Si)、IGZO和a-Si；
在用所述粒子辐照所述第一材料层时，使所述基板和/或所述注入源沿着运输路径移动而通过所述处理区域；和
在已经用所述粒子辐照所述第一材料层之后，在所述第一材料层之上沉积至少一个第二材料层，
其中在所述基板沿着所述运输路径移动通过与所述处理区域分隔的沉积区域时，沉积第二材料层。


2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一材料层是IGZO。


3.如权利要求1或2中任一项所述的方法，其中所述粒子选自由以下项组成的组：离子、电中性原子、氮、氧、氢、镓、铟和上述项的任何组合。


4.如权利要求1或2中任一项所述的方法，所述粒子具有至少1keV的能量。


5.如权利要求4所述的方法，所述粒子具有从1keV至1000keV范围的能量。


6.如权利要求1或2中任一项所述的方法，在被辐照后，所述第一材料层的厚度在从至的范围内。


7.如权利要求6所述的方法，在被辐照后，所述第一材料层的厚度在从至的范围内。


8.如权利要求1或2中任一项所述的方法，其中所述沟道是双层有源沟道。


9.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括使用权利要求1或2中任一项所述的方法制造的沟道。


10.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括使用权利要求8所述的方法制造的沟道。


11.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其中所述沟道包括：
所述第一材料层，所述第一材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：马库斯·哈尼卡，约瑟夫·C·奥尔森，彼得·F·库伦齐，尹东基，马库斯·本德，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US