成膜装置用部件及具备成膜装置用部件的成膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及成膜装置用部件及具备成膜装置用部件的成膜装置。本发明专利技术的成膜装置用部件具有：暴露于成膜气氛的表面；和喷涂膜，形成于所述表面，且由Al或Al合金或者Cu或Cu合金构成。所述喷涂膜的表面粗糙度Ra[μm]在50～70的范围内。

【技术实现步骤摘要】
成膜装置用部件及具备成膜装置用部件的成膜装置
本专利技术涉及所附着的膜的密合性及剥离应力缓解效果优异的成膜装置用部件及具备该成膜装置用部件的成膜装置。
技术介绍
近年来，通过在成为减压气氛的成膜室内，使用各种被膜形成方法(例如，溅射法或CVD法等)，在被处理体(例如，Si基板等)上形成各种被膜，从而制造半导体产品。此时，形成在作为目标的被处理体上的被膜无法避免在成膜室内成膜时存在于被处理体周围的各种成膜装置部件上也附着该被膜的现象。成膜次数(批次)越增加则这种现象越显著。即，通常，在每一次成膜操作之后更换被处理体，但在每次成膜操作之后不更换存在于被处理体周围的各种成膜装置用部件。由此，随着反复进行成膜操作，与成膜次数(批次)相应地，成为在成膜装置用部件上重叠有所附着的被膜的状态，即堆积有厚膜的状态。因此，如果附着在成膜装置用部件上的被膜超过密合性的临界点，则该被膜剥离并脱落，并且成为微粒或尘埃等颗粒，该颗粒在成膜室内漂浮，污染成膜室内。如果这种颗粒被引入半导体产品中，则有可能会大幅降低半导体产品的产率。为了解决该问题，在现有的成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种成膜装置用部件，具有：/n暴露于成膜气氛的表面；和/n喷涂膜，形成在所述表面，并且由Al或Al合金或者Cu或Cu合金构成，/n所述喷涂膜的表面粗糙度Ra在50μm～70μm的范围内。/n

【技术特征摘要】
20190527 JP 2019-0986471.一种成膜装置用部件，具有：
暴露于成膜气氛的表面；和
喷涂膜，形成在所述表面，并且由Al或Al合金或者Cu或Cu合金构成，
所述喷涂膜的表面粗糙度Ra在50μm～70μm的范围内。


2.根据权利要求1所述的成膜装置用部件，其中，
所述喷涂膜的密合力为6kg/m2以上。


3.根据权利要求1所述的成膜装置用部件，其中，
所述Al合金的添加元素为Si或Ti。


4.根据权利要求1所述的成膜装置用部件，其中，
所...

【专利技术属性】
技术研发人员：门脇豊，吉田敏伸，赤瀬仁荣，高山孝信，
申请(专利权)人：日本爱发科泰克能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP