成膜装置用部件及具备成膜装置用部件的成膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及成膜装置用部件及具备成膜装置用部件的成膜装置。本发明专利技术的成膜装置用部件具有：暴露于成膜气氛的表面；和喷涂膜，形成于所述表面，且由Al或Al合金或者Cu或Cu合金构成。所述喷涂膜的表面粗糙度Ra[μm]在50～70的范围内。

【技术实现步骤摘要】
成膜装置用部件及具备成膜装置用部件的成膜装置
本专利技术涉及所附着的膜的密合性及剥离应力缓解效果优异的成膜装置用部件及具备该成膜装置用部件的成膜装置。
技术介绍
近年来，通过在成为减压气氛的成膜室内，使用各种被膜形成方法(例如，溅射法或CVD法等)，在被处理体(例如，Si基板等)上形成各种被膜，从而制造半导体产品。此时，形成在作为目标的被处理体上的被膜无法避免在成膜室内成膜时存在于被处理体周围的各种成膜装置部件上也附着该被膜的现象。成膜次数(批次)越增加则这种现象越显著。即，通常，在每一次成膜操作之后更换被处理体，但在每次成膜操作之后不更换存在于被处理体周围的各种成膜装置用部件。由此，随着反复进行成膜操作，与成膜次数(批次)相应地，成为在成膜装置用部件上重叠有所附着的被膜的状态，即堆积有厚膜的状态。因此，如果附着在成膜装置用部件上的被膜超过密合性的临界点，则该被膜剥离并脱落，并且成为微粒或尘埃等颗粒，该颗粒在成膜室内漂浮，污染成膜室内。如果这种颗粒被引入半导体产品中，则有可能会大幅降低半导体产品的产率。为了解决该问题，在现有的成膜装置中，作为配置在成膜室内的成膜装置用部件，已知有在部件的表面设置有各种喷涂膜的成膜装置用部件(专利文献1)。与实施喷砂(blast)处理的表面相比，喷涂膜的表面粗糙度一般较大。因此，已知喷涂膜容易获得附着在喷涂膜上的被膜(以下，称为附着膜)的锚固效果。另外，由于喷涂膜与附着膜的接触面积变大，因此具有附着膜难以从喷涂膜剥离的倾向。此外，喷涂膜具有某种程度的空穴率，并且因该空穴的存在而容易稍微变形，根据其变形程度缓解附着膜的剥离应力，这也是公知的。然而，在作为通过溅射形成有附着膜的溅射膜的情况下，由于溅射膜具有较高的内部应力，因此并不一定能满意地得到上述效果。即，如前述，在通过反复进行成膜操作而堆积溅射膜的情况下，形成具有较大厚度的溅射膜。在该状态下，如下问题变得显著：即，附着在成膜装置用部件上的溅射膜容易超过密合性的临界点，该溅射膜剥离并脱落，发生微粒或尘埃等颗粒，该颗粒在成膜室内漂浮，污染成膜室内。因此，期待开发对于内部应力高的附着膜难以引起剥离及脱落的发生的成膜装置用部件及具备该成膜装置用部件的成膜装置。专利文献1：日本专利第4382532号公报
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题而提出的，其目的是提供一种成膜装置用部件及具备该成膜装置用部件的成膜装置，该成膜装置用部件对于内部应力高的附着膜不易引起剥离及脱落的发生。本专利技术的一方式所涉及的成膜装置用部件具有：暴露于成膜气氛的表面；和喷涂膜，形成在所述表面，并且由Al或Al合金或者Cu或Cu合金构成，所述喷涂膜的表面粗糙度Ra[μm]在50～70的范围内。在本专利技术的一方式所涉及的成膜装置用部件中，所述喷涂膜的密合力[kg/m2]可以是6以上。在本专利技术的一方式所涉及的成膜装置用部件中，所述Al合金的添加元素可以是Si或Ti。在本专利技术的一方式所涉及的成膜装置用部件中，所述Cu合金的添加元素可以是Al。本专利技术的一方式所涉及的成膜装置具备：成膜室；和成膜装置用部件，配置在所示成膜室内，并且在表面形成有喷涂膜，所述喷涂膜由Al或Al合金或者Cu或Cu合金构成，所述喷涂膜的表面粗糙度Ra[μm]在50～70的范围内。在本专利技术的一方式所涉及的成膜装置中，所述喷涂膜的密合力[kg/m2]可以是6以上。在本专利技术的一方式所涉及的成膜装置中，所述Al合金的添加元素可以是Si或Ti。在本专利技术的一方式所涉及的成膜装置中，所述Cu合金的添加元素可以是Al。本专利技术的一方式所涉及的成膜装置用部件具有：暴露于成膜气氛的表面；和喷涂膜，形成在所述表面，并且由Al或Al合金或者Cu或Cu合金构成，所述喷涂膜的表面粗糙度Ra[μm]在50～70的范围内。由此，能够得到对内部应力高的附着膜难以引起剥离及脱落发生的成膜装置用部件。本专利技术的一方式所涉及的成膜装置具备：成膜室；和成膜装置用部件，配置在所示成膜室内，并且在表面形成有喷涂膜，所述喷涂膜由Al或Al合金或者Cu或Cu合金构成，所述喷涂膜的表面粗糙度Ra[μm]在50～70的范围内。由此，设置在成膜装置用部件的表面的喷涂膜对于内部应力高的附着膜不易产生剥离及脱落，因此能够抑制颗粒的产生。本专利技术有助于提供尤其附着膜对内部应力高的溅射膜也能够得到该效果的成膜装置。附图说明图1是表示本专利技术的实施方式所涉及的成膜装置的一例的概略结构图。图2是表示本专利技术的实施方式所涉及的成膜装置用部件的一例的主要部分放大剖视图。图3是用于说明电弧喷涂法的示意图。具体实施方式图1是作为本实施方式所涉及的成膜装置10的一例表示溅射装置的概略结构图。真空槽1整体由不锈钢(例如，SUS304)制作，真空槽1的内部空间构成为成膜室20。在成膜室20中连接有：工艺气体的导入管8，与工艺气体供给装置(工艺气体供给机构，未图示)相连；和排气管9，在与导入管8相对的位置上与真空排气装置(真空排气机构、未图示)相连。经由排气管9通过排气装置(排气机构，未图示)将作为真空槽1的内部空间的成膜室20进行真空排气。在成膜室20中，作为与高频电源2电连接的阴极电极发挥功能的靶T和作为阳极发挥功能的基板保持架4平行相对配置。在靶T的背后，中央部的圆柱状磁铁6和外周部的圆柱状磁铁6'被配置为极性彼此相反。一部分磁力线泄漏到靶T的表面上，并且与该表面平行。在基板保持架4上载置有基板W，并且电连接有脉冲电源(未图示)。在基板保持架4的背后配置有温度控制装置5(温度控制机构)，该温度控制装置5用于将基板W控制在规定的温度。在基板W与靶T之间设置有挡板7，该挡板7在与基板W呈水平的面内能够旋转，从而将该挡板7的位置变更为能够对基板W成膜的位置和遮蔽成膜的位置。挡板7由不锈钢(例如，SUS340)制作。挡板7为本实施方式所涉及的一种成膜装置用部件。图2是挡板7的主要部分放大剖视图。挡板7在成膜室20中暴露于成膜气氛的表面形成有由Al或Al合金构成的喷涂膜3。并且，该喷涂膜3的表面粗糙度Ra[μm]在50～70的范围内。在喷涂膜3为Al合金的情况下，优选添加元素为Si或Ti。在喷涂膜3为Cu合金的情况下，添加元素优选为Al。作为喷涂法，可使用电弧喷涂法、火焰喷涂法或等离子体喷涂法等，但为了实现本专利技术，优选电弧喷涂法。根据电弧喷涂法，可形成表面粗糙度Ra[μm]在50～70的范围内且密合力[kg/m2]为6以上的喷涂膜3。由此，能够得到对内部应力高的附着膜不易引起剥离或脱落发生的成膜装置用部件。图3是用于说明电弧喷涂法的示意图。通过在沿图3所示的箭头方向连续进给的两根喷涂材料(Spraycoatingwire)的前端发生直流电弧放电而进行电弧喷涂。具体而言，通过在该两根喷涂材料之间施加规定的电压/电流，从而在该两根喷涂材料的前端附近的区域发生电弧(Arcing)。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种成膜装置用部件，具有：/n暴露于成膜气氛的表面；和/n喷涂膜，形成在所述表面，并且由Al或Al合金或者Cu或Cu合金构成，/n所述喷涂膜的表面粗糙度Ra在50μm～70μm的范围内。/n

【技术特征摘要】
20190527 JP 2019-0986471.一种成膜装置用部件，具有：
暴露于成膜气氛的表面；和
喷涂膜，形成在所述表面，并且由Al或Al合金或者Cu或Cu合金构成，
所述喷涂膜的表面粗糙度Ra在50μm～70μm的范围内。


2.根据权利要求1所述的成膜装置用部件，其中，
所述喷涂膜的密合力为6kg/m2以上。


3.根据权利要求1所述的成膜装置用部件，其中，
所述Al合金的添加元素为Si或Ti。


4.根据权利要求1所述的成膜装置用部件，其中，
所...

【专利技术属性】
技术研发人员：门脇豊，吉田敏伸，赤瀬仁荣，高山孝信，
申请(专利权)人：日本爱发科泰克能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP