一种GT35球碗零件内表面TiN厚膜制备方法技术

本发明专利技术公开了一种GT35球碗零件内表面TiN厚膜制备方法，球碗零件置于真空炉内抽真空并加热，通入氩气进行氩离子刻蚀，氩离子刻蚀完成后开启靶材对零件表面镀打底层，打底层将零件表面全覆盖后对零件表面沉积氮化钛过渡层，过渡层包括氮化钛第一过渡层和氮化钛第二过渡层，沉积氮化钛第一过渡层的弧电电流为60A弧电电压为180V，沉积时长为30分钟；在该氮化钛第一过渡层基础上沉积氮化钛层第二过渡层，沉积该氮化钛第二过渡层的弧电电流为120A弧电电压200V，沉积时长为20分钟，氮化钛第一过渡层和氮化钛第二过渡层交替沉积多次直至总厚度大于等于10μm形成过渡层，在过渡层上沉积氮化钛功能层，功能层沉积完成后即可冷却出炉。

【技术实现步骤摘要】
一种GT35球碗零件内表面TiN厚膜制备方法
本专利技术涉及一种无力气相沉积工艺，尤其涉及针对GT35球碗零件内表面制备TiN厚膜的工艺方法。
技术介绍
在PVD行业中，TiN膜层由于柱状晶结构的影响，膜层内应力过大，一出现膜层开裂、脱落、起皮等缺陷引起膜层失效，采用常规工艺方法沉积的TiN膜层的厚度一般均在5μm以下，很难满足球碗要求的15μm以上膜层厚度要求。
技术实现思路
为了解决现有技术中的不足，提供一种膜层厚度达到15μm以上且结合力好，不易开裂、脱落、起皮的GT35球碗零件内表面TiN厚膜制备方法：一种GT35球碗零件内表面TiN厚膜制备方法，球碗零件置于真空炉内抽真空并加热至指定温度，通入氩气对零件表面进行氩离子刻蚀，氩离子刻蚀完成后开启靶材对零件表面镀打底层，打底层对零件表面全覆盖后通入饱和量的氮气并开启钛靶对零件表面沉积氮化钛过渡层，过渡层包括氮化钛第一过渡层和氮化钛第二过渡层，沉积氮化钛第一过渡层的弧电电流为60A弧电电压为180V，沉积时长为30分钟；在该氮化钛第一过渡层基础上沉积氮化钛层第二过渡层，沉本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种GT35球碗零件内表面TiN厚膜制备方法，其特征在于：球碗零件置于真空炉内抽真空并加热至指定温度，通入氩气对零件表面进行氩离子刻蚀，氩离子刻蚀完成后开启靶材对零件表面镀打底层，打底层将零件表面全覆盖后通入饱和量的氮气并开启钛靶对零件表面沉积氮化钛过渡层，过渡层包括氮化钛第一过渡层和氮化钛第二过渡层，沉积氮化钛第一过渡层的弧电电流为60A弧电电压为180V，沉积时长为30分钟；在该氮化钛第一过渡层基础上沉积氮化钛层第二过渡层，沉积该氮化钛第二过渡层的弧电电流为120A弧电电压200V，沉积时长为20分钟，氮化钛第一过渡层和氮化钛第二过渡层交替沉积多次直至总厚度大于等于10μm形成过渡层，...

【技术特征摘要】
1.一种GT35球碗零件内表面TiN厚膜制备方法，其特征在于：球碗零件置于真空炉内抽真空并加热至指定温度，通入氩气对零件表面进行氩离子刻蚀，氩离子刻蚀完成后开启靶材对零件表面镀打底层，打底层将零件表面全覆盖后通入饱和量的氮气并开启钛靶对零件表面沉积氮化钛过渡层，过渡层包括氮化钛第一过渡层和氮化钛第二过渡层，沉积氮化钛第一过渡层的弧电电流为60A弧电电压为180V，沉积时长为30分钟；在该氮化钛第一过渡层基础上沉积氮化钛层第二过渡层，沉积该氮化钛第二过渡层的弧电电流为120A弧电电压200V，沉积时长为20分钟，氮化钛第一过渡层和氮化钛第二过渡层交替沉积多次直至总厚度大于等于10μm形成过渡层，在过渡层上...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵显伟，毕新儒，
申请(专利权)人：陕西航天时代导航设备有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61