【技术实现步骤摘要】
一种基于GT35球碗零件内表面制备TiN厚膜的方法
本专利技术涉及一种物理气相沉积工艺,尤其涉及针对GT35球碗零件内表面制备TiN厚膜的工艺方法。
技术介绍
在PVD行业中,TiN膜层由于柱状晶结构的影响,膜层内应力过大,一出现膜层开裂、脱落、起皮等缺陷引起膜层失效,采用常规工艺方法沉积的TiN膜层的厚度一般均在5μm以下,很难满足球碗要求的15μm以上膜层厚度要求。
技术实现思路
为了解决现有技术中的不足,提供一种膜层厚度能达到15微米以上且结合力好,膜层不易开裂、脱落、起皮的氮化钛镀膜方法:一种基于GT35球碗零件内表面制备TiN厚膜的方法,将零件置于真空炉内抽真空并加热,随后向真空炉内通入氩气对球碗内表面进行氩离子刻蚀,完成氩离子刻蚀后开启钛靶在刻蚀后的球碗内表面镀打底层,打底层将球碗零件内表面全覆盖后钛靶继续工作,并开始通入非饱和量的氮气沉积过渡层,氮气通入量随沉积时间阶梯增加,形成钛和氮化钛共存的过渡层,沉积时间随氮气通入量的增加而延长,当过渡层厚度大于等于10μm后开始持续通入饱和量的氮气沉积形成氮化钛层,该氮化钛层大于等于6μm后即可冷却出炉。进一步的,在氩离子刻蚀、镀打底层、沉积过渡层以及沉积氮化钛层时温度控制在360~400℃。进一步的,初始炉内压为4×10-5mbar,氩离子刻蚀、镀打底层以及沉积氮化钛层时炉内压均保持在3×10-2mbar;沉积过渡层分时分三次不同氮气量实施,氮气量通过炉内压控制,沉积过渡层时炉内压依次为6×10-3mbar、1×10-2mb ...
【技术保护点】
1.一种基于GT35球碗零件内表面制备TiN厚膜的方法,其特征在于:将零件置于真空炉内抽真空并加热,随后向真空炉内通入氩气对球碗内表面进行氩离子刻蚀,完成氩离子刻蚀后开启钛靶在刻蚀后的球碗内表面镀打底层,打底层将球碗零件内表面全覆盖后钛靶继续工作,并开始通入非饱和量的氮气沉积过渡层,氮气通入量随沉积时间阶梯增加,形成钛和氮化钛共存的过渡层,沉积时间随氮气通入量的增加而延长,当过渡层厚度大于等于10μm后开始持续通入饱和量的氮气沉积形成氮化钛层,该氮化钛层大于等于6μm后即可冷却出炉。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种基于GT35球碗零件内表面制备TiN厚膜的方法,其特征在于:将零件置于真空炉内抽真空并加热,随后向真空炉内通入氩气对球碗内表面进行氩离子刻蚀,完成氩离子刻蚀后开启钛靶在刻蚀后的球碗内表面镀打底层,打底层将球碗零件内表面全覆盖后钛靶继续工作,并开始通入非饱和量的氮气沉积过渡层,氮气通入量随沉积时间阶梯增加,形成钛和氮化钛共存的过渡层,沉积时间随氮气通入量的增加而延长,当过渡层厚度大于等于10μm后开始持续通入饱和量的氮气沉积形成氮化钛层,该氮化钛层大于等于6μm后即可冷却出炉。
2.根据权利要求1所述的一种基于GT35球碗内表面制备TiN厚膜的方法,其特征在于:在氩离子刻蚀、镀打底层、沉积过渡层以及沉积氮化钛层时温度控制在360~400℃。
技术研发人员:赵显伟,毕新儒,
申请(专利权)人:陕西航天时代导航设备有限公司,
类型:发明
国别省市:陕西;61
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