本申请实施例提供了一种补充刻蚀方法、半导体刻蚀设备，该方法包括：获取当前的实际刻蚀深度，判断实际刻蚀深度是否达到目标刻蚀深度；若实际刻蚀深度未达到目标刻蚀深度，基于实际刻蚀深度、目标刻蚀深度、常规刻蚀的刻蚀深度、常规刻蚀的循环执行次数、...

本申请实施例提供了工艺腔室漏率检测方法、半导体工艺设备，该方法包括：实时确定工艺腔室是否满足漏率检测条件，若是，将工艺腔室的漏率检测指示参数设置为指示需要进行漏率检测；实时监控工艺腔室的漏率检测指示参数，在监控到漏率检测指示参数指示需要...

本发明公开了一种升降机构运行速度的控制方法，方法包括：实时获取所述升降机构在升降过程中的实际位置；基于所述实际位置以及预存的多个升降位置与多个升降阶段的一一对应关系，判断所述升降机构当前所属的升降阶段；基于所述升降机构当前所属的升降阶段...

本发明提供一种半导体工艺设备和等离子体启辉方法，其中，半导体工艺设备包括：反应腔室；进气组件，用于向所述反应腔室中通入反应气体；上电极组件，用于将所述反应气体激发成等离子体；监测器，用于在所述等离子体点火时，监测所述反应腔室中等离子体的...

本申请提供一种薄膜沉积方法及基片，该薄膜沉积方法，包括循环执行以下步骤，直至基片上沉积的薄膜的厚度达到目标厚度：沉积步骤，将基片传入第一工艺腔室，向第一工艺腔室内通入沉积气体，将沉积气体激发为等离子体，使等离子体轰击第一工艺腔室中的靶材...

本发明提供一种反应容器及碳化硅合成装置，该反应容器包括用于容纳粉料的容器本体和至少一个用于传递热量的导热件，容器本体和导热件均为石墨材质；导热件设置于容器本体的底壁上，且导热件可拆卸地设置于容器本体的中心区域。应用本发明可以增大碳化硅原...

本发明实施例提供一种原子层沉积设备及清洗方法，该原子层沉积设备包括反应腔室和清洗装置，该清洗装置包括等离子体发生器、第一进气管路以及第二进气管路，等离子体发生器用于将毒性满足安全性要求的含氟气体离化形成等离子体，第一进气管路连接等离子体...

本发明提供一种半导体工艺设备的反应腔室、半导体工艺设备和膜层沉积方法，其中，反应腔室包括：监测模块、沉积模块以及控制模块；沉积模块用于在一个沉积周期中执行多次沉积步骤，每次沉积步骤均包括：向反应腔室中通入前驱体以及对反应腔室施加射频电场...

本发明提供一种电路组件，用于检测半导体工艺设备中下电极上的脉冲调制信号，电路组件包括射频信号检波电路，射频信号检波电路用于将脉冲调制信号转化为调制前的脉冲信号，并检测脉冲信号得到检测脉冲信号，电路组件还包括检波结果处理电路组，检波结果处...

本申请提供一种硅片的刻蚀方法，包括交替执行的以下步骤：主刻蚀步骤：向半导体工艺设备的工艺腔室内通入主刻蚀气体，以对所述硅片进行刻蚀，直至获得具有指定深宽比的沟槽或通孔；辅刻蚀步骤：向所述工艺腔室内通入辅刻蚀气体，以继续对执行了所述主刻蚀...

本发明提供一种半导体工艺设备及其工艺腔室，该半导体工艺腔室包括承载装置和设置于承载装置上方的多相流喷嘴阵列，承载装置用于承载待清洗件，多相流喷嘴阵列用于朝向待清洗件的待清洗表面喷淋清洗介质，其中，多相流喷嘴阵列在待清洗件径向上的最大尺寸...

本申请实施例提供了一种半导体清洗设备及其承载装置。该承载装置包括：卡盘组件包括卡盘及转接件，转接件设置于卡盘的底部，并且与卡盘同心设置，卡盘用于承载晶圆；承载组件包括承载件及伸缩结构，承载件的容置腔用于容置转接件并且与转接件旋转定位，驱...

本发明提供一种废气处理装置及半导体设备，废气处理装置包括处理腔体、过滤组件、支撑组件和抽气部件，支撑组件设置在处理腔体中，将处理腔体的内部空间分为第一处理腔和第二处理腔；支撑组件上设有供废气通过的通气结构，废气通过抽气部件从第一处理腔经...

本申请公开一种半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备，所公开的反应腔室中：端盖部通过铰链机构与腔室本体铰接，安装件可拆卸地设置于腔室本体上，端盖本体活动设置于安装件上，匀流装置设置于端盖本体朝向腔室本体的一侧；绝缘调节件包括绝缘调节基...

本申请实施例提供一种点火装置及氧化退火设备，该点火装置包括点火腔、第一进气管和多根第二进气支管，其中：第一进气管具有第一进气管壁，所有第二进气支管均位于第一进气管壁的内部，第二进气支管与第一进气管壁之间具有一定间距，相邻两根第二进气支管...

本实用新型公开一种半导体热处理设备及其晶舟，晶舟包括多个舟片，多个所述舟片间隔设置并通过多个连接件互相连接，所述多个连接件中的一个或多个连接件的一侧设置有第一加强件，所述第一加强件用于连接所述多个舟片，相邻的两个所述舟片之间设置有隔离件...

本发明公开一种半导体设备及其下电极，下电极包括基座；绝缘件，所述绝缘件固定于所述基座上，所述绝缘件设有至少三个安装通孔；至少三个压力检测支撑部，至少三个所述压力检测支撑部一一对应地安装在至少三个所述安装通孔内，所述至少三个压力检测支撑部...

本发明公开一种半导体设备的维护装置，该维护装置用于在维护半导体设备时保护半导体设备的反应腔室的洁净度和收集反应腔室内的气体，该维护装置包括壳体、吹扫组件和气体收集组件；壳体用于罩设反应腔室，壳体用于与反应腔室围合形成操作空间；壳体开设有...

本发明提供一种半导体工艺设备及其观察窗清洁方法，其中，该半导体工艺设备包括工艺腔室、坩埚和温度监测组件，坩埚设置在工艺腔室中，坩埚的顶部具有与坩埚的内腔连通的顶开口，工艺腔室的顶壁具有观察窗，温度监测组件用于透过观察窗和顶开口监测坩埚内...

本发明公开一种半导体工艺设备的点火装置及半导体工艺设备，其中，点火装置包括燃烧腔以及与所述燃烧腔均相连通的氧气管路和氢气管路，其中，所述氧气管路套设于所述氢气管路之外，所述燃烧腔开设有第一进气孔和第二进气孔，所述氢气管路通过所述第一进气...