本发明公开一种立式热处理设备及其炉体装卸方法和转运装置，所公开的立式热处理设备包括壳体和炉体，所述壳体具有内腔和第一承载板，所述第一承载板设置于所述内腔，并将所述内腔沿高度方向从上到下依次分隔为炉体腔室和装卸腔室，所述第一承载板设置有避...

本申请公开一种尾气装置，所公开的尾气装置包括壳体和尾气导流件，尾气导流件设置于壳体内，尾气导流件将壳体分为导流腔和排气腔，导流腔设有进气口，进气口用于通入半导体工艺腔室排出的尾气；排气腔设有排气口，用于排出尾气；尾气导流件的中部设有贯通...

本发明公开一种外延设备及其测温装置，用于测量位于工艺腔室内的被测物体的温度，工艺腔室朝向测温装置的一侧设有测温窗，测温装置包括：红外测温部，所述红外测温部固定安装于所述工艺腔室之外，且沿所述测温窗的轴向，所述红外测温部的投影位于所述测温...

本发明提供一种半导体工艺设备中的工艺腔室及半导体工艺设备，其中，工艺腔室包括腔室本体和腔室盖，腔室盖用于密封腔室本体，腔室盖包括盖体组件和支撑组件，盖体组件与腔室本体可转动地连接，且盖本组件可相对于腔室本体升降；支撑组件与盖体组件连接，...

本发明公开一种药液中颗粒物浓度的检测装置及半导体工艺设备，检测装置用于检测工艺槽中药液的颗粒物浓度，检测装置包括进液管、出液管和检测组件；检测组件包括第一阻光壳体、超声波发射器和光信号采集设备，第一阻光壳体通过进液管和出液管与工艺槽相连...

本发明公开一种射频装置及半导体设备，射频装置应用于半导体设备，所述射频装置包括射频线圈和驱动件，所述射频线圈包括柔性连接件和多个子线圈段，所述柔性连接件为导电材质，相邻的所述子线圈段通过所述柔性连接件连接成所述射频线圈，所述射频线圈用于...

本发明公开一种上电极组件及半导体工艺设备，该上电极组件用于半导体工艺设备馈入射频能量。所公开的上电极组件包括射频连接部、线圈连接部和导向套，导向套具有相背设置的第一端面和第二端面，第二端面开设有向导向套的内部延伸的安装空间，安装空间内设...

本发明公开一种承载装置及半导体反应腔室，承载装置用于半导体反应腔室承载待加工件，承载装置包括静电卡盘、聚焦环组件、聚焦环顶针和驱动装置；静电卡盘设置于半导体反应腔室内，且用于承载待加工件；聚焦环组件包括：上聚焦环和下聚焦环，下聚焦环环设...

本申请公开了一种半导体工艺设备及其法拉第杯，其中法拉第杯包括电源部、杯体和杯口组件，上述的杯口组件设置在杯体的杯口上，杯口组件包括第一电极层和第二电极层。第一电极层设置在杯口上方，同时第一电极层与杯体绝缘，第二电极层设置在第一电极层的上...

本申请公开一种半导体清洗设备及其夹持机构，所公开的夹持机构包括基部、转轴、支架和驱动装置，其中：转轴可转动地设置于基部上，驱动装置和支架均设置于基部上，驱动装置与转轴驱动相连，且驱动装置驱动转轴在第一位置与第二位置之间转动，转轴与支架中...

本发明提供了一种超声波清洗装置、半导体设备及其控制方法，涉及半导体加工技术领域，其中，超声波清洗装置包括：超声波发生模块、检测模块和多个并联的超声波换能模块；超声波发生模块分别与供电电源和多个超声波换能模块连接，用于向每个超声波换能模块...

本发明公开了一种氧化物层中深孔铝的填充方法，包括：在氧化层的上表面、深孔的孔壁及深孔的底部沉积金属钛和氮化钛，形成粘附层；在粘附层上沉积金属钨，形成阻挡层；在阻挡层上沉积金属铝，形成铝薄膜；在铝薄膜上以预设温度沉积金属铝至完全填充深孔；...

本发明实施例提供一种等离子体浸没离子注入设备，包括：工艺腔，在工艺腔中设置有基座，且工艺腔接地，基座与偏压电源电连接；介质筒，设置在工艺腔的顶部，且与工艺腔的内部连通；并且，介质筒的内径由上而下逐渐增大；匀气部件，采用第一导电材料制成，...

本发明提供了一种声波清洗装置及晶圆清洗设备，涉及半导体集成电路加工清洗设备领域，为解决现有晶圆表面清洗装置无法去除不同尺寸颗粒污染物的问题而设计。该声波清洗装置用于晶圆清洗设备，包括换能器，换能器包括振子、传导件和振动件，振子通过传导件...

本发明公开一种氧化物薄膜的制备方法，包括：将待沉积薄膜的晶圆放入反应腔室的基座上；向反应腔室内通入氩气和氧气的混合气体，对靶材施加直流功率和射频功率，使该混合气体形成等离子体，该等离子体轰击靶材，以在晶圆上形成氧化物薄膜；停止对靶材施加...

本发明实施例提供一种碳化硅籽晶粘接方法，其包括：在籽晶托的粘接面上形成第一有机层，用以降低籽晶托的孔隙率；在碳化硅籽晶的粘接面上形成第二有机层，用以保护碳化硅籽晶；将柔性阻隔片的两个表面分别与籽晶托上的所述第一有机层和碳化硅籽晶上的第二...

本发明公开了一种硅原子层刻蚀方法，包括：步骤1：将待刻蚀的硅晶圆放入反应腔室；步骤2：向反应腔室内通入氧化氛围气体，将氧化氛围气体电离成等离子体，使硅晶圆裸露的表层原子发生氧化反应，生成固态的硅氧反应产物；步骤3：向反应腔室内通入刻蚀气...

本发明实施例提供一种压力控制装置及半导体加工设备，该装置包括压力采样部件和气体输送结构，压力采样部件中设置有气体通道，气体通道的两端分别与工艺腔室的排气口和排气装置连接，且气体通道包括变径通道段，变径通道段的内径沿气体流通方向逐渐变化；...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其进气机构。该进气机构设置于半导体工艺设备的工艺腔室上，用于将气体导入工艺腔室内，其包括：包括进气筒组件；进气筒组件内形成有气体通路，并且进气筒组件的两端分别为进气口及出气口；气体通路的内径沿进气口...

本发明提供一种半导体工艺设备的进气装置及半导体工艺设备，其中，半导体工艺设备的进气装置包括第一进气组件和第二进气组件，第一进气组件设置在半导体工艺设备的工艺腔室的进气端，包括第一进气部件和与第一进气部件连通的第一进气管，第二进气组件包括...