【技术实现步骤摘要】
一种气体传输管路升温方法、半导体工艺设备
本申请涉及半导体领域，具体涉及气体传输管路升温方法、半导体工艺设备。
技术介绍
在半导体器件的生产过程中的诸如工艺环节，均需要将相应的用于工艺的气体通过相应的气体传输管路输入到相应的工艺腔室。在低压力化学气相沉积(LPCVD，LowPressureChemicalVaporDeposition)工艺生产过程中需要通入一些特殊气体作为工艺气体，例如二氯硅烷，其常温下一般为液态，而在进行相关工艺时，需要将液态的二氯硅烷转化为气态，通过与多个相连通的气体传输管路输入或输出工艺腔室，来完成工艺。因此，在利用气体传输管路传输气体之前，需要使得用于传输气体的每一个气体传输管路的温度均达到目标温度例如40℃，以避免传输气体时由于传输管路温度过低导致气体冷凝。目前，通常采用的方式为：每一个气体传输管路对应的加热元件均以同一输出功率对气体传输管路进行加热。然而，由于诸如加热元件的安装位置不同、人员安装时包裹气体传输管路的气体传输管路对应加热元件的松紧程度不同等因素，会导致各个气体传输管...
【技术保护点】
1.一种气体传输管路升温方法，应用于半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括多个相连通的气体传输管路，多个所述气体传输管路共同用于运输工艺气体，每一个所述气体传输管路上均设置有测温元件和加热元件，其特征在于，所述方法包括：/n基于每一个所述气体传输管路的在预设时间段的结束时刻的温度，确定每一个所述气体传输管路对应的加热元件的用于同步升温的输出功率，其中，在所述预设时间段，每一个所述气体传输管路对应的加热元件以相同的预设初始输出功率输出；/n对于每一个所述气体传输管路，在所述预设时间段之后控制所述气体传输管路对应的加热元件的输出功率为所述气体传输管路的用于同步升温的输出功率。/n
【技术特征摘要】
1.一种气体传输管路升温方法，应用于半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括多个相连通的气体传输管路，多个所述气体传输管路共同用于运输工艺气体，每一个所述气体传输管路上均设置有测温元件和加热元件，其特征在于，所述方法包括：
基于每一个所述气体传输管路的在预设时间段的结束时刻的温度，确定每一个所述气体传输管路对应的加热元件的用于同步升温的输出功率，其中，在所述预设时间段，每一个所述气体传输管路对应的加热元件以相同的预设初始输出功率输出；
对于每一个所述气体传输管路，在所述预设时间段之后控制所述气体传输管路对应的加热元件的输出功率为所述气体传输管路的用于同步升温的输出功率。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设初始输出功率为所述加热元件的最大功率。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，基于每一个所述气体传输管路的在预设时间段的结束时刻的温度，确定每一个所述气体传输管路对应的加热元件的用于同步升温的输出功率包括：
基于目标气体传输管路在所述结束时刻的温度，计算所述目标气体传输管路在所述预设时间段的升温速度，以及基于所述目标气体传输管路的相邻气体传输管路在所述结束时刻的温度，计算所述相邻气体传输管路在所述预设时间段的升温速度；所述目标气体传输管路为在所述结束时刻温度最低的管路；
计算所述目标气体传输管路在所述预设时间段的升温速度与所述相邻气体传输管路在所述预设时间段的升温速度的升温速度差值；
基于所述升温速度差值，确定所述相邻气体传输管路对应的加热元件的用于同步升温的输出功率；
基于在带动所述目标气体传输管路升温的情况下的所述目标气体传输管路的升温速度，确定除了所述目标气体传输管路和所述相邻气体传输管路之外的其他所述气体传输管路对应的加热元件的输出功率。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述目标气体传输管路对应的加热元件的用于同步升温的输出功率为所述预设初始输出功率，所述相邻气体传输管路对应的加热元件的用于同步升温的输出功率大于所述预设初始输出功率。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测温元件包括：主测温元件和辅助测温元件，其中，在所述主测温元件未出现故障的情况下，所述气体传输管路的温度由所述气体传输管路对应的主测温元件采集，在所述气体传输管路对应的主测温元件出现故障的情况下，所述气体传输管路的温度由所述气体传输管路对应的辅助测温元件采集。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于，在每一个所述气体传输管路的温度均达到目标温度之后，所述方法还包括：
在多个所述气体传输管路包括故障气体传输管路的情况下，增大所述故障气体传输管路的相邻气体传输管路对应的加热元件的输出功率，以使得所述相邻气体传输管路对应的加热元件的输出功率达到增大后...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈志敏，董曼飞，冯金瑞，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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