本发明专利技术提供一种半导体设备中的卡盘组件及半导体工艺设备，其中，卡盘组件包括卡盘和遮挡部件，卡盘包括用于承载待加工件的承载面，遮挡部件包括与承载面相对的遮挡面，遮挡部件的遮挡面上设置有导流结构，卡盘内设置有进气部件，其中，进气部件用于在遮挡部件遮挡承载面时，向导流结构中输送吹扫气体；导流结构用于对输送至其中的吹扫气体进行导流，使吹扫气体对承载面进行吹扫。本发明专利技术提供的半导体设备中的卡盘组件及半导体工艺设备，无需打开工艺腔室即可对卡盘上的污染物进行清理，以能够快捷的对卡盘上的污染物进行清理，并缩短污染物清理所需时间，从而提高半导体工艺设备的利用率。利用率。利用率。
【技术实现步骤摘要】
半导体设备中的卡盘组件及半导体工艺设备
[0001]本专利技术涉及半导体设备
，具体地，涉及一种半导体设备中的卡盘组件及半导体工艺设备。
技术介绍
[0002]物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，简称PVD)工艺，是利用等离子体对靶材进行轰击，使金属原子从靶材中逸出并沉积在晶片上，从而在晶片上形成薄膜。
[0003]在实际应用中，从靶材中逸出的金属原子，不仅会沉积到晶片上，还会沉积到工艺腔室的内壁以及工艺腔室内的其它部件上形成颗粒污染物，当颗粒污染物掉落至工艺中用于吸附晶片的静电卡盘上时，会使得晶片与静电卡盘无法完全贴合，导致静电卡盘无法完全吸附晶片。因此，在物理气相沉积工艺的工艺腔室中，通常还会设置有遮挡盘，遮挡盘用于在工艺腔室完全不工作时，对静电卡盘进行遮挡，以防止颗粒污染物掉落至静电卡盘上。并且，为了节省晶片的消耗，在对新靶材进行轰击或者对工艺腔室进行预热时，通常会使用遮挡盘替代晶片，即，将遮挡盘放置在静电卡盘上方，以使从靶材中逸出的金属原子，沉积到遮挡盘上。
[0004]但是，由于在取放晶片的过程中，即，在将晶片从静电卡盘上移走并移出工艺腔室，以及将晶片传送至工艺腔室内并放置在静电卡盘上的过程中，为了避免遮挡盘与晶片产生干涉，遮挡盘并不会移动至静电卡盘上，并且，通常只有在工艺腔室空闲时间达到二十分钟以上，确保工艺腔室完全不工作时，遮挡盘才会对静电卡盘进行遮挡，因此，虽然工艺腔室中设置有遮挡盘对静电卡盘进行遮挡，但是沉积在工艺腔室内的颗粒污染物，仍然会掉落至静电卡盘上，而一旦静电卡盘上掉落有颗粒污染物，只能打开工艺腔室对静电卡盘进行擦拭，而每一次打开工艺腔室都需要十几个小时的时间对工艺腔室进行恢复，导致工艺腔室的正常使用受到非常严重的影响。
技术实现思路
[0005]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体设备中的卡盘组件及半导体工艺设备，其无需打开工艺腔室即可对卡盘上的污染物进行清理，以能够快捷的对卡盘上的污染物进行清理，并缩短污染物清理所需时间，从而提高半导体工艺设备的利用率。
[0006]为实现本专利技术的目的而提供一种半导体设备中的卡盘组件，包括卡盘和遮挡部件，所述卡盘包括用于承载待加工件的承载面，所述遮挡部件包括与所述承载面相对的遮挡面，所述遮挡部件的所述遮挡面上设置有导流结构，所述卡盘内设置有进气部件，其中，所述进气部件用于在所述遮挡部件遮挡所述承载面时，向所述导流结构中输送吹扫气体；所述导流结构用于对输送至其中的所述吹扫气体进行导流，使所述吹扫气体对所述承载面进行吹扫。
[0007]优选的，所述导流结构包括多个径向尺寸不同的环形导流部，多个所述环形导流
部相互间隔环绕设置，并均相对于所述遮挡面朝向所述承载面凸出；
[0008]且各所述环形导流部上均开设有通气口，所述通气口沿所述环形导流部的径向贯穿所述环形导流部，并贯通至所述环形导流部朝向所述承载面的一侧面，所述通气口用于使各所述环形导流部之间的空间连通，以形成供所述吹扫气体流过的气体通道。
[0009]优选的，各所述环形导流部上均开设有多个所述通气口，多个所述通气口沿所述环形导流部的周向间隔设置。
[0010]优选的，相邻的两个所述环形导流部上的所述通气口交错设置。
[0011]优选的，所述进气部件包括在所述卡盘中开设的通孔，且所述通孔贯通至所述承载面。
[0012]优选的，所述通孔贯通至所述承载面的一端对应于多个所述环形导流部中径向尺寸最小的所述环形导流部的内部空间。
[0013]优选的，各所述环形导流部的厚度的取值范围为2mm-5mm。
[0014]优选的，各所述环形导流部的宽度的取值范围为0.8mm-1.2mm。
[0015]本专利技术还提供一种半导体工艺设备，包括工艺腔室和设置在所述工艺腔室中的卡盘组件，其中，所述卡盘组件采用如本专利技术提供的所述卡盘组件。
[0016]优选的，所述半导体工艺设备还包括抽气部件，所述抽气部件与所述工艺腔室的内部连通，用于对所述工艺腔室的内部进行抽气。
[0017]本专利技术具有以下有益效果：
[0018]本专利技术提供的半导体设备中的卡盘组件，借助设置在卡盘内的进气部件，在遮挡部件遮挡卡盘用于承载待加工件的承载面时，向设置在遮挡部件与承载面相对的遮挡面上的导流结构输送吹扫气体，并借助导流结构对输送至其中的吹扫气体进行导流，使吹扫气体对承载面进行吹扫，从而无需打开工艺腔室即可对卡盘上的污染物进行清理，以能够快捷的对卡盘上的污染物进行清理，并且，由于无需打开工艺腔室即可对卡盘上的污染物进行清理，因此，省去了打开工艺腔室后需要对工艺腔室进行恢复的时间，以能够缩短污染物清理所需时间，从而提高半导体工艺设备的利用率。
[0019]本专利技术提供的半导体工艺设备，借助本专利技术提供的半导体设备中的卡盘组件，无需打开工艺腔室即可对卡盘上的污染物进行清理，以能够快捷的对卡盘上的污染物进行清理，并缩短污染物清理所需时间，从而提高半导体工艺设备的利用率。
附图说明
[0020]图1为本专利技术实施例提供的半导体设备中的卡盘组件的结构示意图；
[0021]图2为本专利技术实施例提供的半导体设备中的卡盘组件及半导体工艺设备的结构示意图；
[0022]图3为本专利技术实施例提供的半导体设备中的卡盘组件的遮挡部件的结构示意图；
[0023]附图标记说明：
[0024]11-卡盘；111-承载面；12-遮挡部件；121-遮挡面；13-进气部件；141-第一环形导流部；142-第二环形导流部；143-第三环形导流部；15-气体通道；151-第一空间；152-第二空间；153-第三空间；16-工艺腔室；161-存储区域；17-旋转传输部件；18-抽气部件；19-波纹管。
具体实施方式
[0025]为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图来对本专利技术提供的半导体设备中的卡盘组件及半导体工艺设备进行详细描述。
[0026]如图1所示，本实施例提供一种半导体设备中的卡盘组件，包括卡盘11和遮挡部件12，卡盘11包括用于承载待加工件的承载面111，遮挡部件12包括与承载面111相对的遮挡面121，遮挡部件12的遮挡面121上设置有导流结构，卡盘11内设置有进气部件13，其中，进气部件13用于在遮挡部件12遮挡承载面111时，向导流结构中输送吹扫气体；导流结构用于对输送至其中的吹扫气体进行导流，使吹扫气体对承载面111进行吹扫。
[0027]本实施例提供的半导体设备中的卡盘组件，借助设置在卡盘11内的进气部件13，在遮挡部件12遮挡卡盘11用于承载待加工件的承载面111时，向设置在遮挡部件12与承载面111相对的遮挡面121上的导流结构输送吹扫气体，并借助导流结构对输送至其中的吹扫气体进行导流，使吹扫气体对承载面111进行吹扫，从而无需打开工艺腔室16即可对卡盘11上的污染物进行清理，以能够快捷的对卡盘11上的污染物进本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体设备中的卡盘组件，包括卡盘和遮挡部件，所述卡盘包括用于承载待加工件的承载面，所述遮挡部件包括与所述承载面相对的遮挡面，其特征在于，所述遮挡部件的所述遮挡面上设置有导流结构，所述卡盘内设置有进气部件，其中，所述进气部件用于在所述遮挡部件遮挡所述承载面时，向所述导流结构中输送吹扫气体；所述导流结构用于对输送至其中的所述吹扫气体进行导流，使所述吹扫气体对所述承载面进行吹扫。2.根据权利要求1所述的卡盘组件，其特征在于，所述导流结构包括多个径向尺寸不同的环形导流部，多个所述环形导流部相互间隔环绕设置，并均相对于所述遮挡面朝向所述承载面凸出；且各所述环形导流部上均开设有通气口，所述通气口沿所述环形导流部的径向贯穿所述环形导流部，并贯通至所述环形导流部朝向所述承载面的一侧面，所述通气口用于使各所述环形导流部之间的空间连通，以形成供所述吹扫气体流过的气体通道。3.根据权利要求2所述的卡盘组件，其特征在于，各所述环形导流部上均开设有多个所述通气口，多个所述通气口沿所述环形导流...
【专利技术属性】
技术研发人员：俞振铎，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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