半导体腔室及退火装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种半导体腔室及退火装置，该半导体腔室包括腔体，以及用于去除该腔体内的金属污染物的吹扫装置，该吹扫装置包括至少两条进气管路和匀流结构，其中，匀流结构设置在腔体内，且具有匀流腔；至少两条进气管路均与匀流腔连通，用于向匀流腔分别输送至少两种气体，以使至少两种气体在匀流腔混合后流入腔体的内部，至少两种气体用于反应生成能够与金属污染物结合的自由基。本发明专利技术实施例提供的半导体腔室及退火装置，其不仅可以有效去除腔室内的金属污染，而且无需拆装清洗腔室，减少了设备维护时间和设备运行成本，从而增加了设备正常运行时间，提高了产能，此外还减少了后续工艺过程中的不确定性和不稳定因素，提高了工艺可靠性。

【技术实现步骤摘要】
半导体腔室及退火装置
本专利技术涉及半导体制造
，具体地，涉及一种半导体腔室及退火装置。
技术介绍
随着集成电路制造技术不断进步、特征尺寸不断缩小，就需要工艺设备不断改进，工艺过程不断优化。例如，对包括金属污染等在内的各项工艺指标都提出了更高的要求，特别是在加工环节，在包括腔室的高纯石英材料的加工成型过程中，往往都不可避免地引入金属污染源，从而恶化工艺后金属污染水平。例如，对于工艺气体为H2的中、高温退火工艺，金属离子在高温下活性增强，相应的检出金属污染数量也随之成倍增加，为了解决金属污染的问题，目前采用的方式是在发现退火装置中的金属污染超标后，对腔室进行拆装清洗，替换可能污染的部件，以及清理相关晶片传送区域。但是，上述拆装清洗的方式不仅增加了设备维护时间，缩短了设备在周期内正常运行时间，降低了产能；而且，拆装清洗后也无法保证能够有效去除残存和持续渗出的金属污染，增加了后续工艺过程中的不确定性和不稳定因素；此外，还需要储备更多更换备件，增加了设备运行成本。
技术实现思路
本专利技术实施例旨在至少解决现有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体腔室，包括腔体，其特征在于，还包括用于去除所述腔体内的金属污染物的吹扫装置，所述吹扫装置包括至少两条进气管路和匀流结构，其中，/n所述匀流结构设置在所述腔体内，且具有匀流腔；/n所述至少两条进气管路均与所述匀流腔连通，用于向所述匀流腔输送至少两种气体，以使所述至少两种气体在所述匀流腔混合后流入所述腔体的内部，所述至少两种气体用于反应生成能够与所述金属污染物结合的自由基。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体腔室，包括腔体，其特征在于，还包括用于去除所述腔体内的金属污染物的吹扫装置，所述吹扫装置包括至少两条进气管路和匀流结构，其中，
所述匀流结构设置在所述腔体内，且具有匀流腔；
所述至少两条进气管路均与所述匀流腔连通，用于向所述匀流腔输送至少两种气体，以使所述至少两种气体在所述匀流腔混合后流入所述腔体的内部，所述至少两种气体用于反应生成能够与所述金属污染物结合的自由基。


2.根据权利要求1所述的半导体腔室，其特征在于，所述匀流结构包括匀流板，所述匀流板将所述腔体分成匀流空间和工艺空间，所述匀流空间用作所述匀流腔；并且，所述匀流板上设置有多个出气孔，用于将所述匀流空间与所述工艺空间相连通；所述至少两条进气管路的出气端均与所述匀流空间连通。


3.根据权利要求2所述的半导体腔室，其特征在于，所述匀流板用于使所述匀流空间位于所述工艺空间的上方；所述至少两条进气管路的出气端自所述腔体的底部竖直向上穿过所述匀流板，并延伸至所述匀流空间中。


4.根据权利要求2或3所述的半导体腔室，其特征在于，多个所述出气孔分布在以所述匀流板的径向截面的中心为圆心，且半径不同的多个圆周上，每一所述圆周上的多个所述出气孔相对于所述圆心均匀分布；
不同的所述圆周上的所述出气孔的直径不同，且所述圆周的直径越小，所述圆周上的所述出气孔的直径和/或数量越小；和/或，
在至少一组相邻的两个所述圆周中，其中一个所述圆周上的各个所述出气孔与其中另一个所述圆周上的各个所述出气孔交错设置。


5.根据权利要求2或3所述的半导体腔室，其特征在于，在所述匀流板的外周壁上，且沿其周向间隔设置有多个第一连接部；...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙妍，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11