一种半导体设备制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体设备，包括工艺炉，工艺炉包括：工艺炉体和自内而外依次环绕工艺炉体设置的保温层和外壳，且工艺炉体与保温层之间设置有第一环形通道；两个环形封堵部，两个环形封堵部分别环绕设置在工艺炉体的两个端部，每个环形封堵部均与外壳密封连接，且每个环形封堵部内均设置有至少一个气道，气道连通于第一环形通道；进风系统，进风系统通过至少一个气道向第一环形通道输送气体。本发明专利技术的有益效果在于，能够解决工艺炉降温速度和保温性不能兼顾的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体设备
本专利技术涉及半导体领域，更具体地，涉及一种半导体设备。
技术介绍
现有光伏扩散机台，没有炉内强制换热设计，反应室降温过程中热量由内至外逐级传导至炉壳实现散热。如果保温层设计减薄，则炉体保温性能会降低，正常工艺过程中的保温功率会变大，增加设备功耗；如果保温层设计加厚，则炉体保温性能加强，散热会减慢，降温速率会变的更小，增加工艺时间，产能提升受限。因此，如何解决工艺炉降温速度和保温性不能兼顾的问题，是目前研究的重要方向。
技术实现思路
本专利技术的目的是提出一种半导体设备，解决工艺炉降温速度和保温性不能兼顾的问题。为实现上述目的，本专利技术提出了一种半导体设备，包括：工艺炉，所述工艺炉包括：工艺炉体和自内而外依次环绕所述工艺炉体设置的保温层和外壳，且所述工艺炉体与所述保温层之间设置有第一环形通道；两个环形封堵部，两个所述环形封堵部分别环绕设置在所述工艺炉体的两个端部，每个所述环形封堵部均与所述外壳密封连接，且每个所述环形封堵部内均设置有至少一个气道，所述气道连通于所述第一环形通道；...

【技术保护点】
1.一种半导体设备，其特征在于，包括：/n工艺炉，所述工艺炉包括：工艺炉体和自内而外依次环绕所述工艺炉体设置的保温层和外壳，且所述工艺炉体与所述保温层之间设置有第一环形通道；两个环形封堵部，两个所述环形封堵部分别环绕设置在所述工艺炉体的两个端部，每个所述环形封堵部均与所述外壳密封连接，且每个所述环形封堵部内均设置有至少一个气道，所述气道连通于所述第一环形通道；/n进风系统，所述进风系统通过至少一个所述气道向所述第一环形通道输送气体。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备，其特征在于，包括：
工艺炉，所述工艺炉包括：工艺炉体和自内而外依次环绕所述工艺炉体设置的保温层和外壳，且所述工艺炉体与所述保温层之间设置有第一环形通道；两个环形封堵部，两个所述环形封堵部分别环绕设置在所述工艺炉体的两个端部，每个所述环形封堵部均与所述外壳密封连接，且每个所述环形封堵部内均设置有至少一个气道，所述气道连通于所述第一环形通道；
进风系统，所述进风系统通过至少一个所述气道向所述第一环形通道输送气体。


2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述环形封堵部包括环形堵头和密封端盖，其中，
所述环形堵头中设置有所述气道；
所述密封端盖设置于所述环形堵头靠近所述工艺炉体端部的一侧，且与所述外壳密封连接，所述密封端盖用于将所述环形堵头密封在所述外壳内。


3.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述环形堵头与所述密封端盖之间设有第二环形通道，且所述密封端盖上设有通口，所述通口通过所述第二环形通道与所述第一环形通道相连通。


4.根据权利要求1所述半导体设备，其特征在于，所述进风系统包括：
鼓风机；
进气三通气动阀，所述进气三通气动阀的第一端口连通于所述鼓风机的出口，所述进气三通气动阀的第二端口和所述进气三通气动阀的第三端口分别与所述工艺炉体两端的所述通口连通。


5.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，还包括制冷...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝晓明，赵文斌，杨来宝，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11