半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备制造技术

本发明专利技术公开一种半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备，反应腔室设置有用于承载晶片的基座，反应腔室包括腔室本体、上电极和驱动机构；上电极包括介质窗和电极壳体，电极壳体包括第一壳体和第二壳体，第一壳体与腔室本体相连接，第一壳体套装于第二壳体，第二壳体可相对于第一壳体移动；驱动机构设置于第一壳体上，且与第二壳体相连接，用于驱动第二壳体远离或靠近基座；介质窗设置于第二壳体中，介质窗可随第二壳体远离或靠近基座。上述方案能解决半导体工艺设备调整腔室GAP值所花费的时间较长，从而造成半导体工艺设备的加工效率较差的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备。
技术介绍
半导体刻蚀设备(刻蚀机)是半导体制造过程中的一种重要的半导体工艺设备。相关技术中，刻蚀机的介质窗底面(或进气喷嘴底面)到晶片上表面的距离为腔室GAP值，在不同的加工工艺中，腔室GAP(工艺间隙)值相差较大，因此刻蚀机需要更换不同的调整支架，以调整介质窗底面(或进气喷嘴底面)至晶片上表面的距离，从而能够满足不同工艺所适合的腔室GAP值。当调整腔室GAP值时，需要将腔室打开，然后在更换调整支架，然而，半导体工艺设备的反应腔室为真空条件，因此需要先对半导体工艺设备的反应腔室进行处理后才能开腔，从而导致调整支架更换步骤复杂，致使半导体工艺设备调整腔室GAP值所花费的时间较长，进而影响半导体工艺设备的加工效率。
技术实现思路
本专利技术公开一种半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备，以解决半导体工艺设备调整腔室GAP值所花费的时间较长，从而造成半导体工艺设备的加工效率较差的问题。为了解决上述问题，本专利技术采用下述技术方案：一种半导体工艺设备的反应腔室，所述反应腔室内设置有用于承载晶片的基座，所述反应腔室包括腔室本体、上电极和驱动机构；所述上电极包括介质窗和电极壳体，所述电极壳体包括第一壳体和第二壳体，所述第一壳体与所述腔室本体相连接，所述第一壳体套装于所述第二壳体，所述第二壳体可相对于所述第一壳体移动；所述驱动机构设置于所述第一壳体上，且与所述第二壳体相连接，用于驱动所述第二壳体远离或靠近所述基座；所述介质窗设置于所述第二壳体中，所述介质窗可随所述第二壳体远离或靠近所述基座。一种半导体工艺设备，包括上述反应腔室。本专利技术采用的技术方案能够达到以下有益效果：本专利技术公开的半导体工艺设备的反应腔室中，驱动机构设置于第一壳体上，且驱动机构与第二壳体相连接，驱动机构能够驱动第二壳体远离或靠近基座，介质窗设置于第二壳体中，因此介质窗可以随着第二壳体远离或靠近基座，进而可以调节介质窗底面至晶片上表面之间的距离，从而实现腔室GAP值的调节。此方案中，电极壳体为两层结构，并且两层结构可以相对移动，进而使得反应腔室无需开腔即可实现对腔室GAP值的调整，进而使得半导体工艺设备在更换加工工艺时，腔室GAP值调整方便，所花费的时间较短，进而提高半导体工艺设备的加工效率。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1为本专利技术实施例公开的反应腔室的剖视图；图2为本专利技术实施例公开的反应腔室的俯视图；图3为本专利技术实施例公开的反应腔室的局部示意图；图4～图6为本专利技术实施例公开的反应腔室的部分结构剖视图；图7为本专利技术实施例公开的反应腔室中，第二壳体的结构示意图；图8为本专利技术实施例公开的反应腔室中，第二壳体的局部剖视图。附图标记说明：100-腔室本体、200-上电极、210-电极壳体、211-第一壳体、2111-倒角、212-第二壳体、2121-第一密封槽、2122-承载台、220-介质窗、230-进气喷嘴、240-上电极线圈、250-匹配器、260-顶盖、300-晶片、400-基座、510-第一密封圈、520-第二密封圈、530-第三密封圈、600-限位槽、700-驱动机构、710-驱动源、720-传动件、800-距离传感器。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术具体实施例及相应的附图对本专利技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。以下结合附图，详细说明本专利技术各个实施例公开的技术方案。如图1～图8所示，本专利技术实施例公开一种半导体工艺设备的反应腔室，所公开的反应腔室具体可以包括腔室本体100、上电极200、驱动机构700和基座400。腔室本体100与上电极200围成反应腔，基座400设置于反应腔内，基座400用于承载晶片，可选地，基座400可以包括静电卡盘和下电极，静电卡盘用于吸附晶片300，晶片300在反应腔内进行刻蚀加工，下电极为静电卡盘提供用于吸附晶片300的吸附电压。上电极200包括介质窗220、电极壳体210、进气喷嘴230、顶板260、上电极线圈240和匹配器250。电极壳体210包括第一壳体211和第二壳体212，第一壳体211与腔室本体100相连接，第一壳体211套装于第二壳体212，第二壳体212可相对于第一壳体211移动。顶板260与第二壳体212形成安装空间，介质窗220、上电极线圈240等部件位于安装空间内，匹配器250安装于顶板260上，匹配器250与上电极线圈240分别设置于顶板260的两侧。进气喷嘴230设置于介质窗220上，进气喷嘴230与反应腔相连通，反应气体经由进气喷嘴230通入反应腔内。匹配器250为上电极线圈240施加射频电压，从而使得上电极线圈240能够产生电离电场，进而使得反应腔内的反应气体被电离。驱动机构700设置于第一壳体211上，且驱动机构700与第二壳体212相连接，驱动机构700用于驱动第二壳体212沿远离或靠近基座400的方向移动，从而驱动第二壳体212远离或靠近基座400。介质窗220设置于第二壳体212中，介质窗220可随第二壳体212沿远离或靠近基座400的方向移动，以使介质窗220可随第二壳体212远离或靠近基座400。可选地，驱动机构700驱动第二壳体212移动的方式有多种，例如，驱动机构700可以是伺服电极，将伺服电机与第二壳体212相连接，伺服电机驱动第二壳体212移动。当然，电机的种类还可以是步进电机、直流无刷电极等，本专利技术实施例对此不作限制。驱动机构700可以设置于反应腔之外，也可以设置于反应腔之内。当驱动机构700设置于反应腔内时，驱动机构700容易与反应腔内的其他部件发生干涉，为此，驱动机构700可以设置于反应腔室之外。具体的操作过程中，当驱动机构700驱动第二壳体212靠近基座400时，由于基座400固定于反应腔内，晶片300又承载于基座400上，因此基座400与介质窗220之间的距离减小，介质窗220底面(或进气喷嘴230底面)到晶片300上表面的距离也减小，从而使得腔室GAP值减小；当驱动机构700驱动第二壳体212远离基座400时，介质窗220底面(或进气喷嘴230底面)到晶片300上表面的距离增大，从而使得腔室GAP值增大。本专利技术公开的实施例中，电极壳体210为两层结构，并且两层结构可以相对移动，进而使得反应腔室无需开腔即可实现对腔室GAP值的调整，进而使本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体工艺设备的反应腔室，所述反应腔室内设置有用于承载晶片的基座(400)，其特征在于，所述反应腔室包括腔室本体(100)、上电极(200)和驱动机构(700)；/n所述上电极(200)包括介质窗(220)和电极壳体(210)，所述电极壳体(210)包括第一壳体(211)和第二壳体(212)，所述第一壳体(211)与所述腔室本体(100)相连接，所述第一壳体(211)套装于所述第二壳体(212)，所述第二壳体可相对于所述第一壳体(211)移动；/n所述驱动机构(700)设置于所述第一壳体(211)上，且与所述第二壳体(212)相连接，用于驱动所述第二壳体(212)远离或靠近所述基座(400)；/n所述介质窗(220)设置于所述第二壳体(212)中，所述介质窗(220)可随所述第二壳体(212)远离或靠近所述基座(400)。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备的反应腔室，所述反应腔室内设置有用于承载晶片的基座(400)，其特征在于，所述反应腔室包括腔室本体(100)、上电极(200)和驱动机构(700)；
所述上电极(200)包括介质窗(220)和电极壳体(210)，所述电极壳体(210)包括第一壳体(211)和第二壳体(212)，所述第一壳体(211)与所述腔室本体(100)相连接，所述第一壳体(211)套装于所述第二壳体(212)，所述第二壳体可相对于所述第一壳体(211)移动；
所述驱动机构(700)设置于所述第一壳体(211)上，且与所述第二壳体(212)相连接，用于驱动所述第二壳体(212)远离或靠近所述基座(400)；
所述介质窗(220)设置于所述第二壳体(212)中，所述介质窗(220)可随所述第二壳体(212)远离或靠近所述基座(400)。


2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述上电极(200)还包括第一密封圈(510)，所述第二壳体(212)的侧壁开设有第一密封槽(2121)，所述第一密封圈(510)位于所述第一密封槽(2121)内，所述第一壳体(211)与所述第二壳体(212)通过所述第一密封圈(510)密封配合。


3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述第一密封圈(510)的数量为多个，所述第一密封槽(2121)的数量为多个，多个所述第一密封圈(510)与多个所述第一密封槽(2121)一一对应。


4.根据权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，所述第一壳体(211)背离所述腔室本体(100)的一端，且靠近所述第二壳体(212)的内侧边缘设置有倒角(2111)。


5.根据权利要求1所述的反...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘珊珊，光娟亮，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11