冷却装置、等离子体加工设备及反应腔室制造方法及图纸

本发明专利技术提供的冷却装置、等离子体产生装置及反应腔室，包括第一冷却环、第二冷却环和设置在二者之间的冷却套筒，第一冷却环中设置有用于输送冷却介质的第一通道，第二冷却环中设置有用于输送冷却介质的第二通道，并且，在冷却套筒中设置有第三通道，第三通道将第一通道和第二通道连通，使第三通道、第一通道和第二通道形成通路。借助直接在冷却套筒中形成的第三通道，能够直接对冷却套筒进行冷却降温，相对现有技术中通过上下冷却环或者缠绕在冷却套筒外周的冷却水路进行导热的方式而言，大大提高了冷却效率，从而使得热量得到有效释放，并减小冷却水路对射频稳定性的影响。

【技术实现步骤摘要】
冷却装置、等离子体加工设备及反应腔室
本专利技术属于微电子加工
，具体涉及一种冷却装置、等离子体加工设备及反应腔室。
技术介绍
立体等离子源能产生更高密度的等离子，从而能够得到更快的刻蚀速率，通过相关的工艺套件能更好的控制等离子体及工艺气体的分布，从调整晶片刻蚀的均匀性和刻蚀形貌。图1为一种常见的立体等离子源的刻蚀设备的结构示意图。如图1所示，等离子体产生腔由进气盖板101、金属腔体102、冷却支撑组件103、陶瓷筒104、射频线圈105、桶固定件106、腔室底板107和工艺套筒108构成，卡盘110安装于真空腔体111上，晶片109放置于卡盘110上，工艺气体由进气盖板101上的进气孔进入真空腔体111所包围的空间内，射频线圈105与匹配器113连接通以射频能量，在陶瓷筒104产生腔中形成等离子体，对卡盘110上的晶片进行刻蚀，工艺套筒108用于在反应过程中对工艺气体及等离子体产生约束，将其限制于晶圆顶部的区域内。反应过程中，等离子体轰击陶瓷筒104，释放出大量热量，因而需要对陶瓷筒104进行散热处理。图2a为现有的陶瓷筒冷却装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种冷却装置，其包括第一冷却环、第二冷却环和设置在二者之间的冷却套筒，所述第一冷却环中设置有用于输送冷却介质的第一通道，所述第二冷却环中设置有用于输送冷却介质的第二通道，其特征在于，/n在所述冷却套筒中设置有第三通道，所述第三通道将所述第一通道和所述第二通道连通，使所述第三通道、所述第一通道和所述第二通道形成通路。/n

【技术特征摘要】
1.一种冷却装置，其包括第一冷却环、第二冷却环和设置在二者之间的冷却套筒，所述第一冷却环中设置有用于输送冷却介质的第一通道，所述第二冷却环中设置有用于输送冷却介质的第二通道，其特征在于，
在所述冷却套筒中设置有第三通道，所述第三通道将所述第一通道和所述第二通道连通，使所述第三通道、所述第一通道和所述第二通道形成通路。


2.根据权利要求1所述的冷却装置，其特征在于，所述第一通道包括沿所述第一冷却环的周向间隔设置的多条第一子通道，所述第二通道包括沿所述第二冷却环的周向间隔设置的多条第二子通道；所述第三通道沿着所述冷却套筒的周向分布，并依次交替地连通所述第一子通道和所述第二子通道，使每个第一子通道和每个第二子通道均形成所述通路的一部分。


3.根据权利要求2所述的冷却装置，其特征在于，所述第三通道为多条，且对应任意一组相应的所述第一子通道和第二子通道，均有一条所述第三通道串接在所述第一子通道的出口/入口与所述第二子通道的入口/出口之间，以使所有的第一子通道、所有的第二子通道和所有的第三通道串接成所述通路。


4.根据权利要求3所述的冷却装置，其特征在于，所述第一子通道的数量与所述第二子通道的数量相同，且均沿着所述冷却套筒的周向均匀设置；并且，在所述冷却套筒的径向截面上，每条所述第二子通道的正投影位于与之相邻的两条所述第一子通道的正投影之间，且每条所述第二子通道的出口和入口的正投影分别和与之相邻的两条所述第一子通道的入口和出口的正投影重合。


5.根据权利要求4所述的冷却装置，其特征在于，每条所述第三通道沿所述冷却套筒的轴向延伸并贯通所述冷却套筒的两端。


6.根据权利要求3所述的冷却装置，其特征在于，所述第一冷却环朝向所述冷却套筒的端面设有多个第一冷却水孔，每一组相邻的两个所述第一冷却水孔分别与对应的一个所述第一子通...

【专利技术属性】
技术研发人员：李璐，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11