等离子体产生组件及等离子体处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种等离子体产生组件及等离子体处理装置，所述组件用于半导体处理装置中，包括内线圈组和外线圈组；所述外线圈组包括至少两个呈环状绕制且同轴的线圈，各线圈形成独立闭合回路；任意一个外线圈组的线圈的直径，大于任意一个内线圈组的线圈的直径，且所述外线圈组被设置为相对于所述内线圈组可移动。由于将外线圈设置成分别包括若干个呈环状绕制的线圈的形式，各线圈可以分别独立控制，且外线圈组可移动，以改变等离子体产生组件产生的磁场分布，进而控制局部分布浓度较高的等离子体均匀扩散，解决了被处理基片局部蚀刻过度或蚀刻不足的问题，改善蚀刻缺陷，提高了产品的质量。

【技术实现步骤摘要】
等离子体产生组件及等离子体处理装置
本技术涉及等离子体处理
，特别涉及等离子体产生组件及等离子体处理装置。
技术介绍
在半导体器件的制造工艺中，利用反应气体生成等离子体，使等离子体作用于被处理基板，例如半导体晶圆，从而对被处理基板实施蚀刻等处理的技术，已经成为半导体制造工艺中的重要一环。而单片式的等离子体处理中，一般使用电容耦合型的等离子体处理装置。然而，传统的电容耦合型的等离子体处理装置，在作为真空腔室构成的处理容器内平行地配置上部电极和下部电极，在下部电极之上载置半导体晶圆，向两电极间施加高频电力。这样一来，在两电极之间产生处理气体的因高频放电而形成的等离子体，通过等离子体中的自由基和离子在基板表面以期望图案实施蚀刻加工。在电容耦合型的等离子体处理装置中，主要控制等离子处理组件生成，以规定的路径贯通处理容器内的处理空间的闭环磁力线，进而控制电场，以控制处理容器内的等离子体密度分布，来改变蚀刻的效果。等离子体产生组件中，用于生成闭环磁力线的内外圈线圈，因匹配电流及线圈本身外形结构的限制，在电源功率以及内外圈电流比例都确定本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体产生组件，用于半导体处理装置中，包括内线圈组和外线圈组，其特征在于：/n所述外线圈组包括至少两个呈环状绕制的线圈，且分别独立形成闭合回路；所述外线圈组的各线圈同轴设置；/n其中，任意一个外线圈组中线圈的直径，大于任意一个内线圈组中线圈的直径，且所述外线圈组被设置为相对于所述内线圈组可移动；/n所述等离子体产生组件还包括：/n移动装置，所述移动装置用于带动所述外线圈组中的各线圈联动或各自独立移动。/n

【技术特征摘要】
1.一种等离子体产生组件，用于半导体处理装置中，包括内线圈组和外线圈组，其特征在于：
所述外线圈组包括至少两个呈环状绕制的线圈，且分别独立形成闭合回路；所述外线圈组的各线圈同轴设置；
其中，任意一个外线圈组中线圈的直径，大于任意一个内线圈组中线圈的直径，且所述外线圈组被设置为相对于所述内线圈组可移动；
所述等离子体产生组件还包括：
移动装置，所述移动装置用于带动所述外线圈组中的各线圈联动或各自独立移动。


2.根据权利要求1所述的一种等离子体产生组件，其特征在于，所述外线圈组的各线圈直径从内向外依次增大。


3.根据权利要求1所述的一种等离子体产生组件，其特征在于，所述移动装置包括：
导轨，所述导轨沿所述外线圈组的外围设置，且不接触所述外线圈组中各线圈；
控制部；
活动部，所述活动部设置在所述导轨上，用于基于所述控制部的控制信号与所述外线圈组中的各线圈连接或断开，及用于沿所述导轨运动以带动所述外线圈组中的各线圈移动。


4.根据权利要求3中所述的等离子体产生组件，其特征在于，所述活动部包括：
连接部，与所述导轨连接，且沿所述导轨移动；及
支撑部，与所述连接部连接，用于与所述外线圈组中的各线圈弹性连接或断开。


5.根据权利要求3所述的等离子体产生组件，其特征在于，所述外线圈组中包括：
第一线圈；
第二线圈，所述第二线圈位于所述第一线圈的外侧；及
第三线圈，所述第三线圈位于所述第二线圈的外侧。


6.根据权利要求5中...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34