半导体工艺装置制造方法及图纸

本申请实施例提供了一种半导体工艺装置。该半导体工艺装置包括：工艺腔室、等离子体源、以及设置在工艺腔室内的调压组件及匀流组件；工艺腔室内形成有反应腔，反应腔内设置有用于承截晶圆的卡盘；调压组件设置于工艺腔室的顶板上，等离子体源通过调压组件与反应腔连通设置，用于产生等离子体；调压组件用于在等离子体源与反应腔之间形成压力梯度；匀流组件设置于反应腔顶部；匀流组件包括匀流板，匀流板设置于反应腔内且位于卡盘的上方，匀流板与卡盘之间的间距可调节设置。本申请实施例可以使等离子体气流更加均匀，不但能提高工艺均匀性和速率，也可减少本申请实施例的运行成本。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺装置
本申请涉及半导体加工
，具体而言，本申请涉及一种半导体工艺装置。
技术介绍
目前，在集成电路(IC)的及半导体制造工艺中，去胶机(StripperorAsher)通常与金属刻蚀机配合使用，晶圆在金属刻蚀机中经过刻蚀后，会进入去胶机中去除残余光刻胶。随着集成电路的发展，半导体晶圆的刻蚀和去胶速率、刻蚀和去胶的均匀性要求越来越高，以提高芯片制造效率和良品率。尤其是随着晶圆面积增大，速率和均匀性的控制就显得更加重要。现有技术中的去腔机一般采用远程等子体源向工艺腔室的反应腔内输送等子体源，并且在反应腔内设置有匀流板(Showerhead)，等离子体在经过匀流板后速度骤减，低速状态的等离子体更容易复合，从而对化学反应产生不利影响，降低了去胶速率。另外很大部分气体从晶圆边缘被抽走也造成了中心区域相对于边缘区域去胶速率低，损失了去胶均匀性，而且也造成了工艺气体的浪费，增加了运行成本。
技术实现思路
本申请针对现有方式的缺点，提出一种半导体工艺装置，用以解决现有技术存在工艺均匀性较差以衣工艺效率较低的技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体工艺装置，用于对晶圆进行除胶工艺，其特征在于，包括：工艺腔室、等离子体源、以及设置在所述工艺腔室内的调压组件及匀流组件；/n所述工艺腔室内形成有反应腔，所述反应腔内设置有用于承截晶圆的卡盘；/n所述调压组件设置于所述工艺腔室的顶板上，所述等离子体源通过所述调压组件与所述反应腔连通设置，用于产生等离子体；所述调压组件用于在所述等离子体源与所述反应腔之间形成压力梯度；/n所述匀流组件设置于所述反应腔顶部；所述匀流组件包括匀流板，所述匀流板设置于所述反应腔内且位于所述卡盘的上方，所述匀流板与所述卡盘之间的间距可调节设置。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺装置，用于对晶圆进行除胶工艺，其特征在于，包括：工艺腔室、等离子体源、以及设置在所述工艺腔室内的调压组件及匀流组件；
所述工艺腔室内形成有反应腔，所述反应腔内设置有用于承截晶圆的卡盘；
所述调压组件设置于所述工艺腔室的顶板上，所述等离子体源通过所述调压组件与所述反应腔连通设置，用于产生等离子体；所述调压组件用于在所述等离子体源与所述反应腔之间形成压力梯度；
所述匀流组件设置于所述反应腔顶部；所述匀流组件包括匀流板，所述匀流板设置于所述反应腔内且位于所述卡盘的上方，所述匀流板与所述卡盘之间的间距可调节设置。


2.如权利要求1所述的半导体工艺装置，其特征在于，所述匀流组件还包括有调节板，所述调节板的底部与所述匀流板的边缘连接，所述调节板的顶部与所述工艺腔室的侧壁连接，通过调整所述调节板的高度尺寸以调节所述匀流板与所述卡盘之间的间距。


3.如权利要求2所述的半导体工艺装置，其特征在于，所述匀流组件还包括有法兰，所述法兰的内缘与所述在调节板的顶部连接，并且所述法兰设置于所述工艺腔室的侧壁与顶板之间。


4.如权利要求2所述的半导体工艺装置，其特征在于，所述匀流板与所述卡盘之间的间距的取值范围为30～100毫米。


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【专利技术属性】
技术研发人员：鲁艳成，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11