半导体设备中的磁力件结构以及半导体磁控溅射设备制造技术

本发明专利技术公开一种半导体设备中的磁力件结构以及半导体磁控溅射设备，磁力件结构环绕设置于半导体反应腔室的外部，其特征在于，磁力件结构包括：环形支撑件、多个磁力件框架和多个磁力件；多个磁力件框架设置在环形支撑件上，且沿环形支撑件周向分布；磁力件对应安装于磁力件框架内，以使磁力件的轴线与反应腔室的轴线之间形成预设的第一安装角，第一安装角的角度可调节；通过调节边磁铁的轴线与反应腔室的轴线所形成第一安装角，从而调整边磁铁的磁场对晶圆表面作用范围，灵活地改变磁场方向，满足不同工艺需求，提高工艺的均匀性，保证更好的工艺结果。

【技术实现步骤摘要】
半导体设备中的磁力件结构以及半导体磁控溅射设备
本专利技术属于集成电路制造设备领域，更具体地，涉及一种半导体设备中的磁力件结构以及半导体磁控溅射设备。
技术介绍
集成电路芯片制备的后道工序中，物理气相沉积(PVD)中的磁控溅射是使用最广泛的技术之一。金属互连、硬掩膜、封装都需要使用到PVD技术。一般说来，磁控溅射是在晶圆上沉积薄膜材料，尤其是沉积Al金属互连线。近些年来，在高深宽比通孔中，采用垂直互连技术沉积电介质层和金属层的重要性和挑战性日益显现。通过Cu金属互连改变了这种状况，由于Cu金属层相对较低的电阻率，优越的抗电迁移性，因此增强了电路稳定性；同时，低介电常数介质材料替代了二氧化硅成为金属层间的绝缘介质，减少了金属连线层之间的寄生电容，从而很大程度提高了集成电路速度。在Cu互连的物理气相沉积(PVD)工艺中，通常采用直流磁控溅射技术来制备铜薄膜，这是一个溅射和重溅射同时进行的过程。当铜靶材接通电源后，靶材表面受到氩离子的轰击，受到轰击后的靶材表面会同时产生铜原子和铜离子。铜原子和铜离子逐渐下落，铜原子最终落在晶圆表面，形成了铜薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体设备中的磁力件结构，所述磁力件结构环绕设置于半导体反应腔室的外部，其特征在于，所述磁力件结构包括：环形支撑件(1)、多个磁力件框架(2)和多个磁力件(3)；/n所述多个磁力件框架(2)设置在所述环形支撑件(1)上，且沿所述环形支撑件(1)周向分布；所述磁力件(3)对应安装于所述磁力件框架(2)内，以使所述磁力件(3)的轴线与所述反应腔室的轴线之间形成预设的第一安装角，所述第一安装角的角度可调节。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备中的磁力件结构，所述磁力件结构环绕设置于半导体反应腔室的外部，其特征在于，所述磁力件结构包括：环形支撑件(1)、多个磁力件框架(2)和多个磁力件(3)；
所述多个磁力件框架(2)设置在所述环形支撑件(1)上，且沿所述环形支撑件(1)周向分布；所述磁力件(3)对应安装于所述磁力件框架(2)内，以使所述磁力件(3)的轴线与所述反应腔室的轴线之间形成预设的第一安装角，所述第一安装角的角度可调节。


2.根据权利要求1所述的磁力件结构，其特征在于，所述磁力件(3)的两端连接于所述磁力件框架(2)的内侧，所述磁力件框架(2)的外周设有多个安装面，每个所述安装面上开设有用于将所述安装面固定于所述环形支撑件(1)上的框架表面安装孔；所述环形支撑件通过螺钉与所述安装孔连接，所述磁力件框架(3)可通过任一所述安装面与所述环形支撑件(1)相连接，以调节所述第一安装角度。


3.根据权利要求2所述的磁力件结构，其特征在于，所述环形支撑件(1)包括上环架(4)、下环架(5)和连接部(6)，所述上环架(4)和所述下环架(5)相互平行，且所述上环架(4)的轴线与所述下环架(5)的轴线重合，所述连接部(6)连接于所述上环架(4)和所述下环架(5)之间，所述上环架(4)通过所述连接部(6)可拆卸地连接于所述下环架(5)；
沿所述上环架(4)的周向分布有...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞振铎，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11