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本发明公开一种半导体设备中的磁力件结构以及半导体磁控溅射设备，磁力件结构环绕设置于半导体反应腔室的外部，其特征在于，磁力件结构包括：环形支撑件、多个磁力件框架和多个磁力件；多个磁力件框架设置在环形支撑件上，且沿环形支撑件周向分布；磁力件对应...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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