靶材利用率改善型溅射源及气相沉积设备制造技术

本实用新型专利技术揭示了靶材利用率改善型溅射源及气相沉积设备，其中靶材利用率改善型溅射源包括支柱，所述支柱上共轴设置有磁体座，所述磁体座上设置有磁体，所述支柱的外周共轴且间隙设置有可相对其自转的旋转套，所述旋转套上共轴设置有套装在磁体座外周且与磁体座保持间隙的靶材固定套，所述靶材固定套上设置有靶材。本方案设计精巧，采用使靶材转动，磁体不转动的方式来代替现有的靶材固定，磁体转动的方式，改变了惯用思维方式，可以使靶材的各区域能够被均匀的轰击，从而有效的提高靶材的利用率，避免靶材的浪费，降低生产成本；同时适用于圆环形的靶材的使用，能够有效的提高工作效率。

【技术实现步骤摘要】
靶材利用率改善型溅射源及气相沉积设备
本技术涉及气相沉积领域，尤其是靶材利用率改善型溅射源及气相沉积设备。
技术介绍
磁控溅射是物理气相沉积的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。常规溅射源使靶材固定，通过磁控管的转动从而在靶材区域内进行高速移动扫描，以实现对靶材各个区域的溅射、提高靶材的利用率。通常磁控管的运行轨迹范围无法覆盖整个靶材区域，而且既使在磁控管轨迹所覆盖的区域内磁控管的扫描轨迹的密度也不均匀，具体表现为，靠近靶材中心的轨迹较密，而靠近靶材边缘的轨迹密度则较小。基于上述原因，势必将造成靶材的消耗速率的差异，当消耗速率较快的靶材区域被用尽之后，整个靶材即要作废，而靶材上未被消耗及未被用尽的区域无法被继续使用，从而造成靶材的严重浪费。由于靶材价格非常昂贵，如果不能达到较高的靶材利用率将给企业造成巨大的成本负担。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.靶材利用率改善型溅射源，其特征在于：包括支柱（1），所述支柱（1）上共轴设置有磁体座（2），所述磁体座（2）上设置有磁体（3），所述支柱（1）的外周共轴且间隙设置有可相对其自转的旋转套（4），所述旋转套（4）上共轴设置有套装在磁体座（2）外周且与磁体座（2）保持间隙的靶材固定套（5），所述靶材固定套（5）上设置有靶材（6）。/n

【技术特征摘要】
1.靶材利用率改善型溅射源，其特征在于：包括支柱（1），所述支柱（1）上共轴设置有磁体座（2），所述磁体座（2）上设置有磁体（3），所述支柱（1）的外周共轴且间隙设置有可相对其自转的旋转套（4），所述旋转套（4）上共轴设置有套装在磁体座（2）外周且与磁体座（2）保持间隙的靶材固定套（5），所述靶材固定套（5）上设置有靶材（6）。


2.根据权利要求1所述的靶材利用率改善型溅射源，其特征在于：所述支柱（1）与所述磁体座（2）相对的一端插接，且它们相对的连接盘通过锁定件（7）锁定。


3.根据权利要求2所述的靶材利用率改善型溅射源，其特征在于：所述锁定件（7）包括两个组合成环状的C形构件，两个所述构件的内壁形成有位置对应的两道半圆形的凸条，每个构件的一个凸条可嵌入到所述支柱（1）顶部的卡槽（11）中，另一条凸条可嵌入所述磁体座（2）底部的卡接槽（21）中。


4.根据权利要求1所述的靶材利用率改善型溅射源，其特征在于：所述旋转套（4）通过两个间隙设置的轴承（8）连接所述支柱（1），且所述旋转套（4）和所述支柱（1）之间还设置有至少一限位环（9）。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱涛，钱政羽，吴其涛，
申请(专利权)人：星弧涂层新材料科技苏州股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32