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本实用新型揭示了靶材利用率改善型溅射源及气相沉积设备，其中靶材利用率改善型溅射源包括支柱，所述支柱上共轴设置有磁体座，所述磁体座上设置有磁体，所述支柱的外周共轴且间隙设置有可相对其自转的旋转套，所述旋转套上共轴设置有套装在磁体座外周且与磁体...
该专利属于星弧涂层新材料科技(苏州)股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过星弧涂层新材料科技(苏州)股份有限公司授权不得商用。

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