卤素灯的检测方法、装置及设备制造方法及图纸

本申请实施例公开了一种卤素灯的检测方法、装置及设备，用以解决无法对卤素灯损坏进行预警的问题。所述方法包括：在卤素灯处于加热状态时，获取所述卤素灯的灯管参数信息；所述灯管参数信息包括灯管功率和灯管阻抗；判断所述灯管功率是否位于预设功率范围内；若所述灯管功率位于所述预设功率范围内，则判断所述灯管阻抗是否低于预设阻抗阈值；若所述灯管阻抗低于所述预设阻抗阈值，则发出第一预警信息；所述第一预警信息用于提示所述卤素灯具有损坏风险。该技术方案实现了对具有损坏风险的卤素灯的预警效果，避免了卤素灯损坏后对设备的周围部件造成影响的情况，从而降低对设备的异常维护频率，提高设备的竞争力。

【技术实现步骤摘要】
卤素灯的检测方法、装置及设备
本专利技术涉及微电子及设备检测
，尤其涉及一种卤素灯的检测方法、装置及设备。
技术介绍
化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，CVD)法外延，作为一种借助空间气相化学反应在衬底表面沉积固态薄膜的一种气相外延生长技术，因其相关设备简单、生长参数容易控制、重复性好，是目前硅外延生长的主要方法。目前的CVD硅外延设备主要有多片和单片两种。多片CVD设备使用感应加热方式，升温和降温效率较低；并且采用真空机械手取放片的方式，越来越难以满足客户对高晶片边缘质量的要求。此外，多片CVD设备较大的矩形腔室设计在薄膜外延方面没有明显优势，也难以满足更大尺寸晶片(8寸以上)的外延要求。而单片CVD设备采用红外加热方式及表面非接触式取放片方式，具有圆形腔室结构以及对8寸以上晶片外延的较好开发能力，恰好弥补了多片CVD设备的缺点，是目前CVD硅外延设备的较佳选择。单片CVD设备使用红外卤素灯进行加热。红外卤素灯由灯丝、玻璃管壁、内部填充气体等组成。相对于多片CVD设备的感应线圈，红外卤素灯的升温效率和降温效率较高，但是红外卤素灯比石墨材质的感应线圈更易损坏，并有可能波及周围反射屏或其他腔室部件，降低周围部件的使用寿命，并增加维护频率。因此，如何避免由红外卤素灯损坏引发的不良影响，是降低损失和单片CVD设备异常维护频率的关键问题。
技术实现思路
本申请实施例的目的是提供一种卤素灯的检测方法、装置及设备，用以解决无法对卤素灯损坏进行预警的问题。>为解决上述技术问题，本申请实施例是这样实现的：一方面，本申请实施例提供一种卤素灯的检测方法，包括：在卤素灯处于加热状态时，获取所述卤素灯的灯管参数信息；所述灯管参数信息包括灯管功率和灯管阻抗；判断所述灯管功率是否位于预设功率范围内；若所述灯管功率位于所述预设功率范围内，则判断所述灯管阻抗是否低于预设阻抗阈值；若所述灯管阻抗低于所述预设阻抗阈值，则发出第一预警信息；所述第一预警信息用于提示所述卤素灯具有损坏风险。另一方面，本申请实施例提供一种卤素灯的检测装置，包括：第一获取模块，用于在卤素灯处于加热状态时，获取所述卤素灯的灯管参数信息；所述灯管参数信息包括灯管功率和灯管阻抗；第一判断模块，用于判断所述灯管功率是否位于预设功率范围内；第二判断模块，用于若所述灯管功率位于所述预设功率范围内，则判断所述灯管阻抗是否低于预设阻抗阈值；第一预警模块，用于若所述灯管阻抗低于所述预设阻抗阈值，则发出第一预警信息；所述第一预警信息用于提示对所述卤素灯具有损坏风险。再一方面，本申请实施例提供一种卤素灯的检测设备，包括腔室，以及设置于所述腔室内的卤素灯、处理器；其中：所述卤素灯，用于为所述腔室提供热源；所述处理器，用于在所述卤素灯处于加热状态时，获取所述卤素灯的灯管参数信息；所述灯管参数信息包括灯管功率和灯管阻抗；判断所述灯管功率是否位于预设功率范围内；若所述灯管功率位于所述预设功率范围内，则判断所述灯管阻抗是否低于预设阻抗阈值；若所述灯管阻抗低于所述预设阻抗阈值，则发出第一预警信息；所述第一预警信息用于提示所述卤素灯具有损坏风险。采用本专利技术实施例的技术方案，能够在卤素灯处于加热状态时，获取卤素灯的灯管参数信息(包括灯管功率和灯管阻抗)，进而在灯管功率位于预设功率范围内的情况下，判断灯管阻抗是否低于预设阻抗阈值；在灯管阻抗低于预设阻抗阈值的情况下，发出第一预警信息，以提示卤素灯具有损坏风险。因此实现了对具有损坏风险的卤素灯的预警效果，而并非在卤素灯损坏后才做维护，避免了卤素灯损坏后对设备的周围部件造成影响的情况，从而降低对设备的异常维护频率，提高设备的竞争力。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是根据本专利技术一实施例的一种卤素灯的检测方法的示意性流程图；图2是根据本专利技术一实施例的一种卤素灯的检测方法中灯管功率和灯管阻抗的示意性坐标图；图3是根据本专利技术另一实施例的一种卤素灯的检测方法的示意性流程图；图4是根据本专利技术一实施例的一种卤素灯的检测装置的示意性框图；图5是根据本专利技术一实施例的一种卤素灯的检测设备的示意性框图。具体实施方式本申请实施例提供一种卤素灯的检测方法、装置及设备，用以解决无法对卤素灯损坏进行预警的问题。为了使本
的人员更好地理解本申请中的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。图1是根据本专利技术一实施例的一种卤素灯的检测方法的示意性流程图，如图1所示，该方法包括：S102，在卤素灯处于加热状态时，获取卤素灯的灯管参数信息。其中，灯管参数信息可包括灯管功率和灯管阻抗。S104，判断灯管功率是否位于预设功率范围内。S106，若灯管功率位于预设功率范围内，则判断灯管阻抗是否低于预设阻抗阈值。S108，若灯管阻抗低于预设阻抗阈值，则发出第一预警信息，第一预警信息用于提示卤素灯具有损坏风险。本实施例提高的卤素灯的检测方法不限于用在何种设备中，只要设备中配置有卤素灯即可，例如，内设有红外卤素灯的单片CVD设备等。采用本专利技术实施例的技术方案，能够在卤素灯处于加热状态时，获取卤素灯的灯管参数信息(包括灯管功率和灯管阻抗)，进而在灯管功率位于预设功率范围内的情况下，判断灯管阻抗是否低于预设阻抗阈值；在灯管阻抗低于预设阻抗阈值的情况下，发出第一预警信息，以提示卤素灯具有损坏风险。因此实现了对具有损坏风险的卤素灯的预警效果，而并非在卤素灯损坏后才做维护，避免了卤素灯损坏后对设备的周围部件造成影响的情况，从而降低对设备的异常维护频率，提高设备的竞争力。在执行S102时，可在设备内配置一用于采集卤素灯的灯管参数信息的组件，如调功器。调功器可实时检测卤素灯的灯管功率和灯管阻抗，并将检测到的灯管功率和灯管阻抗提供给执行卤素灯的检测方法的软件或硬件(如处理器)。在一个实施例中，获取到卤素灯的灯管参数信息后，首先判断卤素灯的灯管功率是否位于预设功率范围内。若卤素灯的灯管功率位于预设功率范围内，则进一步判断灯管阻抗是否低于预设阻抗阈值。若灯管阻抗低于预设阻抗阈值，则发出第一预警信息，以提示卤素灯具有损坏风险，即卤素灯将要损坏。反之，若灯管阻抗不低于预设阻抗阈值，则确定卤素灯不具有损坏风险，此时不进行预警。若卤素灯的灯管功率不位于预设功率范围内本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种卤素灯的检测方法，其特征在于，包括：/n在卤素灯处于加热状态时，获取所述卤素灯的灯管参数信息；所述灯管参数信息包括灯管功率和灯管阻抗；/n判断所述灯管功率是否位于预设功率范围内；/n若所述灯管功率位于所述预设功率范围内，则判断所述灯管阻抗是否低于预设阻抗阈值；/n若所述灯管阻抗低于所述预设阻抗阈值，则发出第一预警信息；所述第一预警信息用于提示所述卤素灯具有损坏风险。/n

【技术特征摘要】
1.一种卤素灯的检测方法，其特征在于，包括：
在卤素灯处于加热状态时，获取所述卤素灯的灯管参数信息；所述灯管参数信息包括灯管功率和灯管阻抗；
判断所述灯管功率是否位于预设功率范围内；
若所述灯管功率位于所述预设功率范围内，则判断所述灯管阻抗是否低于预设阻抗阈值；
若所述灯管阻抗低于所述预设阻抗阈值，则发出第一预警信息；所述第一预警信息用于提示所述卤素灯具有损坏风险。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
基于预先获得的所述灯管功率和所述灯管阻抗之间的映射关系，确定在所述灯管功率位于所述预设功率范围内时对应的灯管阻抗范围；
根据所述灯管阻抗范围确定所述预设阻抗阈值；其中，所述预设阻抗阈值小于或等于所述灯管阻抗范围内的最小值。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述发出第一预警信息之后，还包括：
获取对所述卤素灯进行检测的第一检测结果；所述第一检测结果包括以下至少一项：所述卤素灯的灯丝是否弯曲、所述灯丝是否变色、所述灯丝是否断线、所述卤素灯的玻璃管壁是否膨胀；
根据所述第一检测结果，判断所述卤素灯是否符合预设更换条件；
若是，则发出第二预警信息；所述第二预警信息用于提示对所述卤素灯进行更换。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述获取对所述卤素灯进行检测的第一检测结果之前，还包括：
利用耐高温摄像装置摄取所述卤素灯的第一灯管图像；
对所述第一灯管图像进行分析，以获得所述卤素灯的第一灯管状态信息；所述第一灯管状态信息包括以下至少一项：灯丝形状、灯丝颜色、所述玻璃管壁的形状；
将所述第一灯管状态信息与预设的基准灯管状态信息进行比对，得到比对结果；所述基准灯管状态信息包括以下至少一项：灯丝基准形状、灯丝基准颜色、所述玻璃管壁的基准形状；
根据所述比对结果，确定对所述卤素灯进行检测的第一检测结果。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述比对结果，确定对所述卤素灯进行检测的第一检测结果，包括：
若所述比对结果为所述灯丝形状与所述灯丝基准形状不一致，则确定所述第一检测结果为灯丝弯曲或断线；
若所述比对结果为所述灯丝颜色与所述灯丝基准颜色不一致，则确定所述第一检测结果为灯丝变色；
若所述比对结果为所述玻璃管壁的形状与所述玻璃管壁的基准形状不一致，则确定所述第一检测结果...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈路路，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11