半导体设备的控制方法及系统技术方案

本发明专利技术提供的半导体设备的控制方法及系统，该方法包括：判断半导体设备中的工艺腔室的工作状态是待机状态还是非待机状态，若为待机状态，向废气处理装置发送第一控制信号，以使废气处理装置以第一功率值对废气进行燃烧处理；若为非待机状态，判断工艺腔室当前处于工艺状态还是非工艺状态；若处于工艺状态，向废气处理装置发送第二控制信号，以使废气处理装置以第二功率值对废气进行燃烧处理，第二功率值大于第一功率值；若处于非工艺状态，判断工艺腔室当前是否正在通入特气，若是，向废气处理装置发送第二控制信号；若否，向废气处理装置发送第一控制信号。本发明专利技术提供的半导体设备的控制方法，有效处理有毒气体的同时，降低能源浪费。

【技术实现步骤摘要】
半导体设备的控制方法及系统
本专利技术属于半导体制造
，具体涉及一种半导体设备的控制方法及废气处理装置的控制系统。
技术介绍
半导体刻蚀工艺中通常会使用多种刻蚀气体，如BCl3、Cl2、CFxH4-x、HBr、NF3等，这些刻蚀气体能电离出高活性的自由基但具有一定毒性的气体，这些毒性的特殊气体(以下称为特气)有的能腐蚀管道，有的积累到一定程度甚至会有火灾的风险。因此，特气经过刻蚀工艺(电离启辉)之后，通常无法直接进行排放，而需要经过一定的处理，以确保排出的气体均是无毒无害的，不会对人员及环境产生危害。处理特气的设备一般采用废气处理装置(localscrubber)，其中燃烧水洗式废气处理装置最为常用，首先在废气处理装置的燃烧室中利用高温(火焰燃烧或热电偶加热)使毒性气体氧化，并转变为无害或易被水洗去除的气体，之后再经后续水洗等处理方式进一步无害化处理废气。目前，无论腔室是否正在进行工艺，无论通入腔室中的气体是否为特气，只要腔室处于非待机状态，均使用较高的功率(燃烧温度达到1300℃至1600℃)对废气进行燃烧处理，但事实上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体设备的控制方法，用于对所述半导体设备中的废气处理装置进行控制，其特征在于，包括：/n判断所述半导体设备中的工艺腔室的工作状态是待机状态还是非待机状态，若所述工作状态为所述待机状态，则向所述废气处理装置发送第一控制信号，以使所述废气处理装置以第一功率值对废气进行燃烧处理；/n若所述工作状态为所述非待机状态，则判断所述工艺腔室当前处于工艺状态还是非工艺状态；若处于所述工艺状态，则向所述废气处理装置发送第二控制信号，以使所述废气处理装置以第二功率值对废气进行燃烧处理，所述第二功率值大于所述第一功率值；/n若处于所述非工艺状态，则判断所述工艺腔室当前是否正在通入特气，若是，则向所述废气处...

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备的控制方法，用于对所述半导体设备中的废气处理装置进行控制，其特征在于，包括：
判断所述半导体设备中的工艺腔室的工作状态是待机状态还是非待机状态，若所述工作状态为所述待机状态，则向所述废气处理装置发送第一控制信号，以使所述废气处理装置以第一功率值对废气进行燃烧处理；
若所述工作状态为所述非待机状态，则判断所述工艺腔室当前处于工艺状态还是非工艺状态；若处于所述工艺状态，则向所述废气处理装置发送第二控制信号，以使所述废气处理装置以第二功率值对废气进行燃烧处理，所述第二功率值大于所述第一功率值；
若处于所述非工艺状态，则判断所述工艺腔室当前是否正在通入特气，若是，则向所述废气处理装置发送所述第二控制信号；若否，则向所述废气处理装置发送所述第一控制信号。


2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述处于所述非工艺状态，则判断所述工艺腔室当前是否正在通入特气，包括：
获取所述特气的进气管路中的当前流量值；
判断所述当前流量值是否大于预设阈值，若是，则确认所述工艺腔室当前正在通入特气；若否，则确认所述工艺腔室当前未通入特气。


3.根据权利要求2所述的控制方法，其特征在于，所述预设阈值的取值范围为1sccm-5sccm。


4.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述若所述工作状态为所述非待机状态，则判断所述工艺腔室当前处于工艺状态还是非工艺状态，包括：
获取所述工艺腔室的进程状态；
判断所述进程状态是否已达到预设条件，若是，则确认所述工艺腔室当前处于所述工艺状态；若否，则确认所述工艺腔室当前处于所述非工艺状态。


5.根据权利要求4所述的控制方法，其特征在于，所述进程状态包括调用工艺配方，所述预设条件为当前已调用所述工艺配方；或者，所述进程状态包括启辉状态，所述预设条件为所述工艺腔室当前为所述启辉状态。


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【专利技术属性】
技术研发人员：沈涛，张宇，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11